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1. 发明专利

TWI691616B 蝕刻方法及蝕刻裝置有权
简体标题：蚀刻方法及蚀刻设备
公开(公告)号：TWI691616B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105123371
申请日：2016-07-25
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 日商中央玻璃股份有限公司 , CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人：林軍 , LIN, JUN , 竹谷考司 , TAKEYA, KOJI , 立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO , 八尾章史 , YAO, AKIFUMI , 山內邦裕 , YAMAUCHI, KUNIHIRO , 宮崎達夫 , MIYAZAKI, TATSUO
IPC分类号： C23F4/00 , H01L21/3213 , H01L21/768

2. 发明专利

TW201716633A 蝕刻方法及蝕刻裝置审中-公开
简体标题：蚀刻方法及蚀刻设备
公开(公告)号：TW201716633A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105123371
申请日：2016-07-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 中央玻璃股份有限公司 , CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人：林軍 , LIN, JUN , 竹谷考司 , TAKEYA, KOJI , 立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO , 八尾章史 , YAO, AKIFUMI , 山內邦裕 , YAMAUCHI, KUNIHIRO , 宮崎達夫 , MIYAZAKI, TATSUO
IPC分类号： C23F4/00 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/67069 , C23F1/12 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L23/53209 , H01L2924/01027 , H05K3/02 , H05K2203/0315
摘要：提供一種技術，係使用氧化鈷膜的氧化氣體與由β-二酮所構成之蝕刻氣體，在蝕刻被處理體表面之鈷膜時，可防止在被處理體形成碳膜。將被處理體加熱至250℃以下的溫度，並將由β-二酮所構成之蝕刻氣體及用以氧化該鈷膜之氧化氣體以該氧化氣體流量相對於該蝕刻氣體流量之比例為0.5%~50%來供給至該被處理體。藉此，便可抑制碳膜的形成，並蝕刻該鈷膜。
简体摘要：提供一种技术，系使用氧化钴膜的氧化气体与由β-二酮所构成之蚀刻气体，在蚀刻被处理体表面之钴膜时，可防止在被处理体形成碳膜。将被处理体加热至250℃以下的温度，并将由β-二酮所构成之蚀刻气体及用以氧化该钴膜之氧化气体以该氧化气体流量相对于该蚀刻气体流量之比例为0.5%~50%来供给至该被处理体。借此，便可抑制碳膜的形成，并蚀刻该钴膜。

3. 发明专利

TW201717269A 自然氧化膜去除方法及自然氧化膜去除裝置审中-公开
简体标题：自然氧化膜去除方法及自然氧化膜去除设备
公开(公告)号：TW201717269A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105121993
申请日：2016-07-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 中央玻璃股份有限公司 , CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人：林軍 , LIN, JUN , 竹谷考司 , TAKEYA, KOJI , 河口慎一 , KAWAGUCHI, SHINICHI , 立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO , 八尾章史 , YAO, AKIFUMI , 山內邦裕 , YAMAUCHI, KUNIHIRO
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/302 , H01L21/0237 , H01L21/304 , H01L21/3065
摘要：本發明之課題係提供一種技術，針對含有銦與銦以外元素之化合物做為主成分的半導體層，無須相對提高該半導體層之溫度而可去除於表面所形成之自然氧化膜。解決手段為具備：第1製程，為了去除構成該自然氧化膜之銦氧化物而將屬於β-二酮之第1蝕刻氣體供給於該半導體層並加熱該半導體層；以及，第2製程，為了去除構成該自然氧化膜之銦以外元素的氧化物而將第2蝕刻氣體供給於該半導體層並加熱該半導體層。藉由使用上述第1蝕刻氣體，由於即使半導體層之溫度相對較低仍可去除銦氧化物，故於去除自然氧化膜之際無須相對提高半導體層之溫度。
简体摘要：本发明之课题系提供一种技术，针对含有铟与铟以外元素之化合物做为主成分的半导体层，无须相对提高该半导体层之温度而可去除于表面所形成之自然氧化膜。解决手段为具备：第1制程，为了去除构成该自然氧化膜之铟氧化物而将属于β-二酮之第1蚀刻气体供给于该半导体层并加热该半导体层；以及，第2制程，为了去除构成该自然氧化膜之铟以外元素的氧化物而将第2蚀刻气体供给于该半导体层并加热该半导体层。借由使用上述第1蚀刻气体，由于即使半导体层之温度相对较低仍可去除铟氧化物，故于去除自然氧化膜之际无须相对提高半导体层之温度。

5. 发明专利

TW201413048A 成膜裝置、基板處理裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备、基板处理设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201413048A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102121026
申请日：2013-06-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 輿水地塩 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO , 加藤壽 , KATO, HITOSHI , 小林健 , KOBAYASHI, TAKESHI , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO , 木村隆文 , KIMURA, TAKAFUMI
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/509 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：相對於各處理氣體噴嘴於旋轉台之旋轉方向離間地設置電漿處理部，並透過旋轉台於面臨電漿處理部之位置以不接觸該旋轉台之方式設置偏壓電極部。然後，藉由對此偏壓電極部從偏壓電壓施加部施加偏壓電壓，來對旋轉台上之晶圓W以非接觸式地施加偏壓電壓。
简体摘要：相对于各处理气体喷嘴于旋转台之旋转方向离间地设置等离子处理部，并透过旋转台于面临等离子处理部之位置以不接触该旋转台之方式设置偏压电极部。然后，借由对此偏压电极部从偏压电压施加部施加偏压电压，来对旋转台上之晶圆W以非接触式地施加偏压电压。

6. 发明专利

TWI613313B 成膜裝置有权
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI613313B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW104102626
申请日：2015-01-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小野裕司 , ONO, YUJI , 立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO , 本間學 , HONMA, MANABU
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/31 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/402 , C23C16/4405 , C23C16/45551

7. 发明专利

TW201737292A 基板處理方法、基板處理裝置及基板處理系統审中-公开
简体标题：基板处理方法、基板处理设备及基板处理系统
公开(公告)号：TW201737292A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106100786
申请日：2017-01-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：羽田敬子 , HADA, KEIKO , 清水昭貴 , SHIMIZU, AKITAKA , 長倉幸一 , NAGAKURA, KOICHI , 立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/67
摘要：提供一種可以素簡的構成而不讓產率下降來去除所殘留的氟之基板處理方法。在程序模組中，將施予COR處理及PHT處理後之晶圓暴露於在冷卻儲存部的處理室內部中，將濕度調整為含水量為50g/m3以上的氛圍。
简体摘要：提供一种可以素简的构成而不让产率下降来去除所残留的氟之基板处理方法。在进程模块中，将施予COR处理及PHT处理后之晶圆暴露于在冷却存储部的处理室内部中，将湿度调整为含水量为50g/m3以上的氛围。

8. 发明专利

TW201739962A 蝕刻方法及蝕刻裝置审中-公开
简体标题：蚀刻方法及蚀刻设备
公开(公告)号：TW201739962A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106101049
申请日：2017-01-12
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：八尾章史 , YAO, AKIFUMI , 山內邦裕 , YAMAUCHI, KUNIHIRO , 宮崎達夫 , MIYAZAKI, TATSUO , 林軍 , LIN, JUN , 竹谷考司 , TAKEYA, KOJI , 立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO
IPC分类号： C23F1/12 , H01L21/28 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L23/532
摘要：本發明之蝕刻方法之特徵在於包括：第1氣體供給步驟，其係向表面形成有鈷膜、鐵膜或鈷鐵膜之被處理體供給包含β-二酮之蝕刻氣體；及第2氣體供給步驟，其於第1氣體供給步驟後，供給上述蝕刻氣體及氮氧化物氣體。
简体摘要：本发明之蚀刻方法之特征在于包括：第1气体供给步骤，其系向表面形成有钴膜、铁膜或钴铁膜之被处理体供给包含β-二酮之蚀刻气体；及第2气体供给步骤，其于第1气体供给步骤后，供给上述蚀刻气体及氮氧化物气体。

9. 发明专利

TWI518825B 基板處理裝置及成膜裝置有权
简体标题：基板处理设备及成膜设备
公开(公告)号：TWI518825B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW101133074
申请日：2012-09-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：榎本忠 , ENOMOTO, TADASHI , 立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO , 古屋治彥 , FURUYA, HARUHIKO , 大下健太郎 , OSHIMO, KENTARO
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/455 , C23C16/45506 , C23C16/45551 , H01L21/6719 , H01L21/68771

10. 发明专利

TW201330145A 基板處理裝置及成膜裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备及成膜设备
公开(公告)号：TW201330145A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101133074
申请日：2012-09-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：榎本忠 , ENOMOTO, TADASHI , 立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO , 古屋治彥 , FURUYA, HARUHIKO , 大下健太郎 , OSHIMO, KENTARO
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/455 , C23C16/45506 , C23C16/45551 , H01L21/6719 , H01L21/68771
摘要：一種基板處理裝置，係具備有：處理容器；複數處理區域，係設於該處理容器內，分別供給反應氣體而用以於基板進行氣體處理；旋轉台，係設於該處理容器內之旋轉台，將該旋轉台上面側之載置區域所載置之基板依序通過該複數處理區域來加以旋轉；反應氣體供給用氣體噴嘴，係設於該複數處理區域之至少一者，與該載置區域之移動方向交叉般地延伸，並沿其長度方向形成有噴出口；分離區域，係供給有將該複數處理區域之氛圍加以相互分離之分離氣體，而於該旋轉方向位於該等處理區域之間；排氣口，係用以將該處理容器內加以排氣；以及罩體構件，係包含有側壁部及上壁部，而用以將反應氣體滯留於氣體噴嘴周圍，該側壁部係相對於該氣體噴嘴而各自設於該旋轉台之旋轉方向上游側及下游側，該上壁部係設於氣體噴嘴上側，將流自該旋轉方向上游側之分離氣體於其上方區域朝下游側流通。該罩體構件係設有用以從該旋轉方向上游側之側壁部下部將流自旋轉方向上游側之分離氣體朝該罩體構件之上方引導之引導面，氣體噴嘴與旋轉方向上游側的側壁部之間隔為8mm以上。
简体摘要：一种基板处理设备，系具备有：处理容器；复数处理区域，系设于该处理容器内，分别供给反应气体而用以于基板进行气体处理；旋转台，系设于该处理容器内之旋转台，将该旋转台上面侧之载置区域所载置之基板依序通过该复数处理区域来加以旋转；反应气体供给用气体喷嘴，系设于该复数处理区域之至少一者，与该载置区域之移动方向交叉般地延伸，并沿其长度方向形成有喷出口；分离区域，系供给有将该复数处理区域之氛围加以相互分离之分离气体，而于该旋转方向位于该等处理区域之间；排气口，系用以将该处理容器内加以排气；以及罩体构件，系包含有侧壁部及上壁部，而用以将反应气体滞留于气体喷嘴周围，该侧壁部系相对于该气体喷嘴而各自设于该旋转台之旋转方向上游侧及下游侧，该上壁部系设于气体喷嘴上侧，将流自该旋转方向上游侧之分离气体于其上方区域朝下游侧流通。该罩体构件系设有用以从该旋转方向上游侧之侧壁部下部将流自旋转方向上游侧之分离气体朝该罩体构件之上方引导之引导面，气体喷嘴与旋转方向上游侧的侧壁部之间隔为8mm以上。

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