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1. 发明专利

TWI664079B 密封薄膜、有機電激發光顯示裝置及有機半導體元件有权
简体标题：密封薄膜、有机电激发光显示设备及有机半导体组件
公开(公告)号：TWI664079B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW103145696
申请日：2014-12-26
申请人：日商日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：田崎聡 , TAZAKI, SATOSHI , 井上弘康 , INOUE, HIROYASU , 石黑淳 , ISHIGURO, ATSUSHI , 小出洋平 , KOIDE, YOHEI
IPC分类号： B32B27/32 , B32B27/30 , H05B33/04 , H01L51/50 , H01L51/00

2. 发明专利

TW201529315A 密封薄膜、有機電激發光顯示裝置及有機半導體元件审中-公开
简体标题：密封薄膜、有机电激发光显示设备及有机半导体组件
公开(公告)号：TW201529315A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103145696
申请日：2014-12-26
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：田崎聡 , TAZAKI, SATOSHI , 井上弘康 , INOUE, HIROYASU , 石黑淳 , ISHIGURO, ATSUSHI , 小出洋平 , KOIDE, YOHEI
IPC分类号： B32B27/32 , B32B27/30 , H05B33/04 , H01L51/50 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/524 , B32B3/08 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/10 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/302 , B32B27/32 , B32B2250/03 , B32B2307/40 , B32B2307/416 , B32B2307/418 , B32B2307/42 , B32B2307/51 , B32B2307/54 , B32B2405/00 , B32B2457/20 , B32B2457/206 , B32B2581/00 , G02B5/3083 , H01L29/786 , H01L51/5281
摘要：提供一種密封薄膜，係依照以下的順序具備基材薄膜、密封層及接著性層之密封薄膜，前述密封薄膜係具有1000MPa以上的拉伸彈性模數，而且在密封後之在前述密封薄膜的前述密封層側所設置之除前述基材薄膜以外的層部分之遲滯值為20nm以下。
简体摘要：提供一种密封薄膜，系依照以下的顺序具备基材薄膜、密封层及接着性层之密封薄膜，前述密封薄膜系具有1000MPa以上的拉伸弹性模数，而且在密封后之在前述密封薄膜的前述密封层侧所设置之除前述基材薄膜以外的层部分之迟滞值为20nm以下。

3. 发明专利

TWI664080B 複合氣體阻障層積體及其製造方法有权
简体标题：复合气体阻障层积体及其制造方法
公开(公告)号：TWI664080B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW104102641
申请日：2015-01-27
申请人：日商日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：井上弘康 , INOUE, HIROYASU , 石黑淳 , ISHIGURO, ATSUSHI , 小出洋平 , KOIDE, YOHEI
IPC分类号： B32B27/32 , B32B37/04 , B32B37/06 , H01L51/52

4. 发明专利

TWI638848B 有機電子裝置密封用樹脂組成物及有機電子裝置有权
简体标题：有机电子设备密封用树脂组成物及有机电子设备
公开(公告)号：TWI638848B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW102144778
申请日：2013-12-06
申请人：日商日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：田崎聡 , TAZAKI, SATOSHI , 柏木幹文 , KASHIWAGI, MOTOFUMI , 石黑淳 , ISHIGURO, ATSUSHI , 小出洋平 , KOIDE, YOHEI
IPC分类号： C08L53/02 , H01L23/29

5. 发明专利

TW201515838A 延伸膜片及其製造方法审中-公开
简体标题：延伸膜片及其制造方法
公开(公告)号：TW201515838A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103123269
申请日：2014-07-07
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：石黑淳 , ISHIGURO, ATSUSHI , 齋藤大輔 , SAITO, DAISUKE , 小原禎二 , KOHARA, TEIJI
IPC分类号： B32B27/28 , B29C47/00 , B29C55/08
CPC分类号： C08J5/18 , B29C55/045 , C08F297/04 , C08J2353/02 , C08L53/025 , G02B5/3083
摘要：本發明提供一種延伸膜片，其由以源自芳香族乙烯系化合物的重複單元作為主成分之至少2種聚合物嵌段[A]、及以源自鏈狀共軛二烯化合物的重複單元作為主成分之至少1種聚合物嵌段[B]構成，全部聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物全體所佔重量分率為wA、全部聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物全體所佔重量分率為wB時，將由嵌段共聚物氫化物[2]構成之熔融擠製膜片相對於其橫向在5~80°的方向連續地傾斜延伸而得到，上述嵌段共聚物氫化物[2]係將wA與wB的比(wA：wB)為50：50~75：25之嵌段共聚物[1]的全部不飽和鍵之90%以上氫化而成，且重量平均分子量(Mw)為45,000~150,000，分子量分布(Mw/Mn)為1.5以下。依照本發明，能夠提供一種厚度不均小且相位差與配向軸角度的精確度優異之作為光學用膜片有用的傾斜延伸膜片。
简体摘要：本发明提供一种延伸膜片，其由以源自芳香族乙烯系化合物的重复单元作为主成分之至少2种聚合物嵌段[A]、及以源自链状共轭二烯化合物的重复单元作为主成分之至少1种聚合物嵌段[B]构成，全部聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物全体所占重量分率为wA、全部聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物全体所占重量分率为wB时，将由嵌段共聚物氢化物[2]构成之熔融挤制膜片相对于其横向在5~80°的方向连续地倾斜延伸而得到，上述嵌段共聚物氢化物[2]系将wA与wB的比(wA：wB)为50：50~75：25之嵌段共聚物[1]的全部不饱和键之90%以上氢化而成，且重量平均分子量(Mw)为45,000~150,000，分子量分布(Mw/Mn)为1.5以下。依照本发明，能够提供一种厚度不均小且相位差与配向轴角度的精确度优异之作为光学用膜片有用的倾斜延伸膜片。

6. 发明专利

TW201831547A 薄膜及有機電子裝置审中-公开
简体标题：薄膜及有机电子设备
公开(公告)号：TW201831547A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107117724
申请日：2013-12-06
申请人：日商日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：田崎聡 , TAZAKI, SATOSHI , 柏木幹文 , KASHIWAGI, MOTOFUMI , 石黑淳 , ISHIGURO, ATSUSHI , 小出洋平 , KOIDE, YOHEI
IPC分类号： C08F297/04 , C08L53/02 , C09K3/10 , H01L51/00 , H01L51/44 , H01L51/52
摘要：一種有機電子裝置密封用樹脂組成物及含有其之裝置，有機電子裝置密封用樹脂組成物係含有將嵌段共聚物的總不飽和鍵的90%以上氫化而得到之嵌段共聚物氫化物之有機電子裝置密封用樹脂組成物，前述嵌段共聚物具有：以芳香族乙烯系化合物單元作為主成分且共聚物每1分子2個以上的聚合物嵌段[A]；及以鏈狀共軛二烯化合物單元作為主成分且共聚物每1分子1個以上的聚合物嵌段[B]；在前述嵌段共聚物全體所佔有之總聚合物嵌段[A]的重量分率wA與總聚合物嵌段[B]的重量分率wB之比(wA：wB)為20：80~60：40。
简体摘要：一种有机电子设备密封用树脂组成物及含有其之设备，有机电子设备密封用树脂组成物系含有将嵌段共聚物的总不饱和键的90%以上氢化而得到之嵌段共聚物氢化物之有机电子设备密封用树脂组成物，前述嵌段共聚物具有：以芳香族乙烯系化合物单元作为主成分且共聚物每1分子2个以上的聚合物嵌段[A]；及以链状共轭二烯化合物单元作为主成分且共聚物每1分子1个以上的聚合物嵌段[B]；在前述嵌段共聚物全体所占有之总聚合物嵌段[A]的重量分率wA与总聚合物嵌段[B]的重量分率wB之比(wA：wB)为20：80~60：40。

7. 发明专利

TWI666226B 光學用薄膜之製造方法有权
简体标题：光学用薄膜之制造方法
公开(公告)号：TWI666226B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104116001
申请日：2015-05-20
申请人：日商日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：小原禎二 , KOHARA, TEIJI , 石黑淳 , ISHIGURO, ATSUSHI , 齋藤大輔 , SAITOU, DAISUKE
IPC分类号： C08F293/00 , C08F8/04 , G02B1/04 , B32B27/30

8. 发明专利

TWI636079B 光學用膜片及其製造方法有权
简体标题：光学用膜片及其制造方法
公开(公告)号：TWI636079B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW103121837
申请日：2014-06-25
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：石黑淳 , ISHIGURO, ATSUSHI , 齋藤大輔 , SAITO, DAISUKE , 小原禎二 , KOHARA, TEIJI
IPC分类号： C08J5/18 , C08L53/02 , C08F8/04 , G02F1/1333 , G02B5/30 , B29C47/00 , B29D7/01 , B29K23/00 , B29K25/00 , B29L7/00

9. 发明专利

TWI635957B 延伸膜片及其製造方法有权
简体标题：延伸膜片及其制造方法
公开(公告)号：TWI635957B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW103123269
申请日：2014-07-07
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：石黑淳 , ISHIGURO, ATSUSHI , 齋藤大輔 , SAITO, DAISUKE , 小原禎二 , KOHARA, TEIJI
IPC分类号： B32B27/28 , B29C47/00 , B29C55/08

10. 发明专利

TW201623352A 嵌段共聚物氫化物以及由其所構成之延伸薄膜审中-公开
简体标题：嵌段共聚物氢化物以及由其所构成之延伸薄膜
公开(公告)号：TW201623352A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104133160
申请日：2015-10-08
申请人：日本瑞翁股份有限公司 , ZEON CORPORATION
发明人：齋藤大輔 , SAITOU, DAISUKE , 原內洋輔 , HARAUCHI, YOSUKE , 石黑淳 , ISHIGURO, ATSUSHI , 小原禎二 , KOHARA, TEIJI
IPC分类号： C08F297/04 , C08F8/04 , C08L53/02 , C08J5/18 , G02B1/04 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC分类号： C08F8/04 , C08F212/08 , C08F236/06 , C08F297/04 , C08F297/046 , C08F2500/26 , C08J5/18 , C08L47/00 , G02B5/3033
摘要：本發明係提供一種嵌段共聚物氫化物、及由其所構成之延伸薄膜，其中該嵌段共聚物氫化物，係由以源自芳香族乙烯系化合物的重複單元[I]作為主成分之2個聚合物嵌段[A]、及以源自芳香族乙烯系化合物的重複單元[I]及源自鏈狀共軛二烯化合物的重複單元[II]作為主成分之1個聚合物嵌段[B]所構成的嵌段共聚物[C]氫化而成之嵌段共聚物氫化物，聚合物嵌段[A]占嵌段共聚物[C]之重量分率設為wA，聚合物嵌段[B]占嵌段共聚物[C]之重量分率設為wB時，wA和wB的比(wA：wB)為45：55~65：35，重複單元[I]占聚合物嵌段[B]之重量分率設為w[IB]，重複單元[II]占聚合物嵌段[B]之重量分率設為w[IIB]時，w[IB]和w[IIB]的比(w[IB]：w[IIB])為40：60~55：45，嵌段共聚物[C]的總不飽和鍵的90%以上被氫化，重量平均分子量為60,000~150,000，依據動態黏彈性之低溫側的玻璃轉移溫度[Tg1]為0℃以上，且高溫側的玻璃轉移溫度[Tg2]為135℃以上。依照本發明能夠提供一種經改善耐熱性之新穎嵌段共聚物氫化物、及由該嵌段共聚物氫化物所構成之經改善對相位差變化的耐熱性之延伸薄膜。
简体摘要：本发明系提供一种嵌段共聚物氢化物、及由其所构成之延伸薄膜，其中该嵌段共聚物氢化物，系由以源自芳香族乙烯系化合物的重复单元[I]作为主成分之2个聚合物嵌段[A]、及以源自芳香族乙烯系化合物的重复单元[I]及源自链状共轭二烯化合物的重复单元[II]作为主成分之1个聚合物嵌段[B]所构成的嵌段共聚物[C]氢化而成之嵌段共聚物氢化物，聚合物嵌段[A]占嵌段共聚物[C]之重量分率设为wA，聚合物嵌段[B]占嵌段共聚物[C]之重量分率设为wB时，wA和wB的比(wA：wB)为45：55~65：35，重复单元[I]占聚合物嵌段[B]之重量分率设为w[IB]，重复单元[II]占聚合物嵌段[B]之重量分率设为w[IIB]时，w[IB]和w[IIB]的比(w[IB]：w[IIB])为40：60~55：45，嵌段共聚物[C]的总不饱和键的90%以上被氢化，重量平均分子量为60,000~150,000，依据动态黏弹性之低温侧的玻璃转移温度[Tg1]为0℃以上，且高温侧的玻璃转移温度[Tg2]为135℃以上。依照本发明能够提供一种经改善耐热性之新颖嵌段共聚物氢化物、及由该嵌段共聚物氢化物所构成之经改善对相位差变化的耐热性之延伸薄膜。

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