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1. 发明专利

TWI515773B 熱處理裝置有权
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TWI515773B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW102142331
申请日：2013-11-20
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部誠 , ABE, MAKOTO , 山田隆泰 , YAMADA, TAKAHIRO , 布施和彥 , FUSE, KAZUHIKO
IPC分类号： H01L21/26
CPC分类号： H01L21/68735 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/6875 , H05B3/0047

2. 发明专利

TW201812978A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201812978A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106118987
申请日：2017-06-08
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：山田隆泰 , YAMADA, TAKAHIRO , 阿部誠 , ABE, MAKOTO , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 渡辺純 , WATANABE, JUN , 宮脇真治 , MIYAWAKI, SHINJI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/477
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/67248 , H01L21/68757 , H05B3/0047
摘要：本發明提供一種能夠防止閃光照射時之基板之污染的熱處理裝置。於收容半導體晶圓W之腔室6之內壁面安裝環狀之支持部68，藉由該支持部68支持基座74。當於基座74載置半導體晶圓W時，腔室6之內側空間被分離為上部空間65與下部空間67。雖於構成腔室6之地板部之下側腔室窗64容易沈積微粒，但由於上部空間65與下部空間67分離，故而即便於閃光照射時下側腔室窗64之微粒被捲起，亦能夠防止該微粒流入至上部空間65並附著於半導體晶圓W之正面而污染該半導體晶圓W之情況。
简体摘要：本发明提供一种能够防止闪光照射时之基板之污染的热处理设备。于收容半导体晶圆W之腔室6之内壁面安装环状之支持部68，借由该支持部68支持基座74。当于基座74载置半导体晶圆W时，腔室6之内侧空间被分离为上部空间65与下部空间67。虽于构成腔室6之地板部之下侧腔室窗64容易沉积微粒，但由于上部空间65与下部空间67分离，故而即便于闪光照射时下侧腔室窗64之微粒被卷起，亦能够防止该微粒流入至上部空间65并附着于半导体晶圆W之正面而污染该半导体晶圆W之情况。

3. 发明专利

TW201742121A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201742121A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105141344
申请日：2016-12-14
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部誠 , ABE, MAKOTO , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 山田隆泰 , YAMADA, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/26
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67248 , H05B3/0047
摘要：本發明係提供一種能夠使基板之面內溫度分佈變得均一之熱處理裝置。本發明係對於在腔室內由保持部所保持之半導體晶圓自複數個鹵素燈HL照射鹵素光進行加熱。於鹵素燈HL與半導體晶圓之間，設置由不透明石英形成之圓筒形狀之外側遮光體21及內側遮光體23。於複數個鹵素燈HL之管壁中之與外側遮光體21之內壁面和內側遮光體23之外壁面之間之間隙對向的部位設置反射器。兩遮光體間之間隙位於半導體晶圓之周緣部之正下方，且與該周緣部對向，因此，相較自鹵素燈HL朝向半導體晶圓之中央部之光，到達容易產生溫度下降之周緣部之光之照度更高，從而能夠使半導體晶圓之面內溫度分佈變得均一。
简体摘要：本发明系提供一种能够使基板之面内温度分布变得均一之热处理设备。本发明系对于在腔室内由保持部所保持之半导体晶圆自复数个卤素灯HL照射卤素光进行加热。于卤素灯HL与半导体晶圆之间，设置由不透明石英形成之圆筒形状之外侧遮光体21及内侧遮光体23。于复数个卤素灯HL之管壁中之与外侧遮光体21之内壁面和内侧遮光体23之外壁面之间之间隙对向的部位设置反射器。两遮光体间之间隙位于半导体晶圆之周缘部之正下方，且与该周缘部对向，因此，相较自卤素灯HL朝向半导体晶圆之中央部之光，到达容易产生温度下降之周缘部之光之照度更高，从而能够使半导体晶圆之面内温度分布变得均一。

4. 发明专利

TWI642136B 熱處理裝置有权
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TWI642136B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW106118987
申请日：2017-06-08
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：山田隆泰 , YAMADA, TAKAHIRO , 阿部誠 , ABE, MAKOTO , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 渡辺純 , WATANABE, JUN , 宮脇真治 , MIYAWAKI, SHINJI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/477

5. 发明专利

TWI638390B 熱處理裝置有权
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TWI638390B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW105141344
申请日：2016-12-14
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部誠 , ABE, MAKOTO , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 山田隆泰 , YAMADA, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/26

6. 发明专利

TWI650039B 熱處理裝置有权
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TWI650039B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW105106577
申请日：2016-03-03
申请人：日商思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部誠 , ABE, MAKOTO , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H05B3/00 , F27D11/12 , F27B17/00 , H01L21/26

7. 发明专利

TWI607508B 熱處理裝置有权
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TWI607508B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106100111
申请日：2017-01-04
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部誠 , ABE, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67115 , H05B3/0047

8. 发明专利

TW201730969A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201730969A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106100111
申请日：2017-01-04
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部誠 , ABE, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67115 , H05B3/0047
摘要：本發明提供一種可使基板之面內溫度分佈均勻之熱處理裝置。自複數個鹵素燈對在腔室內保持於保持部之半導體晶圓照射鹵素光而進行加熱。於複數個鹵素燈與半導體晶圓之間設置由不透明石英形成之圓筒形狀之遮光體21、及於圓環形狀之遮光環形成有切口29之遮光構件25。於鹵素燈進行半導體晶圓之光照射加熱時，出射之光被遮光體21遮蔽而於半導體晶圓形成影區域，但由於在遮光構件25形成有切口29，故而自鹵素燈出射之光通過切口29到達該影區域。因此，影區域亦與其他區域同樣地被加熱，可使光照射加熱時之半導體晶圓之面內溫度分佈均勻。
简体摘要：本发明提供一种可使基板之面内温度分布均匀之热处理设备。自复数个卤素灯对在腔室内保持于保持部之半导体晶圆照射卤素光而进行加热。于复数个卤素灯与半导体晶圆之间设置由不透明石英形成之圆筒形状之遮光体21、及于圆环形状之遮光环形成有切口29之遮光构件25。于卤素灯进行半导体晶圆之光照射加热时，出射之光被遮光体21屏蔽而于半导体晶圆形成影区域，但由于在遮光构件25形成有切口29，故而自卤素灯出射之光通过切口29到达该影区域。因此，影区域亦与其他区域同样地被加热，可使光照射加热时之半导体晶圆之面内温度分布均匀。

9. 发明专利

TW201705811A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201705811A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105106577
申请日：2016-03-03
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部誠 , ABE, MAKOTO , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H05B3/00 , F27D11/12 , F27B17/00
CPC分类号： H05B3/0047 , F27B17/0025 , F27D11/12 , H01L21/67115
摘要：本發明提供一種可使基板之面內溫度分佈均勻之熱處理裝置。自複數個鹵素燈HL對腔室內由保持部保持之半導體晶圓W照射鹵素光而進行加熱。於鹵素燈HL與半導體晶圓W之間，設置由不透明石英形成之圓筒形狀之遮光體21及圓環形狀之遮光構件25。遮光構件25之外徑小於遮光體21之內徑。自鹵素燈HL出射並透過遮光體21之內壁面與遮光構件25之外周之間所產生之間隙的光被照射至容易產生溫度下降之半導體晶圓W之周緣部。另一方面，朝向過熱區域之光被遮光構件25遮蔽，上述過熱區域係於僅設置遮光體21時產生於半導體晶圓W之面內且溫度較其他區域更高。
简体摘要：本发明提供一种可使基板之面内温度分布均匀之热处理设备。自复数个卤素灯HL对腔室内由保持部保持之半导体晶圆W照射卤素光而进行加热。于卤素灯HL与半导体晶圆W之间，设置由不透明石英形成之圆筒形状之遮光体21及圆环形状之遮光构件25。遮光构件25之外径小于遮光体21之内径。自卤素灯HL出射并透过遮光体21之内壁面与遮光构件25之外周之间所产生之间隙的光被照射至容易产生温度下降之半导体晶圆W之周缘部。另一方面，朝向过热区域之光被遮光构件25屏蔽，上述过热区域系于仅设置遮光体21时产生于半导体晶圆W之面内且温度较其他区域更高。

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