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1. 发明专利

TWI574338B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI574338B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104127199
申请日：2015-08-20
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 江戸徹 , EDO, TORU , 菅原雄二 , SUGAHARA, YUJI , 阿野誠士 , ANO, SEIJI , 澤島隼 , SAWASHIMA, JUN
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/30604 , B08B1/04 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/04 , H01L21/02052 , H01L21/67017 , H01L21/67023 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/6715

2. 发明专利

TW201614755A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201614755A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104127199
申请日：2015-08-20
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 江戸徹 , EDO, TORU , 菅原雄二 , SUGAHARA, YUJI , 阿野誠士 , ANO, SEIJI , 澤島隼 , SAWASHIMA, JUN
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/30604 , B08B1/04 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/04 , H01L21/02052 , H01L21/67017 , H01L21/67023 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/6715
摘要：本發明之目的在於一方面抑制處理殘渣之產生，並抑制濺液之產生。基板處理裝置包含：基板之旋轉保持部；第1噴嘴，其於大致鉛垂方向噴射處理液之液滴噴流；第2噴嘴，其噴出處理液之連續流；及噴嘴移動部，其使第1噴嘴與第2噴嘴一體地移動。當第1噴嘴位於基板之周緣部之上方時，連續流之著液位置位於較液滴噴流之著液位置更靠近旋轉中心側。而且，液滴噴流之著液位置與連續流之著液位置兩者之移動路徑、和連續流與液滴噴流兩者之流動方向中之至少一者不同。兩者之移動路徑之不同係由於當第1噴嘴位於基板之周緣部之上方時，連續流之著液位置位於較液滴噴流之著液位置之移動路徑更靠近旋轉中心之下游側所致；兩者之流動方向之不同係由於連續流相對於鉛垂方向傾斜所致。
简体摘要：本发明之目的在于一方面抑制处理残渣之产生，并抑制溅液之产生。基板处理设备包含：基板之旋转保持部；第1喷嘴，其于大致铅垂方向喷射处理液之液滴喷流；第2喷嘴，其喷出处理液之连续流；及喷嘴移动部，其使第1喷嘴与第2喷嘴一体地移动。当第1喷嘴位于基板之周缘部之上方时，连续流之着液位置位于较液滴喷流之着液位置更靠近旋转中心侧。而且，液滴喷流之着液位置与连续流之着液位置两者之移动路径、和连续流与液滴喷流两者之流动方向中之至少一者不同。两者之移动路径之不同系由于当第1喷嘴位于基板之周缘部之上方时，连续流之着液位置位于较液滴喷流之着液位置之移动路径更靠近旋转中心之下游侧所致；两者之流动方向之不同系由于连续流相对于铅垂方向倾斜所致。

3. 发明专利

TWI672730B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI672730B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW104110120
申请日：2015-03-27
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿野誠士 , ANO, SEIJI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/308

4. 发明专利

TW201603115A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201603115A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104110120
申请日：2015-03-27
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿野誠士 , ANO, SEIJI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/31133 , G03F7/42 , G03F7/423 , H01L21/67017 , H01L21/67051
摘要：本發明之目的係防止於進行利用處理液之處理時因電荷之移動導致之基板之損傷。於基板處理裝置中，藉由二氧化碳溶解單元控制二氧化碳相對於去離子水之溶解量，將去靜電液之比電阻設為期望比電阻。繼而，藉由去靜電液供給部將比電阻大於SPM液之去靜電液藉由去靜電液噴嘴以液滴狀態供給至基板上。藉由液滴狀態之去靜電液陸續與基板之上表面整體接觸，基板相對較緩慢地被去靜電。然後，於去靜電處理結束後，藉由處理液供給部對基板上供給SPM液而進行SPM處理。藉此，可防止於SPM處理時大量之電荷自基板向SPM液急遽地移動，從而可防止基板之損傷。又，藉由將去靜電液之比電阻維持為期望比電阻，可於不產生基板之損傷之範圍內提昇基板之去靜電效率，從而縮短去靜電處理所需要之時間。
简体摘要：本发明之目的系防止于进行利用处理液之处理时因电荷之移动导致之基板之损伤。于基板处理设备中，借由二氧化碳溶解单元控制二氧化碳相对于去离子水之溶解量，将去静电液之比电阻设为期望比电阻。继而，借由去静电液供给部将比电阻大于SPM液之去静电液借由去静电液喷嘴以液滴状态供给至基板上。借由液滴状态之去静电液陆续与基板之上表面整体接触，基板相对较缓慢地被去静电。然后，于去静电处理结束后，借由处理液供给部对基板上供给SPM液而进行SPM处理。借此，可防止于SPM处理时大量之电荷自基板向SPM液急遽地移动，从而可防止基板之损伤。又，借由将去静电液之比电阻维持为期望比电阻，可于不产生基板之损伤之范围内提升基板之去静电效率，从而缩短去静电处理所需要之时间。

5. 发明专利

TWI671140B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI671140B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW106109952
申请日：2017-03-24
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：柴山宣之 , SHIBAYAMA, NOBUYUKI , 林昌之 , HAYASHI, MASAYUKI , 阿野誠士 , ANO, SEIJI , 江戶徹 , EDO, TORU
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/30

6. 发明专利

TWI668781B 除電裝置及除電方法有权
简体标题：除电设备及除电方法
公开(公告)号：TWI668781B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW106142691
申请日：2017-12-06
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：田中孝佳 , TANAKA, TAKAYOSHI , 阿野誠士 , ANO, SEIJI
IPC分类号： H01L21/67 , H05F3/06

7. 发明专利

TW201738004A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201738004A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106109952
申请日：2017-03-24
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：柴山宣之 , SHIBAYAMA, NOBUYUKI , 林昌之 , HAYASHI, MASAYUKI , 阿野誠士 , ANO, SEIJI , 江戶徹 , EDO, TORU
IPC分类号： B08B3/08 , H01L21/30
摘要：本發明之基板處理方法，係包含：含臭氧氫氟酸溶液吐出步驟，係對保持於基板保持單元之基板之一主面，由噴嘴吐出於氫氟酸溶液中溶解有臭氧的含臭氧氫氟酸溶液；以及刷洗淨步驟，係在上述含臭氧氫氟酸溶液吐出步驟後、或與上述含臭氧氫氟酸溶液吐出步驟並行，使洗淨刷抵接上述基板之上述一主面而對該一主面進行洗淨。
简体摘要：本发明之基板处理方法，系包含：含臭氧氢氟酸溶液吐出步骤，系对保持于基板保持单元之基板之一主面，由喷嘴吐出于氢氟酸溶液中溶解有臭氧的含臭氧氢氟酸溶液；以及刷洗净步骤，系在上述含臭氧氢氟酸溶液吐出步骤后、或与上述含臭氧氢氟酸溶液吐出步骤并行，使洗净刷抵接上述基板之上述一主面而对该一主面进行洗净。

8. 发明专利

TW202004983A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW202004983A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118198
申请日：2019-05-27
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：遠藤亨 , ENDO, TORU , 林昌之 , HAYASHI, MASAYUKI , 柴山宣之 , SHIBAYAMA, NOBUYUKI , 菅原雄二 , SUGAHARA, YUJI , 東克栄 , HIGASHI, KATSUEI , 阿野誠士 , ANO, SEIJI
IPC分类号： H01L21/683
摘要：本發明之基板處理方法包含：第1夾持步驟，其係與淋洗步驟及旋轉乾燥步驟中之至少一者並行地，一面使至少3個第2夾持部自基板之周緣部離開一面使至少3個第1夾持部與基板之周緣部接觸，藉此，實現藉由第1夾持單元夾持基板且不藉由第2夾持單元夾持上述基板之第1夾持狀態，並維持該第1夾持狀態特定之第1期間；及第2夾持步驟，其係於上述第1夾持步驟之後，與上述旋轉乾燥步驟並行地，一面使上述至少3個第1夾持部自上述基板之周緣部離開一面使上述至少3個第2夾持部與上述基板之周緣部接觸，藉此，實現藉由上述第2夾持單元夾持上述基板且不藉由上述第1夾持單元夾持上述基板之第2夾持狀態，並維持該第2夾持狀態特定之第2期間。
简体摘要：本发明之基板处理方法包含：第1夹持步骤，其系与淋洗步骤及旋转干燥步骤中之至少一者并行地，一面使至少3个第2夹持部自基板之周缘部离开一面使至少3个第1夹持部与基板之周缘部接触，借此，实现借由第1夹持单元夹持基板且不借由第2夹持单元夹持上述基板之第1夹持状态，并维持该第1夹持状态特定之第1期间；及第2夹持步骤，其系于上述第1夹持步骤之后，与上述旋转干燥步骤并行地，一面使上述至少3个第1夹持部自上述基板之周缘部离开一面使上述至少3个第2夹持部与上述基板之周缘部接触，借此，实现借由上述第2夹持单元夹持上述基板且不借由上述第1夹持单元夹持上述基板之第2夹持状态，并维持该第2夹持状态特定之第2期间。

9. 发明专利

TW201841284A 除電裝置及除電方法审中-公开
简体标题：除电设备及除电方法
公开(公告)号：TW201841284A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106142691
申请日：2017-12-06
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：田中孝佳 , TANAKA, TAKAYOSHI , 阿野誠士 , ANO, SEIJI
IPC分类号： H01L21/67 , H05F3/06
摘要：本發明之課題在於提供一種可根據基板主面之各區域適當地降低蓄積於基板主面之電荷之量的除電裝置。本發明之除電裝置10對帶電之基板W1進行降低其帶電量之處理。除電裝置10具備基板保持機構1與紫外線照射機構2。基板保持機構1保持基板W1。紫外線照射機構2可以於分割基板W1之主面之複數個區域的每一者不同的照射量對基板之主面照射紫外線。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可根据基板主面之各区域适当地降低蓄积于基板主面之电荷之量的除电设备。本发明之除电设备10对带电之基板W1进行降低其带电量之处理。除电设备10具备基板保持机构1与紫外线照射机构2。基板保持机构1保持基板W1。紫外线照射机构2可以于分割基板W1之主面之复数个区域的每一者不同的照射量对基板之主面照射紫外线。

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