专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TWI368663B 用於濺鍍腔室之標靶與製程套件部件 TARGET AND PROCESS KIT COMPONENTS FOR SPUTTERING CHAMBER 有权
简体标题：用于溅镀腔室之标靶与制程套件部件 TARGET AND PROCESS KIT COMPONENTS FOR SPUTTERING CHAMBER
公开(公告)号：TWI368663B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW095143095
申请日：2006-11-21
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：利奇艾倫亞力山大 , 楊唐尼 , 洪益詠李察 , 史奇寶凱薩琳A , 凱爾卡尤梅西
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/32477 , H01J37/34 , H01J37/3408 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01J37/3497
摘要：本發明公開了一種濺鍍腔室，該濺鍍腔室具有包括背板和濺鍍板的濺鍍靶材。背板具有凹槽。濺鍍板包含一具有平面的柱狀臺面和圍繞該柱狀臺面的環形傾斜邊。在一個實施態樣中中，背板包含具有高熱導率和低電阻率的材料。在另一實施態樣中，背板包含具有單個凹槽或多個凹槽的背面。用於濺鍍腔室的製程套件包含沉積環、覆蓋環和護板組件，用於放置在濺鍍腔室中基材支架附近。
简体摘要：本发明公开了一种溅镀腔室，该溅镀腔室具有包括背板和溅镀板的溅镀靶材。背板具有凹槽。溅镀板包含一具有平面的柱状台面和围绕该柱状台面的环形倾斜边。在一个实施态样中中，背板包含具有高热导率和低电阻率的材料。在另一实施态样中，背板包含具有单个凹槽或多个凹槽的背面。用于溅镀腔室的制程套件包含沉积环、覆盖环和护板组件，用于放置在溅镀腔室中基材支架附近。

3. 发明专利

TWI596225B 具有電漿限制間隙的處理套件有权
简体标题：具有等离子限制间隙的处理套件
公开(公告)号：TWI596225B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW102110921
申请日：2013-03-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：利奇艾倫 , RITCHIE, ALAN , 楊唐尼 , YOUNG DONNY
IPC分类号： C23C14/56
CPC分类号： C23C14/34 , H01J37/32495 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/3405

4. 发明专利

TWI521081B 具有中心饋送射頻能量的用於物理氣相沉積的裝置有权
简体标题：具有中心馈送射频能量的用于物理气相沉积的设备
公开(公告)号：TWI521081B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW100109194
申请日：2011-03-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉許德幕哈瑪德 , RASHEED, MUHAMMAD , 華瑞恰克拉拉 , HAWRYLCHAK, LARA , 卡克斯麥克S , COX, MICHAEL S. , 楊唐尼 , YOUNG, DONNY , 沙芬戴亞基倫古莫 , SAVANDAIAH, KIRANKUMAR , 利奇艾倫 , RITCHIE, ALAN
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/35 , C23C14/40
CPC分类号： H01J37/3405 , H01J37/3411

5. 发明专利

TW201348488A 具有電漿限制間隙的處理套件审中-公开
简体标题：具有等离子限制间隙的处理套件
公开(公告)号：TW201348488A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102110921
申请日：2013-03-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：利奇艾倫 , RITCHIE, ALAN , 楊唐尼 , YOUNG DONNY
IPC分类号： C23C14/56
CPC分类号： C23C14/34 , H01J37/32495 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/3405
摘要：在此提供處理基材的設備。在某些實施例中，一設備包含一處理套件，該處理套件含有一擋板，該擋板擁有經配置以圍繞一第一空間的一或多個側壁，該第一空間係設置在一製程腔室的內部空間內；以及一第一環，該第一環係可移動地介於一第一位置與一第二位置之間，其中在該第一位置時，該第一環係擱置在該擋板上，而在該第二位置時，一間隙係形成在該第一環的外表面與該一或多個側壁的內表面之間，其中該間隙的寬度係低於約兩倍電漿鞘寬度，就在約40MHz或更高的頻率以及約140毫托耳或更低的壓力下形成的電漿而言。
简体摘要：在此提供处理基材的设备。在某些实施例中，一设备包含一处理套件，该处理套件含有一挡板，该挡板拥有经配置以围绕一第一空间的一或多个侧壁，该第一空间系设置在一制程腔室的内部空间内；以及一第一环，该第一环系可移动地介于一第一位置与一第二位置之间，其中在该第一位置时，该第一环系搁置在该挡板上，而在该第二位置时，一间隙系形成在该第一环的外表面与该一或多个侧壁的内表面之间，其中该间隙的宽度系低于约两倍等离子鞘宽度，就在约40MHz或更高的频率以及约140毫托耳或更低的压力下形成的等离子而言。

6. 发明专利

TW201716614A 具可變電容調節器與回饋電路之物理氣相沉積审中-公开
简体标题：具可变电容调节器与回馈电路之物理气相沉积
公开(公告)号：TW201716614A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW106103449
申请日：2011-03-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉許德幕哈瑪德M , RASHEED,MUHAMMAD M. , 帝鐸雷諾D , DEDORE,RONALD D. , 卡克斯麥克S , COX,MICHAEL S. , 米勒凱斯A , MILLER,KEITH A. , 楊唐尼 , YOUNG,DONNY , 福斯特約翰C , FORSTER,JOHN C. , 艾倫阿道夫M , ALLEN,ADOLPH M. , 華瑞恰克拉拉 , HAWRYLCHAK,LARA
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3444 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/3438
摘要：本案提供用以在基座所支撐的晶圓上執行電漿處理之設備及方法。該設備可包含一基座、一可變電容器、一馬達、一馬達控制器以及一來自該可變電容器的輸出，該基座上可支撐晶圓，該可變電容器具有可變的電容量，該馬達附接至該可變電容器並可改變該可變電容器之電容量，該馬達控制器連接至該馬達以使該馬達旋轉，並且來自該可變電容器的輸出係連接至該基座。該可變電容器的一期望狀態與一製程控制器中的一製程方法相關。當執行該製程方法時，該可變電容器處於該期望狀態。
简体摘要：本案提供用以在基座所支撑的晶圆上运行等离子处理之设备及方法。该设备可包含一基座、一可变电容器、一马达、一马达控制器以及一来自该可变电容器的输出，该基座上可支撑晶圆，该可变电容器具有可变的电容量，该马达附接至该可变电容器并可改变该可变电容器之电容量，该马达控制器连接至该马达以使该马达旋转，并且来自该可变电容器的输出系连接至该基座。该可变电容器的一期望状态与一制程控制器中的一制程方法相关。当运行该制程方法时，该可变电容器处于该期望状态。

7. 发明专利

TWI494454B 用於射頻物理氣相沉積之製程套組有权
简体标题：用于射频物理气相沉积之制程套组
公开(公告)号：TWI494454B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW098114656
申请日：2009-05-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：楊唐尼 , YOUNG, DONNY , 華瑞恰克拉拉 , HAWRYLCHAK, LARA
IPC分类号： C23C14/35 , H05H1/00
CPC分类号： H01J37/32651 , C23C14/35 , H01J37/32082 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/3441

8. 发明专利

TW201439358A 用於自我定心的製程屏蔽之物理氣相沉積目標审中-公开
简体标题：用于自我定心的制程屏蔽之物理气相沉积目标
公开(公告)号：TW201439358A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103108704
申请日：2014-03-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：吉留剛一 , YOSHIDOME, GOICHI , 韓森萊恩 , HANSON, RYAN , 楊唐尼 , YOUNG, DONNY , 拉許德幕哈瑪德 , RASHEED, MUHAMMAD , 米勒凱斯A , MILLER, KEITH A.
IPC分类号： C23C14/56
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/3414 , H01J37/3435 , Y10T428/218 , Y10T428/219
摘要：在一些實施例中，一種供具有製程屏蔽的基板處理腔室中使用的目標組件可包括：背板，具有第一側及相對的第二側，其中該第二側包含具有第一直徑的第一表面，藉由第一邊緣約束該第一表面；目標材料，具有黏合至背板之第一表面的第一側；其中第一邊緣為背板與目標材料之間的一界面；及複數個槽縫，沿背板之外部週邊安置以在使用期間相對於製程屏蔽對準目標組件，其中在背板之第一側中形成複數個槽縫及該等複數個槽縫僅部分延伸至背板中。
简体摘要：在一些实施例中，一种供具有制程屏蔽的基板处理腔室中使用的目标组件可包括：背板，具有第一侧及相对的第二侧，其中该第二侧包含具有第一直径的第一表面，借由第一边缘约束该第一表面；目标材料，具有黏合至背板之第一表面的第一侧；其中第一边缘为背板与目标材料之间的一界面；及复数个槽缝，沿背板之外部周边安置以在使用期间相对于制程屏蔽对准目标组件，其中在背板之第一侧中形成复数个槽缝及该等复数个槽缝仅部分延伸至背板中。

9. 发明专利

TW201204855A 具可變電容調節器與回饋電路之物理氣相沉積 PHYSICAL VAPOR DEPOSITION WITH A VARIABLE CAPACITIVE TUNER AND FEEDBACK CIRCUIT 审中-公开
简体标题：具可变电容调节器与回馈电路之物理气相沉积 PHYSICAL VAPOR DEPOSITION WITH A VARIABLE CAPACITIVE TUNER AND FEEDBACK CIRCUIT
公开(公告)号：TW201204855A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100106716
申请日：2011-03-01
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：拉許德幕哈瑪德M , 帝鐸雷諾D , 卡克斯麥克S , 米勒凱斯A , 楊唐尼 , 福斯特約翰C , 艾倫阿道夫M , 華瑞恰克拉拉
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3444 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/3438
摘要：本案提供用以在基座所支撐的晶圓上執行電漿處理之設備及方法。該設備可包含一基座、一可變電容器、一馬達、一馬達控制器以及一來自該可變電容器的輸出，該基座上可支撐晶圓，該可變電容器具有可變的電容量，該馬達附接至該可變電容器並可改變該可變電容器之電容量，該馬達控制器連接至該馬達以使該馬達旋轉，並且來自該可變電容器的輸出係連接至該基座。該可變電容器的一期望狀態與一製程控制器中的一製程方法相關。當執行該製程方法時，該可變電容器處於該期望狀態。
简体摘要：本案提供用以在基座所支撑的晶圆上运行等离子处理之设备及方法。该设备可包含一基座、一可变电容器、一马达、一马达控制器以及一来自该可变电容器的输出，该基座上可支撑晶圆，该可变电容器具有可变的电容量，该马达附接至该可变电容器并可改变该可变电容器之电容量，该马达控制器连接至该马达以使该马达旋转，并且来自该可变电容器的输出系连接至该基座。该可变电容器的一期望状态与一制程控制器中的一制程方法相关。当运行该制程方法时，该可变电容器处于该期望状态。

10. 发明专利

TWI607109B 用於自我定心的製程屏蔽之物理氣相沉積目標有权
简体标题：用于自我定心的制程屏蔽之物理气相沉积目标
公开(公告)号：TWI607109B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW103108704
申请日：2014-03-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：吉留剛一 , YOSHIDOME, GOICHI , 韓森萊恩 , HANSON, RYAN , 楊唐尼 , YOUNG, DONNY , 拉許德幕哈瑪德 , RASHEED, MUHAMMAD , 米勒凱斯A , MILLER, KEITH A.
IPC分类号： C23C14/56
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/3414 , H01J37/3435 , Y10T428/218 , Y10T428/219

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式