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1. 发明专利

TWI687549B 用於高深寬比溝槽的均等鎢蝕刻有权
简体标题：用于高深宽比沟槽的均等钨蚀刻
公开(公告)号：TWI687549B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW103141629
申请日：2014-12-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王希坤 , WANG, XIKUN , 劉杰 , LIU, JIE , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K.
IPC分类号： C23F4/00 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/46

2. 发明专利

TWI674628B 氮化鈦移除有权
简体标题：氮化钛移除
公开(公告)号：TWI674628B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW105101133
申请日：2016-01-14
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王希昆 , WANG,XIKUN , 帕迪特瑪達爾 , PANDIT, MANDAR , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K.
IPC分类号： H01L21/311

3. 发明专利

TW201732925A 用於選擇性乾式蝕刻的方法及設備审中-公开
简体标题：用于选择性干式蚀刻的方法及设备
公开(公告)号：TW201732925A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106107932
申请日：2017-03-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：李寧 , LI, NING , 巴賽諾米海拉 , BALSEANU, MIHAELA , 夏立群 , XIA, LI-QUN , 楊冬青 , YANG, DONGQING , 王安川 , WANG, ANCHUAN
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45519 , C23C16/45551 , C23C16/45555 , C23C16/56 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L29/6653
摘要：用於形成間隔物的方法包含以下步驟：在特徵的頂部、底部、及側壁上沉積膜，以及對膜加工，以改變特徵的頂部與底部上的膜的性質。相對於特徵的側壁上的膜，使用高強度電漿對特徵的頂部與底部上的膜選擇性乾式蝕刻。
简体摘要：用于形成间隔物的方法包含以下步骤：在特征的顶部、底部、及侧壁上沉积膜，以及对膜加工，以改变特征的顶部与底部上的膜的性质。相对于特征的侧壁上的膜，使用高强度等离子对特征的顶部与底部上的膜选择性干式蚀刻。

4. 发明专利

TW201631693A 自對準製程审中-公开
简体标题：自对准制程
公开(公告)号：TW201631693A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105100582
申请日：2016-01-08
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帕迪特瑪達爾B , PANDIT, MANDAR B. , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K.
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32412 , H01J37/32357 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31155 , H01L21/76825 , H01L21/76897
摘要：在圖案化基材上形成自對準結構的方法係被描述。此方法可用以形成金屬線或通孔，而不需要一單獨的光微影圖案定義操作的使用。自對準接觸件可被製造，無論間隙壁構件是否存在。此方法包括方向性地離子佈植一間隙填充氧化矽層的一間隙填充部分，以佈植到間隙填充部分內，而不實質上離子佈植間隙填充氧化矽層的剩餘部分(側壁)。然後，使用一含氟前驅物來形成一遠端電漿以蝕刻圖案化基材，以致氧化矽的間隙填充部分相對於其他暴露部分而選擇性地被蝕刻，其中該其他暴露部分係平行於離子佈植方向。沒有離子佈植，由於蝕刻製程期間電漿激發的遠端本質，蝕刻操作將是等向性的。
简体摘要：在图案化基材上形成自对准结构的方法系被描述。此方法可用以形成金属线或通孔，而不需要一单独的光微影图案定义操作的使用。自对准接触件可被制造，无论间隙壁构件是否存在。此方法包括方向性地离子布植一间隙填充氧化硅层的一间隙填充部分，以布植到间隙填充部分内，而不实质上离子布植间隙填充氧化硅层的剩余部分(侧壁)。然后，使用一含氟前驱物来形成一远程等离子以蚀刻图案化基材，以致氧化硅的间隙填充部分相对于其他暴露部分而选择性地被蚀刻，其中该其他暴露部分系平行于离子布植方向。没有离子布植，由于蚀刻制程期间等离子激发的远程本质，蚀刻操作将是等向性的。

5. 发明专利

TW201403707A 蝕刻殘留物的移除审中-公开
简体标题：蚀刻残留物的移除
公开(公告)号：TW201403707A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102115437
申请日：2013-04-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：任河 , REN, HE , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 王安川 , WANG, ANCHUAN
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0206 , H01J37/32357 , H01L21/76814
摘要：茲描述自經圖案化介電層的垂直壁移除殘留聚合物的方法。所述方法涉及使用氣相蝕刻來移除殘留聚合物而不會實質上干擾經圖案化介電層。可將氣相蝕刻用於經圖案化低-K介電層並可維持經圖案化介電層的低介電常數。氣相蝕刻可進一步藉由避免使用液體蝕刻劑(液體蝕刻劑的表面張力可能擾動精巧的低-K特徵結構)，來避免對經圖案化低-K介電層施加應力。氣相蝕刻可進一步避免形成同樣會使精巧特徵結構變形的固體蝕刻副產物。
简体摘要：兹描述自经图案化介电层的垂直壁移除残留聚合物的方法。所述方法涉及使用气相蚀刻来移除残留聚合物而不会实质上干扰经图案化介电层。可将气相蚀刻用于经图案化低-K介电层并可维持经图案化介电层的低介电常数。气相蚀刻可进一步借由避免使用液体蚀刻剂(液体蚀刻剂的表面张力可能扰动精巧的低-K特征结构)，来避免对经图案化低-K介电层施加应力。气相蚀刻可进一步避免形成同样会使精巧特征结构变形的固体蚀刻副产物。

6. 发明专利

TW201306125A 灰化後側壁修復审中-公开
简体标题：灰化后侧壁修复
公开(公告)号：TW201306125A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100126021
申请日：2011-07-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：邱正建 , CUI, ZHENJIANG , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 奈克曼呼 , NAIK, MEHUL , 茵可尼汀 , INGLE, NITIN , 李永 , LEE, YOUNG , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/027
摘要：本發明描述了降低存在於一積體電路的兩個導電組件之間的有效介電常數的方法。該等方法涉及使用一氣相蝕刻，該氣相蝕刻對於低K電介質層的富氧部分是選擇性的。當該蝕刻工藝穿過相對高K富氧部分到達該低K部分時，蝕刻速率減弱。因為該氣相蝕刻工藝不容易移除該所需的低K部分，所以很容易時間控制該蝕刻工藝。
简体摘要：本发明描述了降低存在于一集成电路的两个导电组件之间的有效介电常数的方法。该等方法涉及使用一气相蚀刻，该气相蚀刻对于低K电介质层的富氧部分是选择性的。当该蚀刻工艺穿过相对高K富氧部分到达该低K部分时，蚀刻速率减弱。因为该气相蚀刻工艺不容易移除该所需的低K部分，所以很容易时间控制该蚀刻工艺。

7. 发明专利

TWI618144B 氮化鈦之選擇性移除有权
简体标题：氮化钛之选择性移除
公开(公告)号：TWI618144B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW103107465
申请日：2014-03-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王希昆 , WANG, XIKUN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01L21/02068 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/32135 , H01L21/4814

9. 发明专利

TW201729283A 氧化矽的自對準遮蔽审中-公开
简体标题：氧化硅的自对准屏蔽
公开(公告)号：TW201729283A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105136349
申请日：2016-11-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王非 , WANG, FEI , 柯羅立克米克海爾 , KOROLIK, MIKHAIL , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 維瑟爾羅伯特詹 , VISSER, ROBERT JAN
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/0337 , H01L21/3105 , H01L21/31144
摘要：本文描述蝕刻氮化矽比蝕刻矽或氧化矽快的方法。亦描述將額外材料選擇性沉積至氮化矽上的方法。氮化矽與氧化矽的暴露部分可皆存在於圖案化基材上。自組裝單層（SAM）選擇性地沉積覆於氧化矽上但不在暴露的氮化矽上。自組裝單層的分子包括頭部基團與尾部基團，該頭部基團在該暴露的氧化矽部分上以OH基形成鍵結，而該尾部基團延伸遠離該圖案化基材。之後可使用後續對蝕刻劑或沉積前驅物的暴露，以選擇性移除氮化矽或於氮化矽上選擇性沉積額外材料。
简体摘要：本文描述蚀刻氮化硅比蚀刻硅或氧化硅快的方法。亦描述将额外材料选择性沉积至氮化硅上的方法。氮化硅与氧化硅的暴露部分可皆存在于图案化基材上。自组装单层（SAM）选择性地沉积覆于氧化硅上但不在暴露的氮化硅上。自组装单层的分子包括头部基团与尾部基团，该头部基团在该暴露的氧化硅部分上以OH基形成键结，而该尾部基团延伸远离该图案化基材。之后可使用后续对蚀刻剂或沉积前驱物的暴露，以选择性移除氮化硅或于氮化硅上选择性沉积额外材料。

10. 发明专利

TWI555079B 用於矽膜的選擇性蝕刻有权
简体标题：用于硅膜的选择性蚀刻
公开(公告)号：TWI555079B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW100116201
申请日：2011-05-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：張景春 , ZHANG, JINGCHUN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 茵可尼汀K , INGLE, NITIN K.
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/32137 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/31116 , H01L21/32136

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