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1. 发明专利

TWI692636B 靜電電容測量用之感應晶片及具備該感應晶片之測量器有权
简体标题：静电电容测量用之感应芯片及具备该感应芯片之测量器
公开(公告)号：TWI692636B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW105117909
申请日：2016-06-07
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：杉田吉平 , SUGITA, KIPPEI , 南朋秀 , MINAMI, TOMOHIDE
IPC分类号： G01N27/24

2. 发明专利

TW201907170A 靜電容量測定用之測定器审中-公开
简体标题：静电容量测定用之测定器
公开(公告)号：TW201907170A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107110417
申请日：2018-03-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：杉田吉平 , SUGITA, KIPPEI , 南朋秀 , MINAMI, TOMOHIDE , 西尾哲 , NISHIO, SATORU
IPC分类号： G01R27/26
摘要：本發明之課題為提供一種構成為可修正靜電電容因環境的測量值變動之測量器。測量器係具備有基底板、第1感測器、一個以上的第2感測器及電路基板。第1感測器係具有沿著基底板的邊緣所設置之第1電極。一個以上的第2感測器係分別提供一個以上的第2電極，且被固定在基底板上。電路基板係搭載於基底板上，且連接於第1感測器及一個以上的第2感測器。電路基板係構成為會對第1電極及一個以上的第2電極供應高頻訊號，而由第1電極中的電壓振幅來取得對應於靜電電容之第1測量值，且由一個以上之第2電極中的電壓振幅來取得對應於靜電電容之一個以上的第2測量值。測量器係具有被固定在該測量器內，且面對一個以上的第2電極之一個以上的基準面。
简体摘要：本发明之课题为提供一种构成为可修正静电电容因环境的测量值变动之测量器。测量器系具备有基底板、第1传感器、一个以上的第2传感器及电路基板。第1传感器系具有沿着基底板的边缘所设置之第1电极。一个以上的第2传感器系分别提供一个以上的第2电极，且被固定在基底板上。电路基板系搭载于基底板上，且连接于第1传感器及一个以上的第2传感器。电路基板系构成为会对第1电极及一个以上的第2电极供应高频信号，而由第1电极中的电压振幅来取得对应于静电电容之第1测量值，且由一个以上之第2电极中的电压振幅来取得对应于静电电容之一个以上的第2测量值。测量器系具有被固定在该测量器内，且面对一个以上的第2电极之一个以上的基准面。

3. 发明专利

TW201842301A 位置檢測系統及處理裝置审中-公开
简体标题：位置检测系统及处理设备
公开(公告)号：TW201842301A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107111447
申请日：2018-03-31
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：杉田吉平 , SUGITA, KIPPEI , 永井健治 , NAGAI, KENJI , 木村英利 , KIMURA, HIDETOSHI
IPC分类号： G01B11/02 , G02B26/12
摘要：本發明提供一種能夠檢測聚焦環與對象物之位置關係之位置檢測系統及處理裝置。本發明之位置檢測系統具備搬送裝置、光源、至少1個光學元件、反射構件、驅動部及控制部。搬送裝置搬送對象物並使其載置於載置台上。光源產生測定光。光學元件將光源產生之測定光作為出射光出射並且入射反射光。反射構件配置於搬送裝置。反射構件將出射光朝向載置台反射，並將朝向載置台出射之出射光之反射光朝向光學元件反射。驅動部係以使反射構件對直線狀之複數個掃描範圍進行掃描的方式驅動搬送裝置。控制部基於複數個掃描範圍之反射光，算出聚焦環與載置於載置台之對象物之位置關係。
简体摘要：本发明提供一种能够检测聚焦环与对象物之位置关系之位置检测系统及处理设备。本发明之位置检测系统具备搬送设备、光源、至少1个光学组件、反射构件、驱动部及控制部。搬送设备搬送对象物并使其载置于载置台上。光源产生测定光。光学组件将光源产生之测定光作为出射光出射并且入射反射光。反射构件配置于搬送设备。反射构件将出射光朝向载置台反射，并将朝向载置台出射之出射光之反射光朝向光学组件反射。驱动部系以使反射构件对直线状之复数个扫描范围进行扫描的方式驱动搬送设备。控制部基于复数个扫描范围之反射光，算出聚焦环与载置于载置台之对象物之位置关系。

4. 发明专利

TWI697657B 用以檢查聚焦環之系統、以及檢查聚焦環之方法有权
简体标题：用以检查聚焦环之系统、以及检查聚焦环之方法
公开(公告)号：TWI697657B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW105117911
申请日：2016-06-07
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：杉田吉平 , SUGITA, KIPPEI , 南朋秀 , MINAMI, TOMOHIDE
IPC分类号： G01B7/06 , H01L21/3065

5. 发明专利

TWI523080B 成膜裝置（二）有权
简体标题：成膜设备（二）
公开(公告)号：TWI523080B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW100147613
申请日：2011-12-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長谷川陽成 , HASEGAWA, HARUNARI , 杉田吉平 , SUGITA, KIPPEI , 高橋真實 , TAKAHASHI, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C14/46
CPC分类号： B05D1/60 , B05D1/34 , H01L21/67109 , H01L21/67309 , H01L21/67757 , H01L21/68707

6. 发明专利

TW201340236A 基板收納容器审中-公开
简体标题：基板收纳容器
公开(公告)号：TW201340236A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101144208
申请日：2012-11-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：杉田吉平 , SUGITA, KIPPEI , 藤原馨 , FUJIHARA, KAORU
IPC分类号： H01L21/673 , B65D85/86
CPC分类号： H01L21/67369
摘要：提供可以防止貼合基板中之薄膜晶圓之損傷，並且可以迴避微粒污染之基板收納容器。基板收納容器(10)具有：收納在支撐基板(3)貼合薄膜晶圓(1)之貼合基板(5)的容器本體(11)；在其開口部(12)，可開關地配置開口部(12)，密閉容器本體(11)的蓋體(13)；在容器本體(11)之內壁面上配置複數的基板支撐片(15)；及各被設置在蓋體(13)之內側面及與該內側面相向之容器本體(11)之內壁面，抵接而支撐在被搬入至容器本體(11)且被載置在基板支撐片(15)上之複數貼合基板(5)之外周端面的基板支撐構件，即為與貼合基板之主表面交叉的由彈性構件所構成之基板支撐構件(16)。
简体摘要：提供可以防止贴合基板中之薄膜晶圆之损伤，并且可以回避微粒污染之基板收纳容器。基板收纳容器(10)具有：收纳在支撑基板(3)贴合薄膜晶圆(1)之贴合基板(5)的容器本体(11)；在其开口部(12)，可开关地配置开口部(12)，密闭容器本体(11)的盖体(13)；在容器本体(11)之内壁面上配置复数的基板支撑片(15)；及各被设置在盖体(13)之内侧面及与该内侧面相向之容器本体(11)之内壁面，抵接而支撑在被搬入至容器本体(11)且被载置在基板支撑片(15)上之复数贴合基板(5)之外周端面的基板支撑构件，即为与贴合基板之主表面交叉的由弹性构件所构成之基板支撑构件(16)。

7. 发明专利

TWI508170B 成膜裝置有权
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI508170B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW101101321
申请日：2012-01-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：井上三也 , INOUE, MITSUYA , 熊谷泰德 , KUMAGAI, YASUNORI , 杉田吉平 , SUGITA, KIPPEI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C14/12 , C08G73/10
CPC分类号： C23C16/4481 , B05D1/60 , C23C14/542 , C23C14/543 , C23C16/45561 , C23C16/52 , H01L21/02118 , H01L21/02263

8. 发明专利

TW201438147A 貫通柱之形成方法及電子製品之製造方法审中-公开
简体标题：贯通柱之形成方法及电子制品之制造方法
公开(公告)号：TW201438147A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103101511
申请日：2014-01-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：城俊彥 , JO, TOSHIHIKO , 杉田吉平 , SUGITA, KIPPEI , 橋本浩幸 , HASHIMOTO, HIROYUKI , 原田宗生 , HARADA, MUNEO
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/76885 , H01L23/522 , H01L25/0657 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係揭示一種貫通柱之形成方法。其中，係以包含下述步驟的方法，來形成貫通柱：從基板(1)表面，朝向該基板(1)內形成孔洞狀之凹槽(3)的步驟；在該凹槽(3)內形成第1絕緣膜(4)的步驟；在形成有該第1絕緣膜(4)的凹槽(3)內，形成作為貫通柱之導電體膜(6V)的步驟；使與該基板(1)表面相對的該基板的背面退後，並從該基板(1)背面，使在內側包覆該導電體膜(6V)的該第1絕緣膜(4)突出的步驟；在該基板(1)的背面上，及從該基板(1)背面突出的該第1絕緣膜(4)上，形成第2絕緣膜(9)的步驟；使該第2絕緣膜(9)、該第1絕緣膜(4)及該導電體膜(6V)後退，以使該導電體膜(6V)露出至外部的步驟。另外，第2絕緣膜(9)係以高分子膜所形成。
简体摘要：本发明系揭示一种贯通柱之形成方法。其中，系以包含下述步骤的方法，来形成贯通柱：从基板(1)表面，朝向该基板(1)内形成孔洞状之凹槽(3)的步骤；在该凹槽(3)内形成第1绝缘膜(4)的步骤；在形成有该第1绝缘膜(4)的凹槽(3)内，形成作为贯通柱之导电体膜(6V)的步骤；使与该基板(1)表面相对的该基板的背面退后，并从该基板(1)背面，使在内侧包覆该导电体膜(6V)的该第1绝缘膜(4)突出的步骤；在该基板(1)的背面上，及从该基板(1)背面突出的该第1绝缘膜(4)上，形成第2绝缘膜(9)的步骤；使该第2绝缘膜(9)、该第1绝缘膜(4)及该导电体膜(6V)后退，以使该导电体膜(6V)露出至外部的步骤。另外，第2绝缘膜(9)系以高分子膜所形成。

9. 发明专利

TW201809689A 取得表示靜電電容之數據的方法审中-公开
简体标题：取得表示静电电容之数据的方法
公开(公告)号：TW201809689A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106109865
申请日：2017-03-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：杉田吉平 , SUGITA, KIPPEI , 南朋秀 , MINAMI, TOMOHIDE
IPC分类号： G01R27/26
摘要：在表示測量器與聚焦環之間的靜電電容的測量數據之取得中，抑制測量器電源的消費電力。測量器之處理器會以預設的時間間隔來取得一個以上的第1數據組。各一個以上的第1數據組係包含表示測量器的一個以上的感應電極中對應的感應電極的靜電電容之複數數位值。處理器係回應於各一個以上的第1數據組所包含之複數數位值的平均值會成為第1閾值以上的情形，而取得複數第2數據組。各複數第2數據組係包含表示測量器的複數感應電極中對應的感應電極的靜電電容之複數數位值。處理器會將基於複數第2數據組的測量數據記憶於測量器之記憶裝置。接著，從腔室來將測量器搬出。
简体摘要：在表示测量器与聚焦环之间的静电电容的测量数据之取得中，抑制测量器电源的消费电力。测量器之处理器会以默认的时间间隔来取得一个以上的第1数据组。各一个以上的第1数据组系包含表示测量器的一个以上的感应电极中对应的感应电极的静电电容之复数数码值。处理器系回应于各一个以上的第1数据组所包含之复数数码值的平均值会成为第1阈值以上的情形，而取得复数第2数据组。各复数第2数据组系包含表示测量器的复数感应电极中对应的感应电极的静电电容之复数数码值。处理器会将基于复数第2数据组的测量数据记忆于测量器之记忆设备。接着，从腔室来将测量器搬出。

10. 发明专利

TW201721083A 用以檢查聚焦環之系統、以及檢查聚焦環之方法审中-公开
简体标题：用以检查聚焦环之系统、以及检查聚焦环之方法
公开(公告)号：TW201721083A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105117911
申请日：2016-06-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：杉田吉平 , SUGITA, KIPPEI , 南朋秀 , MINAMI, TOMOHIDE
IPC分类号： G01B7/06 , H01L21/3065
CPC分类号： G01N27/24 , G01R27/2605 , G01R31/265 , G01R31/2831 , G01R31/318511 , H01J37/32009 , H01J37/321 , H01J37/32211
摘要：本發明之課題係提供一種用以檢查聚焦環之系統。本發明之一實施形態之系統係具備有測定器、搬送裝置以及運算裝置。測定器具有基底基板、感應器晶片以及電路基板。感應器晶片具有感應器電極，且沿著基底基板之邊緣而設。電路基板係對感應器電極供應高頻訊號，從感應器電極之電壓振幅取得表示靜電電容之數位值。搬送裝置係使得測定器進行掃描。運算裝置係藉由對於沿著和聚焦環之內緣成為交叉之方向之複數位置上由測定器所取得之複數數位值所做差分運算，來求出複數差分值。
简体摘要：本发明之课题系提供一种用以检查聚焦环之系统。本发明之一实施形态之系统系具备有测定器、搬送设备以及运算设备。测定器具有基底基板、感应器芯片以及电路基板。感应器芯片具有感应器电极，且沿着基底基板之边缘而设。电路基板系对感应器电极供应高频信号，从感应器电极之电压振幅取得表示静电电容之数码值。搬送设备系使得测定器进行扫描。运算设备系借由对于沿着和聚焦环之内缘成为交叉之方向之复数码置上由测定器所取得之复数数码值所做差分运算，来求出复数差分值。

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