基本信息:
- 专利标题: 清潔高深寬比通孔
- 专利标题(英):CLEANING HIGH ASPECT RATIO VIAS
- 专利标题(中):清洁高深宽比通孔
- 申请号:TW105110593 申请日:2016-04-01
- 公开(公告)号:TWI671786B 公开(公告)日:2019-09-11
- 发明人: 劉杰 , LIU, JIE , 朴勝 , PARK, SEUNG , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 崔振江 , CUI, ZHENJIANG , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K.
- 申请人: 美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人: 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人: 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人: 李世章; 彭國洋
- 优先权: 14/695,392 20150424
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; H01L21/3065 ; H01L21/308 ; H01L21/311 ; H01L27/115
公开/授权文献:
- TW201709267A 清潔高深寬比通孔 公开/授权日:2017-03-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |