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1. 发明专利

TW201025524A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201025524A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW098133755
申请日：2009-10-05
申请人：新力股份有限公司
发明人：草野英俊
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/367 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/50 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/83 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15747 , H01L2924/16152 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/0401
摘要：本發明提供一種半導體裝置,除可充分確保基板與放熱板之接著面積外,還可消除因多餘接著材料之漏出所引起之缺陷。其具備:無芯基板2;倒裝晶片安裝於無芯基板2之半導體晶片3;及罩蓋5,其係介隔TIM材17與半導體晶片3接合,且介隔密封件18與密封樹脂層4接合,於罩蓋5之與密封樹脂層4之接合面形成複數之小凹坑16a。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备,除可充分确保基板与放热板之接着面积外,还可消除因多余接着材料之漏出所引起之缺陷。其具备:无芯基板2;倒装芯片安装于无芯基板2之半导体芯片3;及罩盖5,其系介隔TIM材17与半导体芯片3接合,且介隔密封件18与密封树脂层4接合,于罩盖5之与密封树脂层4之接合面形成复数之小凹坑16a。

2. 发明专利

TW489501B 引線架及其製造方法及半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：引线架及其制造方法及半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW489501B
公开(公告)日：2002-06-01
申请号：TW089126406
申请日：2000-12-12
申请人：新力股份有限公司
发明人：大澤健治 , 草野英俊
IPC分类号： H01L
摘要：一種引線架包括：利用一種金屬基件所形成的多條外露引線；利用一金屬鍍層形成的若干第一連接薄膜部份，每一連接薄膜部分均係配置於前述各外露引線之內，可供與每一外露引線相對應之內設接端之主要平面相互連接，另有至少一個由該金屬鍍層形成的第二連接薄膜部份，此一第二連接薄膜也是配置於各外露引線之內，與其他外露引線不相連接；以及一絕緣薄膜，用以覆蓋該第一和第二連接薄膜部份上與各該外露弓線相對應之各平面部份，用以固定第一和第二連接薄膜部份；其中與第一和第二連接薄膜部份上與該絕緣薄膜相應的各平面係用以做為半導體元件安裝平面。利用此種結構設計，該引線架可供多個半導體元件裝設於同一個半導體裝置上，而當所製造之半導體裝置變薄的同時，不致增加組裝步驟，亦不致降低裝置之可靠性及生產量。
简体摘要：一种引线架包括：利用一种金属基件所形成的多条外露引线；利用一金属镀层形成的若干第一连接薄膜部份，每一连接薄膜部分均系配置于前述各外露引线之内，可供与每一外露引线相对应之内设接端之主要平面相互连接，另有至少一个由该金属镀层形成的第二连接薄膜部份，此一第二连接薄膜也是配置于各外露引线之内，与其他外露引线不相连接；以及一绝缘薄膜，用以覆盖该第一和第二连接薄膜部份上与各该外露弓线相对应之各平面部份，用以固定第一和第二连接薄膜部份；其中与第一和第二连接薄膜部份上与该绝缘薄膜相应的各平面系用以做为半导体组件安装平面。利用此种结构设计，该引线架可供多个半导体组件装设于同一个半导体设备上，而当所制造之半导体设备变薄的同时，不致增加组装步骤，亦不致降低设备之可靠性及生产量。

4. 发明专利

TWI349346B 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI349346B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：TW096118826
申请日：2007-05-25
申请人：新力股份有限公司 , 新力電腦娛樂股份有限公司
发明人：草野英俊 , 大出知志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/4275 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/1815 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106 , H01L2924/00
摘要：本發明係以低成本提昇半導體晶片作覆晶安裝之半導體裝置的散熱性。半導體裝置包含：基板；半導體晶片，其係以表面朝下之狀態於基板作覆晶安裝者；封裝樹脂，其係成型於半導體晶片之周圍者；及相變化部，其係以可與散熱片、散熱管等散熱構件作熱性連接之方式設置於半導體晶片之背面者。藉由半導體晶片動作之熱而將相變化部熔融，藉此在提昇半導體晶片與散熱構件間之密合性的同時，並提昇半導體晶片之散熱性。
简体摘要：本发明系以低成本提升半导体芯片作覆晶安装之半导体设备的散热性。半导体设备包含：基板；半导体芯片，其系以表面朝下之状态于基板作覆晶安装者；封装树脂，其系成型于半导体芯片之周围者；及相变化部，其系以可与散热片、散热管等散热构件作热性连接之方式设置于半导体芯片之背面者。借由半导体芯片动作之热而将相变化部熔融，借此在提升半导体芯片与散热构件间之密合性的同时，并提升半导体芯片之散热性。

5. 发明专利

TWI382501B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI382501B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW096143567
申请日：2007-11-16
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION , 新力電腦娛樂股份有限公司 , SONY COMPUTER ENTERTAINMENT INC.
发明人：金山富士夫 , KANAYAMA, FUJIO , 大出知志 , OHDE, TOMOSHI , 足立充 , ADACHI, MITSURU , 新美哲永 , NIIMI, TETSUNORI , 草野英俊 , KUSANO, HIDETOSHI , 西谷祐司 , NISHITANI, YUUJI
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/48
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00

6. 发明专利

TWI379388B 半導體裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI379388B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW095141817
申请日：2006-11-10
申请人：新力股份有限公司 , 新力電腦娛樂股份有限公司
发明人：大出知志 , 金山富士夫 , 足立充 , 新美哲永 , 草野英俊 , 西谷祐司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3128 , H01L21/565 , H01L23/3737 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/50 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/1815 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要：本發明提供一種能提升經覆晶安裝之半導體晶片的散熱性之半導體裝置。半導體裝置10包含：基板20、覆晶安裝於基板20之半導體晶片30及密封半導體晶片30周圍之密封樹脂層40。在半導體晶片30周圍形成有密封半導體晶片30之密封樹脂層40。在此半導體裝置10中，半導體晶片30之背面係露出，且相對於密封樹脂層40之上面為凸部。
简体摘要：本发明提供一种能提升经覆晶安装之半导体芯片的散热性之半导体设备。半导体设备10包含：基板20、覆晶安装于基板20之半导体芯片30及密封半导体芯片30周围之密封树脂层40。在半导体芯片30周围形成有密封半导体芯片30之密封树脂层40。在此半导体设备10中，半导体芯片30之背面系露出，且相对于密封树脂层40之上面为凸部。

7. 发明专利

TWI346998B 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH COOLING EFFICIENCY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH COOLING EFFICIENCY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI346998B
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：TW096119771
申请日：2007-06-01
申请人：新力股份有限公司 , 新力電腦娛樂股份有限公司
发明人：草野英俊 , 矢澤和明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/427 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/01087 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106 , H01L2924/00012
摘要：本發明係提供一種可以提高經覆晶安裝之半導體晶片的散熱性之半導體裝置。
該半導體裝置10具備：基板20；經覆晶安裝於基板20上之半導體晶片30；密封半導體晶片30周圍之密封樹脂層40；及經由TIM層80而接合之散熱片90。再者，將冷媒98封入形成於半導體晶片30之背面上的密閉空間95內。
简体摘要：本发明系提供一种可以提高经覆晶安装之半导体芯片的散热性之半导体设备。该半导体设备10具备：基板20；经覆晶安装于基板20上之半导体芯片30；密封半导体芯片30周围之密封树脂层40；及经由TIM层80而接合之散热片90。再者，将冷媒98封入形成于半导体芯片30之背面上的密闭空间95内。

8. 发明专利

TW200307494A 撓性多層配線基板及其製造方法审中-公开
简体标题：挠性多层配线基板及其制造方法
公开(公告)号：TW200307494A
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：TW092100689
申请日：2003-01-14
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION , 大日本印刷股份有限公司 DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：草野英俊 , 久門慎兒
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/4652 , H01L23/4985 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H05K3/0035 , H05K3/0038 , H05K3/205 , H05K3/28 , H05K3/4007 , H05K3/423 , H05K3/4682 , H05K2201/0367 , H05K2203/0376 , H05K2203/0733 , H05K2203/1383 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49165
摘要：本發明係有關於簡單的製造載置半導體晶片用之多層配線基板：特別是被實施高密度配線之撓性多層配線基板(加高撓性多層配線基板)的製造方法，其手段係：以覆罩該形成於導電性基板上的第1層電路基板狀地，介著絕緣層疊層金屬箔，而以覆罩該圖樣蝕刻該金屬箔地形成的第2層電路配線地設置抗蝕刻，而對它照射雷射所形成的層連接孔中，以導電性基板做為給電層藉電解電鍍來填充導電材料由而實施第1層與第2層之電路配線的層間連接，當除去上述抗蝕劑層之後，而對於覆罩第2層電路配線地設置的絕緣層之開孔部，以導電性基板為給電層地藉電解電鍍來填充導電材料來形成外部連接端子，除去導電性基板的全部，或一部份由而露出第1層電路基板，由而可以製造出撓性多層配線基板。
简体摘要：本发明系有关于简单的制造载置半导体芯片用之多层配线基板：特别是被实施高密度配线之挠性多层配线基板(加高挠性多层配线基板)的制造方法，其手段系：以覆罩该形成于导电性基板上的第1层电路基板状地，介着绝缘层叠层金属箔，而以覆罩该图样蚀刻该金属箔地形成的第2层电路配线地设置抗蚀刻，而对它照射激光所形成的层连接孔中，以导电性基板做为给电层藉电解电镀来填充导电材料由而实施第1层与第2层之电路配线的层间连接，当除去上述抗蚀剂层之后，而对于覆罩第2层电路配线地设置的绝缘层之开孔部，以导电性基板为给电层地藉电解电镀来填充导电材料来形成外部连接端子，除去导电性基板的全部，或一部份由而露出第1层电路基板，由而可以制造出挠性多层配线基板。

9. 发明专利

TW550611B 高頻線圈裝置及其製造方法失效
简体标题：高频线圈设备及其制造方法
公开(公告)号：TW550611B
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW090118651
申请日：2001-07-31
申请人：新力股份有限公司
发明人：草野英俊
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H01F41/042 , H01F5/003 , H01F17/0006 , H01F41/041 , H01F41/122 , H01F2017/0046 , Y10T29/49002 , Y10T29/4902 , Y10T29/4906 , Y10T29/49073 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49139
摘要：一種具有線圈電感分散小並適用於GHz波段之高頻線圈裝置及製造高頻線圈裝置之方法，由一螺旋狀微螺距線圈嵌入一聚亞胺層表面當作一介電基材，因此線圈之底表面及側表面皆由聚亞胺層所覆蓋。該螺旋狀線圈具有一鎳-銅薄片結構，其中一鍍鎳層及一鍍銅層作成薄片，同時其側表面實質上是成垂直且其寬度係極準確地一致。該螺旋線圈表面，即作為上層之鍍鎳層表面，塗佈一鍍金層。
简体摘要：一种具有线圈电感分散小并适用于GHz波段之高频线圈设备及制造高频线圈设备之方法，由一螺旋状微螺距线圈嵌入一聚亚胺层表面当作一介电基材，因此线圈之底表面及侧表面皆由聚亚胺层所覆盖。该螺旋状线圈具有一镍-铜薄片结构，其中一镀镍层及一镀铜层作成薄片，同时其侧表面实质上是成垂直且其宽度系极准确地一致。该螺旋线圈表面，即作为上层之镀镍层表面，涂布一镀金层。

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