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1. 发明专利

TWI567853B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI567853B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW104121538
申请日：2015-07-02
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 江戸徹 , EDO, TORU , 澤島隼 , SAWASHIMA, JUN , 下村辰美 , SHIMOMURA, TATSUMI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/30
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/02019 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/26

2. 发明专利

TWI574338B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI574338B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104127199
申请日：2015-08-20
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 江戸徹 , EDO, TORU , 菅原雄二 , SUGAHARA, YUJI , 阿野誠士 , ANO, SEIJI , 澤島隼 , SAWASHIMA, JUN
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/30604 , B08B1/04 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/04 , H01L21/02052 , H01L21/67017 , H01L21/67023 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/6715

3. 发明专利

TW201614755A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201614755A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104127199
申请日：2015-08-20
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 江戸徹 , EDO, TORU , 菅原雄二 , SUGAHARA, YUJI , 阿野誠士 , ANO, SEIJI , 澤島隼 , SAWASHIMA, JUN
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/30604 , B08B1/04 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/04 , H01L21/02052 , H01L21/67017 , H01L21/67023 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/6715
摘要：本發明之目的在於一方面抑制處理殘渣之產生，並抑制濺液之產生。基板處理裝置包含：基板之旋轉保持部；第1噴嘴，其於大致鉛垂方向噴射處理液之液滴噴流；第2噴嘴，其噴出處理液之連續流；及噴嘴移動部，其使第1噴嘴與第2噴嘴一體地移動。當第1噴嘴位於基板之周緣部之上方時，連續流之著液位置位於較液滴噴流之著液位置更靠近旋轉中心側。而且，液滴噴流之著液位置與連續流之著液位置兩者之移動路徑、和連續流與液滴噴流兩者之流動方向中之至少一者不同。兩者之移動路徑之不同係由於當第1噴嘴位於基板之周緣部之上方時，連續流之著液位置位於較液滴噴流之著液位置之移動路徑更靠近旋轉中心之下游側所致；兩者之流動方向之不同係由於連續流相對於鉛垂方向傾斜所致。
简体摘要：本发明之目的在于一方面抑制处理残渣之产生，并抑制溅液之产生。基板处理设备包含：基板之旋转保持部；第1喷嘴，其于大致铅垂方向喷射处理液之液滴喷流；第2喷嘴，其喷出处理液之连续流；及喷嘴移动部，其使第1喷嘴与第2喷嘴一体地移动。当第1喷嘴位于基板之周缘部之上方时，连续流之着液位置位于较液滴喷流之着液位置更靠近旋转中心侧。而且，液滴喷流之着液位置与连续流之着液位置两者之移动路径、和连续流与液滴喷流两者之流动方向中之至少一者不同。两者之移动路径之不同系由于当第1喷嘴位于基板之周缘部之上方时，连续流之着液位置位于较液滴喷流之着液位置之移动路径更靠近旋转中心之下游侧所致；两者之流动方向之不同系由于连续流相对于铅垂方向倾斜所致。

4. 发明专利

TW201606911A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201606911A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104121538
申请日：2015-07-02
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 江戸徹 , EDO, TORU , 澤島隼 , SAWASHIMA, JUN , 下村辰美 , SHIMOMURA, TATSUMI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/30
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/02019 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/26
摘要：低成本地抑制基板之所期望之處理量與實際處理量之差異、及基板各部分之處理量之不均該兩者。基板處理裝置包括：旋轉保持部，其一面保持基板，一面使該基板旋轉；第1供給源，其供給第1溫度之第1純水；第2供給源，其供給較第1溫度更高之第2溫度之第2純水；配管系統，其將第1純水分配為一方之第1純水與另一方之第1純水而加以導引；處理液供給部，其將混合有一方之第1純水與藥液之處理液供給至基板之上表面之中央區域；第1供給部，其將主要包含另一方之第1純水之第1液體供給至基板之下表面之中央區域；第2供給部，其將主要包含自第2供給源供給之第2純水之第2液體，分別供給至基板之下表面之周邊區域與中間區域；及熱量控制部，以能夠變更基板之徑向之溫度分佈之方式，獨立地控制第1供給部所供給之熱量、與第2供給部所供給之熱量。
简体摘要：低成本地抑制基板之所期望之处理量与实际处理量之差异、及基板各部分之处理量之不均该两者。基板处理设备包括：旋转保持部，其一面保持基板，一面使该基板旋转；第1供给源，其供给第1温度之第1纯水；第2供给源，其供给较第1温度更高之第2温度之第2纯水；配管系统，其将第1纯水分配为一方之第1纯水与另一方之第1纯水而加以导引；处理液供给部，其将混合有一方之第1纯水与药液之处理液供给至基板之上表面之中央区域；第1供给部，其将主要包含另一方之第1纯水之第1液体供给至基板之下表面之中央区域；第2供给部，其将主要包含自第2供给源供给之第2纯水之第2液体，分别供给至基板之下表面之周边区域与中间区域；及热量控制部，以能够变更基板之径向之温度分布之方式，独立地控制第1供给部所供给之热量、与第2供给部所供给之热量。

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