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热词
    • 2. 发明专利
    • 熱處理裝置
    • 热处理设备
    • TW201742121A
    • 2017-12-01
    • TW105141344
    • 2016-12-14
    • 斯庫林集團股份有限公司SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
    • 阿部誠ABE, MAKOTO河原崎光KAWARAZAKI, HIKARU山田隆泰YAMADA, TAKAHIRO
    • H01L21/26
    • H01L21/67115H01L21/67248H05B3/0047
    • 本發明係提供一種能夠使基板之面內溫度分佈變得均一之熱處理裝置。 本發明係對於在腔室內由保持部所保持之半導體晶圓自複數個鹵素燈HL照射鹵素光進行加熱。於鹵素燈HL與半導體晶圓之間,設置由不透明石英形成之圓筒形狀之外側遮光體21及內側遮光體23。於複數個鹵素燈HL之管壁中之與外側遮光體21之內壁面和內側遮光體23之外壁面之間之間隙對向的部位設置反射器。兩遮光體間之間隙位於半導體晶圓之周緣部之正下方,且與該周緣部對向,因此,相較自鹵素燈HL朝向半導體晶圓之中央部之光,到達容易產生溫度下降之周緣部之光之照度更高,從而能夠使半導體晶圓之面內溫度分佈變得均一。
    • 本发明系提供一种能够使基板之面内温度分布变得均一之热处理设备。 本发明系对于在腔室内由保持部所保持之半导体晶圆自复数个卤素灯HL照射卤素光进行加热。于卤素灯HL与半导体晶圆之间,设置由不透明石英形成之圆筒形状之外侧遮光体21及内侧遮光体23。于复数个卤素灯HL之管壁中之与外侧遮光体21之内壁面和内侧遮光体23之外壁面之间之间隙对向的部位设置反射器。两遮光体间之间隙位于半导体晶圆之周缘部之正下方,且与该周缘部对向,因此,相较自卤素灯HL朝向半导体晶圆之中央部之光,到达容易产生温度下降之周缘部之光之照度更高,从而能够使半导体晶圆之面内温度分布变得均一。
    • 6. 发明专利
    • 熱處理裝置
    • 热处理设备
    • TW201730969A
    • 2017-09-01
    • TW106100111
    • 2017-01-04
    • 斯庫林集團股份有限公司SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
    • 阿部誠ABE, MAKOTO
    • H01L21/324
    • H01L21/67115H05B3/0047
    • 本發明提供一種可使基板之面內溫度分佈均勻之熱處理裝置。 自複數個鹵素燈對在腔室內保持於保持部之半導體晶圓照射鹵素光而進行加熱。於複數個鹵素燈與半導體晶圓之間設置由不透明石英形成之圓筒形狀之遮光體21、及於圓環形狀之遮光環形成有切口29之遮光構件25。於鹵素燈進行半導體晶圓之光照射加熱時,出射之光被遮光體21遮蔽而於半導體晶圓形成影區域,但由於在遮光構件25形成有切口29,故而自鹵素燈出射之光通過切口29到達該影區域。因此,影區域亦與其他區域同樣地被加熱,可使光照射加熱時之半導體晶圓之面內溫度分佈均勻。
    • 本发明提供一种可使基板之面内温度分布均匀之热处理设备。 自复数个卤素灯对在腔室内保持于保持部之半导体晶圆照射卤素光而进行加热。于复数个卤素灯与半导体晶圆之间设置由不透明石英形成之圆筒形状之遮光体21、及于圆环形状之遮光环形成有切口29之遮光构件25。于卤素灯进行半导体晶圆之光照射加热时,出射之光被遮光体21屏蔽而于半导体晶圆形成影区域,但由于在遮光构件25形成有切口29,故而自卤素灯出射之光通过切口29到达该影区域。因此,影区域亦与其他区域同样地被加热,可使光照射加热时之半导体晶圆之面内温度分布均匀。