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1. 发明专利

TWI690993B 成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI690993B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW106140127
申请日：2017-11-20
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：隣嘉津彦 , TONARI, KAZUHIKO
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C14/08 , C23C14/22

2. 发明专利

TW201826388A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201826388A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106140127
申请日：2017-11-20
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：隣嘉津彦 , TONARI, KAZUHIKO
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C14/08 , C23C14/22
摘要：一種成膜裝置及成膜方法，能對積層界面抑制膜以外的成分之夾設。在成膜裝置中，真空槽係具有劃定電漿形成空間且包含石英的隔壁。附著防止板係設置於隔壁的至少一部分與電漿形成空間之間，且包含氧化釔、氮化矽及碳化矽之至少一個。支撐台係可以載置基板，前述基板設置有具有底部和側壁之溝渠或孔。電漿產生源係使已導入於電漿形成空間之包含矽的成膜氣體之第一電漿產生，藉此在底部及側壁形成包含矽的半導體膜。電漿產生源係使已導入於電漿形成空間之包含鹵素的蝕刻氣體之第二電漿產生，藉此選擇性地去除形成於側壁的上述半導體膜。控制部係可以切換第一電漿之產生和第二電漿之產生。
简体摘要：一种成膜设备及成膜方法，能对积层界面抑制膜以外的成分之夹设。在成膜设备中，真空槽系具有划定等离子形成空间且包含石英的隔壁。附着防止板系设置于隔壁的至少一部分与等离子形成空间之间，且包含氧化钇、氮化硅及碳化硅之至少一个。支撑台系可以载置基板，前述基板设置有具有底部和侧壁之沟渠或孔。等离子产生源系使已导入于等离子形成空间之包含硅的成膜气体之第一等离子产生，借此在底部及侧壁形成包含硅的半导体膜。等离子产生源系使已导入于等离子形成空间之包含卤素的蚀刻气体之第二等离子产生，借此选择性地去除形成于侧壁的上述半导体膜。控制部系可以切换第一等离子之产生和第二等离子之产生。

3. 发明专利

TW201526235A 絕緣閘極雙極性電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：绝缘闸极双极性晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201526235A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103142681
申请日：2014-12-08
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：鄰嘉津彦 , TONARI, KAZUHIKO , 中川明夫 , NAKAGAWA, AKIO , 横尾秀和 , YOKOO, HIDEKAZU , 鈴木英夫 , SUZUKI, HIDEO
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/8222
CPC分类号： H01L29/7397 , C30B15/00 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/324 , H01L29/0638 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/66348 , H01L29/78
摘要：本發明提供一種能實現元件的進一步細微化或高品質化之絕緣閘極雙極性電晶體的製造方法。本發明的實施形態之一的絕緣閘極雙極性電晶體的製造方法係包含有準備以MCZ法所製作的第一導電型的半導體基板。於上述半導體基板的第一表面形成第二導電型的基極層12、第一導電型的射極區域13、以及閘極電極14。加工上述半導體基板的第二表面藉此將上述半導體基板薄化，並於經過薄化的上述第二表面植入硼，藉此形成第二導電型的集極層15。在為上述半導體基板的內部且為與集極層15的鄰接區域植入氫，藉此形成雜質濃度比上述半導體基板還高之第一導電型的緩衝層16。
简体摘要：本发明提供一种能实现组件的进一步细微化或高品质化之绝缘闸极双极性晶体管的制造方法。本发明的实施形态之一的绝缘闸极双极性晶体管的制造方法系包含有准备以MCZ法所制作的第一导电型的半导体基板。于上述半导体基板的第一表面形成第二导电型的基极层12、第一导电型的射极区域13、以及闸极电极14。加工上述半导体基板的第二表面借此将上述半导体基板薄化，并于经过薄化的上述第二表面植入硼，借此形成第二导电型的集极层15。在为上述半导体基板的内部且为与集极层15的邻接区域植入氢，借此形成杂质浓度比上述半导体基板还高之第一导电型的缓冲层16。

4. 发明专利

TW201829831A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201829831A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106126805
申请日：2017-08-08
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：鄰嘉津彦 , TONARI, KAZUHIKO , 鈴木康司 , SUZUKI, KOUJI
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/3065
摘要：本發明涉及成膜方法及成膜裝置。課題在於，提供對於形成於溝槽等內的膜而言不形成空隙地在溝槽等內埋入膜的成膜方法。本發明的一方式的成膜方法包括以下工序：通過在設置有具有底部和側壁的溝槽或孔的基板的表面產生包含矽的成膜氣體的等離子體，從而在上述底部及上述側壁形成包含矽的第1半導體膜。形成於上述側壁的上述第1半導體膜通過在上述基板的上述表面產生包含鹵素的蝕刻氣體的等離子體而被選擇性除去。通過在上述基板的上述表面產生第1等離子體，從而在上述底部及上述側壁形成第2半導體膜。
简体摘要：本发明涉及成膜方法及成膜设备。课题在于，提供对于形成于沟槽等内的膜而言不形成空隙地在沟槽等内埋入膜的成膜方法。本发明的一方式的成膜方法包括以下工序：通过在设置有具有底部和侧壁的沟槽或孔的基板的表面产生包含硅的成膜气体的等离子体，从而在上述底部及上述侧壁形成包含硅的第1半导体膜。形成于上述侧壁的上述第1半导体膜通过在上述基板的上述表面产生包含卤素的蚀刻气体的等离子体而被选择性除去。通过在上述基板的上述表面产生第1等离子体，从而在上述底部及上述侧壁形成第2半导体膜。

5. 发明专利

TWI574408B 絕緣閘極雙極性電晶體及其製造方法有权
简体标题：绝缘闸极双极性晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI574408B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW103142681
申请日：2014-12-08
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：鄰嘉津彦 , TONARI, KAZUHIKO , 中川明夫 , NAKAGAWA, AKIO , 横尾秀和 , YOKOO, HIDEKAZU , 鈴木英夫 , SUZUKI, HIDEO
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/8222
CPC分类号： H01L29/7397 , C30B15/00 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/324 , H01L29/0638 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/66348 , H01L29/78

6. 发明专利

TW201535483A 電漿摻雜裝置及電漿摻雜方法审中-公开
简体标题：等离子掺杂设备及等离子掺杂方法
公开(公告)号：TW201535483A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103144095
申请日：2014-12-17
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：鄰嘉津彦 , TONARI, KAZUHIKO , 鈴木康司 , SUZUKI, KOUJI
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/32522 , H01J37/32412 , H01J37/32477 , H01L21/2236
摘要：本發明提供一種能重現性佳地將摻雜物摻雜至半導體基板之電漿摻雜裝置及電漿摻雜方法。本發明的實施形態之一的電漿摻雜方法係將被處理基板載置於設置在腔室內部的工作台，且將用以在腔室的內部區劃電漿形成空間之間隔壁加熱至超過300℃的溫度，並於電漿形成空間形成包含至少含有磷的摻雜物之氣體的電漿，藉此將摻雜物植入至被處理基板。藉此，能抑制放電生成物附著及堆積至間隔壁，且能重現性佳地將摻雜物摻雜至半導體基板。
简体摘要：本发明提供一种能重现性佳地将掺杂物掺杂至半导体基板之等离子掺杂设备及等离子掺杂方法。本发明的实施形态之一的等离子掺杂方法系将被处理基板载置于设置在腔室内部的工作台，且将用以在腔室的内部区划等离子形成空间之间隔壁加热至超过300℃的温度，并于等离子形成空间形成包含至少含有磷的掺杂物之气体的等离子，借此将掺杂物植入至被处理基板。借此，能抑制放电生成物附着及堆积至间隔壁，且能重现性佳地将掺杂物掺杂至半导体基板。

7. 发明专利

TWI500074B 電漿摻雜方法及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：等离子掺杂方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI500074B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW098127277
申请日：2009-08-13
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：隣嘉津彥 , TONARI, KAZUHIKO , 西橋勉 , NISHIHASHI, TSUTOMU
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01L21/2236 , H01L29/6659 , H01L29/7833

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