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    • 8. 发明专利
    • 圖案形成方法、樹脂組成物、電子元件的製造方法及電子元件
    • 图案形成方法、树脂组成物、电子组件的制造方法及电子组件
    • TW201439178A
    • 2014-10-16
    • TW103106370
    • 2014-02-26
    • 富士軟片股份有限公司FUJIFILM CORPORATION
    • 山口修平YAMAGUCHI, SHUHEI伊藤純一ITO, JUNICHI高橋秀知TAKAHASHI, HIDENORI
    • C08L33/04C08K5/42C08K5/435G03F7/004G03F7/038G03F7/20G03F7/26H01L21/311H01L21/027
    • G03F7/038C08L33/16C08L2203/16C08L2312/06C09D133/16G03F7/0045G03F7/0046G03F7/0397G03F7/20G03F7/325
    • 本發明提供一種線寬粗糙度等粗糙度性能、局部的圖案尺寸的均一性、及曝光寬容度優異,可抑制利用顯影所形成的圖案部的膜厚下降,即所謂的膜薄化的圖案形成方法,用於該圖案形成方法的樹脂組成物,其為感光化射線性或感放射線性,以及使用該些的電子元件的製造方法及電子元件,上述圖案形成方法包括:(i)利用樹脂組成物來形成膜的步驟,上述樹脂組成物為感光化射線性或感放射線性,包含(A)含有具有極性基由因酸的作用而分解並脫離的脫離基保護的結構的重複單元(p)的樹脂、及(B)藉由光化射線或放射線的照射而產生酸的化合物;(ii)對該膜進行曝光的步驟;以及(iii)使用包含有機溶劑的顯影液對該經曝光的膜進行顯影而形成負型的圖案的步驟;上述重複單元(p)含有具有羧基中的氫原子被因酸的作用而分解並脫離的脫離基取代的結構的重複單元(p1),且上述重複單元(p1)中的上述脫離基為具有與上述羧基中的-COO-基直接鍵結的四級碳原子、及極性基的基。
    • 本发明提供一种线宽粗糙度等粗糙度性能、局部的图案尺寸的均一性、及曝光宽容度优异,可抑制利用显影所形成的图案部的膜厚下降,即所谓的膜薄化的图案形成方法,用于该图案形成方法的树脂组成物,其为感光化射线性或感放射线性,以及使用该些的电子组件的制造方法及电子组件,上述图案形成方法包括:(i)利用树脂组成物来形成膜的步骤,上述树脂组成物为感光化射线性或感放射线性,包含(A)含有具有极性基由因酸的作用而分解并脱离的脱离基保护的结构的重复单元(p)的树脂、及(B)借由光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物;(ii)对该膜进行曝光的步骤;以及(iii)使用包含有机溶剂的显影液对该经曝光的膜进行显影而形成负型的图案的步骤;上述重复单元(p)含有具有羧基中的氢原子被因酸的作用而分解并脱离的脱离基取代的结构的重复单元(p1),且上述重复单元(p1)中的上述脱离基为具有与上述羧基中的-COO-基直接键结的四级碳原子、及极性基的基。