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1. 发明专利

TWI670131B 雷射加工裝置有权
简体标题：激光加工设备
公开(公告)号：TWI670131B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW105110906
申请日：2016-04-07
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小田中健太郎 , ODANAKA, KENTARO , 大久保廣成 , OHKUBO, HIRONARI , 川崎善太郎 , KAWASAKI, ZENTARO
IPC分类号： B23K26/03 , B23K26/04 , B23K26/38

2. 发明专利

TW202008452A 晶片製造方法审中-公开
简体标题：芯片制造方法
公开(公告)号：TW202008452A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126555
申请日：2019-07-26
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：源田悟史 , GENDA, SATOSHI , 小川雄輝 , OGAWA, YUKI , 小田中健太郎 , ODANAKA, KENTARO
IPC分类号： H01L21/304
摘要： [課題] 提供一種晶片製造方法，能夠抑制晶片製造成本的增加，同時能防止晶片的品質下降。[解決手段] 一種晶片製造方法，分割晶圓並製造晶片，該晶圓含有矽（Si）並在其正面側具備：元件，形成於藉由多條分割預定線所劃分的區域；以及金屬層，含有銅（Cu）並形成於分割預定線上；該晶片製造方法含有：保護膜形成步驟，在晶圓的正面側形成保護膜；雷射加工槽形成步驟，在保護膜形成步驟實施後，從晶圓的正面側沿著分割預定線照射對晶圓具有吸收性之波長的雷射光束，一邊去除金屬層一邊在晶圓上形成加工槽；增大化促進步驟，在雷射加工槽形成步驟實施後，促進碎片的增大化，該碎片藉由加工槽的形成而產生且附著在加工槽的內部；分割步驟，在增大化促進步驟實施後，沿著加工槽分割晶圓。
简体摘要： [课题] 提供一种芯片制造方法，能够抑制芯片制造成本的增加，同时能防止芯片的品质下降。[解决手段] 一种芯片制造方法，分割晶圆并制造芯片，该晶圆含有硅（Si）并在其正面侧具备：组件，形成于借由多条分割预定线所划分的区域；以及金属层，含有铜（Cu）并形成于分割预定在线；该芯片制造方法含有：保护膜形成步骤，在晶圆的正面侧形成保护膜；激光加工槽形成步骤，在保护膜形成步骤实施后，从晶圆的正面侧沿着分割预定线照射对晶圆具有吸收性之波长的激光光束，一边去除金属层一边在晶圆上形成加工槽；增大化促进步骤，在激光加工槽形成步骤实施后，促进碎片的增大化，该碎片借由加工槽的形成而产生且附着在加工槽的内部；分割步骤，在增大化促进步骤实施后，沿着加工槽分割晶圆。

3. 发明专利

TWI680821B 雷射加工裝置有权
简体标题：激光加工设备
公开(公告)号：TWI680821B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW105119575
申请日：2016-06-22
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小田切航 , ODAGIRI, WATARU , 岩本拓 , IWAMOTO, TAKU , 小田中健太郎 , ODANAKA, KENTARO , 大久保広成 , OHKUBO, HIRONARI , 築地修一郎 , TSUKIJI, SHUICHIRO , 根橋功一 , NEHASHI, KOUICHI , 卡瓦裘魯 , KOERWER, JOEL
IPC分类号： B23K26/02 , B23Q15/12 , B23Q17/24 , B23K101/40

4. 发明专利

TWI671828B 保護膜被覆方法及保護膜被覆裝置有权
简体标题：保护膜被覆方法及保护膜被覆设备
公开(公告)号：TWI671828B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104121833
申请日：2015-07-06
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小田中健太郎 , ODANAKA, KENTARO
IPC分类号： H01L21/56

5. 发明专利

TW201903867A 雷射加工方法及雷射加工裝置审中-公开
简体标题：激光加工方法及激光加工设备
公开(公告)号：TW201903867A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107114472
申请日：2018-04-27
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小田中健太郎 , ODANAKA, KENTARO
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/066 , B23K26/364
摘要： [課題]容易且迅速地判定雷射加工溝的溝形狀的良、不良。 [解決手段]透過遮罩對晶圓照射能量強度分布為高斯分布的脈衝雷射光束來形成雷射加工溝，並且以拍攝機構拍攝將脈衝雷射光束照射於晶圓而產生的發光，並形成拍攝圖像。溝形狀判定部是依據拍攝圖像上的發光的形狀，來判定雷射加工溝的溝形狀的良、不良。遮罩位置調整部是因應於溝形狀的判定結果使遮罩移動機構作動，以調整遮罩相對於脈衝雷射光束的位置。
简体摘要： [课题]容易且迅速地判定激光加工沟的沟形状的良、不良。 [解决手段]透过遮罩对晶圆照射能量强度分布为高斯分布的脉冲激光光束来形成激光加工沟，并且以拍摄机构拍摄将脉冲激光光束照射于晶圆而产生的发光，并形成拍摄图像。沟形状判定部是依据拍摄图像上的发光的形状，来判定激光加工沟的沟形状的良、不良。遮罩位置调整部是因应于沟形状的判定结果使遮罩移动机构作动，以调整遮罩相对于脉冲激光光束的位置。

6. 发明专利

TW201828349A 雷射加工裝置审中-公开
简体标题：激光加工设备
公开(公告)号：TW201828349A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106143674
申请日：2017-12-13
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：伴祐人 , BAN, YURI , 吉田侑太 , YOSHIDA, YUTA , 小田中健太郎 , ODANAKA, KENTARO
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/36
摘要：本發明的課題是在於提供一種可在被加工物的全部的分割預定線適當地形成貫通溝之雷射加工裝置。　　其解決手段，雷射加工裝置是具備：　　保持封裝晶圓(201)的吸盤平台(10)；　　對封裝晶圓(201)照射脈衝雷射光線的雷射光線照射單元(20)；　　使吸盤平台(10)移動於X軸方向的X軸移動手段(30)；　　攝取封裝晶圓(201)的攝像單元(50)；及　　控制單元(60)。　　吸盤平台(10)是包含透明或半透明的保持構件(11)及發光體。　　控制單元(60)是具有：　　一面對封裝晶圓(201)照射脈衝雷射光線而形成貫通溝，一面以攝像單元(50)來使攝取封裝晶圓(201)之攝像指示部(61)；及　　由依據攝像指示部(61)的指示所取得的攝像畫像來判定貫通溝的加工狀態之判定部(62)。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可在被加工物的全部的分割预定线适当地形成贯通沟之激光加工设备。　　其解决手段，激光加工设备是具备：　　保持封装晶圆(201)的吸盘平台(10)；　　对封装晶圆(201)照射脉冲激光光线的激光光线照射单元(20)；　　使吸盘平台(10)移动于X轴方向的X轴移动手段(30)；　　摄取封装晶圆(201)的摄像单元(50)；及　　控制单元(60)。　　吸盘平台(10)是包含透明或半透明的保持构件(11)及发光体。　　控制单元(60)是具有：　　一面对封装晶圆(201)照射脉冲激光光线而形成贯通沟，一面以摄像单元(50)来使摄取封装晶圆(201)之摄像指示部(61)；及　　由依据摄像指示部(61)的指示所取得的摄像画像来判定贯通沟的加工状态之判定部(62)。

7. 发明专利

TW201828341A 雷射加工裝置审中-公开
简体标题：激光加工设备
公开(公告)号：TW201828341A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW107102576
申请日：2018-01-24
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：伴祐人 , BAN, YURI , 吉田侑太 , YOSHIDA, YUTA , 小田中健太郎 , ODANAKA, KENTARO
IPC分类号： H01L21/26 , H01L21/301 , H01L23/00
摘要： [課題]本發明提供一種可在工件的整體的分割預定線適當形成貫穿槽之雷射加工裝置。[解決手段]雷射加工裝置1包括：卡盤台10，以保持面11-1保持封裝晶圓201；雷射加工單元20，對封裝晶圓201照射雷射光線以在分割預定線202形成貫穿槽；X軸移動單元30，使卡盤台10在X軸方向上移動；及檢查單元60。卡盤台10包括：形成保持面11-1之保持構件、及發光體。檢查單元60包括：線感測器61，在Y軸方向上延伸；及控制單元62，藉線感測器61透過貫穿槽對來自發光體的光進行受光，以判定加工結果。線感測器將被保持在卡盤台狀態之封裝晶圓201的全面進行攝像。
简体摘要： [课题]本发明提供一种可在工件的整体的分割预定线适当形成贯穿槽之激光加工设备。[解决手段]激光加工设备1包括：卡盘台10，以保持面11-1保持封装晶圆201；激光加工单元20，对封装晶圆201照射激光光线以在分割预定线202形成贯穿槽；X轴移动单元30，使卡盘台10在X轴方向上移动；及检查单元60。卡盘台10包括：形成保持面11-1之保持构件、及发光体。检查单元60包括：线传感器61，在Y轴方向上延伸；及控制单元62，藉线传感器61透过贯穿槽对来自发光体的光进行受光，以判定加工结果。线传感器将被保持在卡盘台状态之封装晶圆201的全面进行摄像。

8. 发明专利

TW201615315A 保護膜檢測裝置及保護膜檢測方法审中-公开
简体标题：保护膜检测设备及保护膜检测方法
公开(公告)号：TW201615315A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104128827
申请日：2015-09-01
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：工藤裕 , KUDO, YU , 伊藤優作 , ITO, YUSAKU , 遠藤智章 , ENDO, TOMOAKI , 大浦幸伸 , OHURA, YUKINOBU , 中西彩菜 , NAKANISHI, AYANA , 梁仙一 , RYO, SENICHI , 小田中健太郎 , ODANAKA, KENTARO
IPC分类号： B23K26/03 , B23Q17/24 , B23Q17/20
CPC分类号： G06T7/001 , G06T2207/20224 , G06T2207/30148
摘要：本發明之課題為在被加工物的加工面上被覆保護膜時，能夠高精度地確認是否已將保護膜被覆於整個面。解決手段為對已被覆有保護膜之被加工物的上表面供給霧氣，並對被加工物之上表面照射光來拍攝供給霧氣後的被加工物之上表面，以從藉由拍攝所取得之圖像中，利用被覆有保護膜之區域、和未被覆有保護膜因而形成有微細的液滴之凹凸而產生照射光之米氏散射的區域之攝像圖像中的反射光的強度差，來檢測未被覆有保護膜的區域，藉此高精度地確認是否已將保護膜被覆於整個面。
简体摘要：本发明之课题为在被加工物的加工面上被覆保护膜时，能够高精度地确认是否已将保护膜被覆于整个面。解决手段为对已被覆有保护膜之被加工物的上表面供给雾气，并对被加工物之上表面照射光来拍摄供给雾气后的被加工物之上表面，以从借由拍摄所取得之图像中，利用被覆有保护膜之区域、和未被覆有保护膜因而形成有微细的液滴之凹凸而产生照射光之米氏散射的区域之摄像图像中的反射光的强度差，来检测未被覆有保护膜的区域，借此高精度地确认是否已将保护膜被覆于整个面。

9. 发明专利

TW201719746A 晶圓的分割方法审中-公开
简体标题：晶圆的分割方法
公开(公告)号：TW201719746A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105132905
申请日：2016-10-12
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：田渕智 , TABUCHI, TOMOTAKA , 小田中健太郎 , ODANAKA, KENTARO , 熊澤哲 , KUMAZAWA, SATOSHI , 梁仙一 , RYO, SENICHI , 小川雄輝 , OGAWA, YUKI
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/364
CPC分类号： H01L21/78 , B05D1/005 , B05D3/06 , H01L21/268 , H01L21/30604 , H01L21/67092
摘要：本發明的課題是不使含Cu的碎片成長於加工溝內，使碎片不會接觸於裝置的配線層。其解決手段係由雷射加工溝形成工程，切削工程及乾蝕刻工程來構成將晶圓(W)分割之晶圓(W)的分割方法，該晶圓(W)係於上面W2a具備含Cu的配線層(W2)，且在以分割預定線(S)所區劃的領域中形成有裝置(D)，該雷射加工溝形成工程係從配線層側(W2)照射對於晶圓(W)具有吸收性的波長的雷射光線，沿著分割預定線(S)來除去配線層(W2)，形成加工溝(M)，該切削工程係雷射加工溝形成工程的實施後，沿著加工溝(M)來使寬度比加工溝(M)的最外寬Mw(Max)更窄的切削刀(60)切入晶圓(W)，將晶圓(W)完全切斷，乾蝕刻工程，其係於雷射加工溝形成工程的實施後，至少乾蝕刻加工溝(M)。
简体摘要：本发明的课题是不使含Cu的碎片成长于加工沟内，使碎片不会接触于设备的配线层。其解决手段系由激光加工沟形成工程，切削工程及干蚀刻工程来构成将晶圆(W)分割之晶圆(W)的分割方法，该晶圆(W)系于上面W2a具备含Cu的配线层(W2)，且在以分割预定线(S)所区划的领域中形成有设备(D)，该激光加工沟形成工程系从配线层侧(W2)照射对于晶圆(W)具有吸收性的波长的激光光线，沿着分割预定线(S)来除去配线层(W2)，形成加工沟(M)，该切削工程系激光加工沟形成工程的实施后，沿着加工沟(M)来使宽度比加工沟(M)的最外宽Mw(Max)更窄的切削刀(60)切入晶圆(W)，将晶圆(W)完全切断，干蚀刻工程，其系于激光加工沟形成工程的实施后，至少干蚀刻加工沟(M)。

10. 发明专利

TWI495529B 雷射加工裝置有权
简体标题：激光加工设备
公开(公告)号：TWI495529B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW099136734
申请日：2010-10-27
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：小田中健太郎 , ODANAKA, KENTARO , 大庭龍吾 , OBA, RYUGO
IPC分类号： B23K26/08 , B23K26/14 , H01S3/00 , B23K101/40

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