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    • 9. 发明专利
    • 銀微粒子及其製造方法,及含有該銀微粒子之電糊,導電性膜及電子裝置
    • 银微粒子及其制造方法,及含有该银微粒子之电煳,导电性膜及电子设备
    • TW201124215A
    • 2011-07-16
    • TW099133531
    • 2010-10-01
    • 戶田工業股份有限公司
    • 柿原康男大杉峰子森井弘子林一之
    • B22FH01B
    • H01B1/22B22F1/0018B22F9/24B82Y30/00C22C5/06
    • 本發明係提供一種銀微粒子之製造方法,係將使用硝酸銀與水溶性或水可溶性之沸點為200℃以下之胺之一種以上調製而成之硝酸銀之胺絡物錯合物之醇溶液,添加於將抗壞血酸或異抗壞血酸(Erythorbic acid)溶解於水-醇混合溶劑中並經還原析出,將所得銀粒子分離‧洗淨後,在溫度30℃以下經真空乾燥或真空冷凍乾燥,可獲得平均粒徑(DSEM)為30~100nm,多結晶化度[平均粒徑(DSEM)與結晶子徑(DX)之比(DSEM/DX)]為2.8以上之銀微粒子。所得銀微粒子適合作為可低溫燒成之電糊等之原料,且為平均粒徑30~100nm之經多結晶化之銀微粒子。
    • 本发明系提供一种银微粒子之制造方法,系将使用硝酸银与水溶性或水可溶性之沸点为200℃以下之胺之一种以上调制而成之硝酸银之胺络物错合物之醇溶液,添加于将抗坏血酸或异抗坏血酸(Erythorbic acid)溶解于水-醇混合溶剂中并经还原析出,将所得银粒子分离‧洗净后,在温度30℃以下经真空干燥或真空冷冻干燥,可获得平均粒径(DSEM)为30~100nm,多结晶化度[平均粒径(DSEM)与结晶子径(DX)之比(DSEM/DX)]为2.8以上之银微粒子。所得银微粒子适合作为可低温烧成之电煳等之原料,且为平均粒径30~100nm之经多结晶化之银微粒子。