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1. 发明专利

TW200537776A 半導體雷射元件审中-公开
简体标题：半导体激光组件
公开(公告)号：TW200537776A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094106679
申请日：2005-03-04
申请人：日亞化學工業股份有限公司 NICHIA CORPORATION
发明人：松村拓明 MATSUMURA, HIROAKI , 小谷靖長 KOTANI, YASUHISA
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/1017 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/18 , H01S2304/12
摘要：一種半導體雷射器，其在基板(101)的主面上備有第一導電型半導體層(200)、活性層(205)、第二導電型半導體層(210)、第二導電型半導體層(210)中使條狀區域內電流狹窄而形成的波導通路區域(10)及設於對於波導通路區域(10)大致垂直的端面上的共振面(20)。在接近共振面(20)的區域中，離開波導通路區域(10)，在第二導電型半導體層(210)上形成多個凹部(110)。
简体摘要：一种半导体激光器，其在基板(101)的主面上备有第一导电型半导体层(200)、活性层(205)、第二导电型半导体层(210)、第二导电型半导体层(210)中使条状区域内电流狭窄而形成的波导通路区域(10)及设于对于波导通路区域(10)大致垂直的端面上的共振面(20)。在接近共振面(20)的区域中，离开波导通路区域(10)，在第二导电型半导体层(210)上形成多个凹部(110)。

2. 发明专利

TW200931684A 發光元件及使用其之發光裝置审中-公开
简体标题：发光组件及使用其之发光设备
公开(公告)号：TW200931684A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097136719
申请日：2008-09-24
申请人：日亞化學工業股份有限公司 NICHIA CORPORATION
发明人：松村拓明 MATSUMURA, HIROAKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/387 , H01L24/32 , H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/12035 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明一種發光元件及使用其之發光裝置,其課題乃提供將局部電流密度作為均一,對於放熱性優越之構造,進而即使在大電流區域,亦高效率的發光同時,壽命長,高信賴性之發光元件及使用其之發光裝置者。而解決手段,屬於具有於構成半導體構造(10)之第1導電型層(11)及第2導電型層(12),各自電性連接,相互對向之第1電極(21)及第2電極(21)之發光元件,其中,第1電極(21)係具備形成於位置在光取出側之第1導電型層(11)上之電極形成面(15),相互對向之一對的電極延伸部(30),針對在一對的電極延伸部(30)之對向方向,該電極延伸部(30)間之1/2的距離乃較從電極延伸部(30)至電極形成面(15)的端緣為止之距離(L2)為短者。
简体摘要：本发明一种发光组件及使用其之发光设备,其课题乃提供将局部电流密度作为均一,对于放热性优越之构造,进而即使在大电流区域,亦高效率的发光同时,寿命长,高信赖性之发光组件及使用其之发光设备者。而解决手段,属于具有于构成半导体构造(10)之第1导电型层(11)及第2导电型层(12),各自电性连接,相互对向之第1电极(21)及第2电极(21)之发光组件,其中,第1电极(21)系具备形成于位置在光取出侧之第1导电型层(11)上之电极形成面(15),相互对向之一对的电极延伸部(30),针对在一对的电极延伸部(30)之对向方向,该电极延伸部(30)间之1/2的距离乃较从电极延伸部(30)至电极形成面(15)的端缘为止之距离(L2)为短者。

3. 发明专利

TW200515665A 具有電流狹窄層之氮化物半導體雷射元件及其製造方法 NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE HAVING CURRENT BLOCKING LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有电流狭窄层之氮化物半导体激光组件及其制造方法 NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE HAVING CURRENT BLOCKING LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200515665A
公开(公告)日：2005-05-01
申请号：TW093118616
申请日：2004-06-25
申请人：日亞化學工業股份有限公司 NICHIA CORPORATION
发明人：松村拓明 MATSUMURA, HIROAKI , 柳本友彌 YANAMOTO, TOMOYA
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/223 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341
摘要： (A)在由氮化鎵系化合物半導體構成的活性層p側或n側，形成：(a)由含有A1，而且A1比率小於電流狹窄層(30)的氮化鎵系化合物半導體構成的第1半導體層(22)、(b)在第1半導體層(22)上形成的，由A1比率小於第1半導體層(22)的氮化鎵系化合物半導體構成的第2半導體層(24)、和(c)由InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦0.1,0.5≦y≦1,0.5≦x＋y≦1)構成，並具有條狀開口部的電流狹窄層；(B)通過蝕刻去除，從電流狹窄層(30)的開口部(32)中除去第2半導體層(24)。
简体摘要： (A)在由氮化镓系化合物半导体构成的活性层p侧或n侧，形成：(a)由含有A1，而且A1比率小于电流狭窄层(30)的氮化镓系化合物半导体构成的第1半导体层(22)、(b)在第1半导体层(22)上形成的，由A1比率小于第1半导体层(22)的氮化镓系化合物半导体构成的第2半导体层(24)、和(c)由InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦0.1,0.5≦y≦1,0.5≦x＋y≦1)构成，并具有条状开口部的电流狭窄层；(B)通过蚀刻去除，从电流狭窄层(30)的开口部(32)中除去第2半导体层(24)。

4. 发明专利

TW200917530A 半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW200917530A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097125072
申请日：2008-07-03
申请人：日亞化學工業股份有限公司 NICHIA CORPORATION
发明人：松村拓明 MATSUMURA, HIROAKI
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種半導體元件及其製造方法,其係不會引起來自電極之電流洩漏或元件之破壞,而光取出效率效率優良者。一種半導體發光元件,其特徵為包含:半導體發光部,其具有:第1導電型半導體層;第2導電型半導體層;及發光層,其係介設於第1導電型半導體層與第2導電型半導體層之間者;第1導電側電極,其係連接於前述第1導電型半導體層者;及第2導電側電極,其係連接於前述第2導電型半導體層者;前述第2導電側電極與覆蓋前述半導體發光部之絕緣膜,係介以分隔區域而呈分隔配設。
简体摘要：本发明提供一种半导体组件及其制造方法,其系不会引起来自电极之电流泄漏或组件之破坏,而光取出效率效率优良者。一种半导体发光组件,其特征为包含:半导体发光部,其具有:第1导电型半导体层;第2导电型半导体层;及发光层,其系介设于第1导电型半导体层与第2导电型半导体层之间者;第1导电侧电极,其系连接于前述第1导电型半导体层者;及第2导电侧电极,其系连接于前述第2导电型半导体层者;前述第2导电侧电极与覆盖前述半导体发光部之绝缘膜,系介以分隔区域而呈分隔配设。

5. 发明专利

TWI258906B 半導體雷射元件有权
简体标题：半导体激光组件
公开(公告)号：TWI258906B
公开(公告)日：2006-07-21
申请号：TW094106679
申请日：2005-03-04
申请人：日亞化學工業股份有限公司 NICHIA CORPORATION
发明人：松村拓明 MATSUMURA, HIROAKI , 小谷靖長 KOTANI, YASUHISA
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/1017 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/18 , H01S2304/12
摘要：一種半導體雷射器，其在基板(101)的主面上備有第一導電型半導體層(200)、活性層(205)、第二導電型半導體層(210)、第二導電型半導體層(210)中使條狀區域內電流狹窄而形成的波導通路區域(10)及設於對於波導通路區域(10)大致垂直的端面上的共振面(20)。在接近共振面(20)的區域中，離開波導通路區域(10)，在第二導電型半導體層(210)上形成多個凹部(110)。
简体摘要：一种半导体激光器，其在基板(101)的主面上备有第一导电型半导体层(200)、活性层(205)、第二导电型半导体层(210)、第二导电型半导体层(210)中使条状区域内电流狭窄而形成的波导通路区域(10)及设于对于波导通路区域(10)大致垂直的端面上的共振面(20)。在接近共振面(20)的区域中，离开波导通路区域(10)，在第二导电型半导体层(210)上形成多个凹部(110)。

6. 发明专利

TW200514321A 氮化物半導體雷射元件及其製造方法 NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE 审中-公开
简体标题：氮化物半导体激光组件及其制造方法 NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
公开(公告)号：TW200514321A
公开(公告)日：2005-04-16
申请号：TW093118665
申请日：2004-06-25
申请人：日亞化學工業股份有限公司 NICHIA CORPORATION
发明人：小崎德也 KOZAKI, TOKUYA , 本惠司 SAKAMOTO, KEIJI , 松村拓明 MATSUMURA, HIROAKI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/2214 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要：本發明揭示一種氮化物半導體雷射裝置及其製造方法，該裝置具有一計數器電極結構，其接觸電阻係降低。該氮化物半導體雷射裝置包括：一氮化物半導體基板，其具有該第一主要表面及該第二主要表面，一氮化物半導體層，其堆疊在該氮化物半導體基板之第一主要表面上，一脊狀長條，其形成在該氮化物半導體層中，及一共振表面，其以垂直該脊形長條長度之方向形成一光學波導，其中該氮化物半導體基板包括一第一區，其具有一(0001)面板之長晶面，及一第二區，其具有一至少與該第一區不同之長晶面，及一凹洞形成在一第一主要表面及／或一第二主要表面之第二區中。一脊形長條覆於該氮化物半導體基板之第一主要表面之上而形成。
简体摘要：本发明揭示一种氮化物半导体激光设备及其制造方法，该设备具有一计数器电极结构，其接触电阻系降低。该氮化物半导体激光设备包括：一氮化物半导体基板，其具有该第一主要表面及该第二主要表面，一氮化物半导体层，其堆栈在该氮化物半导体基板之第一主要表面上，一嵴状长条，其形成在该氮化物半导体层中，及一共振表面，其以垂直该嵴形长条长度之方向形成一光学波导，其中该氮化物半导体基板包括一第一区，其具有一(0001)皮肤之长晶面，及一第二区，其具有一至少与该第一区不同之长晶面，及一凹洞形成在一第一主要表面及／或一第二主要表面之第二区中。一嵴形长条覆于该氮化物半导体基板之第一主要表面之上而形成。

7. 发明专利

TW200505063A 氮化物半導體雷射元件审中-公开
简体标题：氮化物半导体激光组件
公开(公告)号：TW200505063A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093120761
申请日：2004-07-09
申请人：日亞化學工業股份有限公司 NICHIA CORPORATION
发明人：松村拓明 MATSUMURA, HIROAKI , 落合真尚 OCHIAI, MASANAO
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/20 , H01S5/028 , H01S5/32341
摘要：一種氮化物半導體雷射元件，係具備氮化物半導體基板、和在其上積層有n型半導體層、活性層及p型半導體層的氮化物半導體層，而在該氮化物半導體層具有帶狀雷射光的導波路區域，同時，在與該導波路區域大致垂直的兩端面具有端面保護膜。該氮化物半導體雷射元件之氮化物半導體基板具有激發區域，該激發區域得以吸收來自活性層的發光，且發出發光波長比活性層更長的激發光，而端面保護膜對來自激發區域的發光波長，具有高反射率。藉此構成，得以提供錯誤動作較少，且具有良好的FFP之氮化物半導體雷射元件。
简体摘要：一种氮化物半导体激光组件，系具备氮化物半导体基板、和在其上积层有n型半导体层、活性层及p型半导体层的氮化物半导体层，而在该氮化物半导体层具有带状激光光的导波路区域，同时，在与该导波路区域大致垂直的两端面具有端面保护膜。该氮化物半导体激光组件之氮化物半导体基板具有激发区域，该激发区域得以吸收来自活性层的发光，且发出发光波长比活性层更长的激发光，而端面保护膜对来自激发区域的发光波长，具有高反射率。借此构成，得以提供错误动作较少，且具有良好的FFP之氮化物半导体激光组件。

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