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1. 发明专利

TW201731119A HBC型結晶系太陽電池之製造方法及製造裝置审中-公开
简体标题： HBC型结晶系太阳电池之制造方法及制造设备
公开(公告)号：TW201731119A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105132205
申请日：2016-10-05
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：田中美和 , TANAKA, MIWA , 酒田現示 , SAKATA, GENJI , 三浦真 , MIURA, SHIN , 山崎嘉文 , YAMAZAKI, YOSHIFUMI , 橫尾秀和 , YOKOO, HIDEKAZU , 西橋勉 , NISHIHASHI, TSUTOMU , 山口昇 , YAMAGUCHI, NOBORU
IPC分类号： H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要：本發明之HBC型結晶系太陽電池之製造方法係使用具有非受光面且包含第一導電型之結晶系矽之基板，以覆蓋上述基板之上述非受光面之方式形成i型非晶Si層，對上述非晶Si層，藉由利用遮罩之雜質導入法，於相互隔開之位置形成導電型與上述第一導電型相同之第1部位及導電型與上述第一導電型不同之第2部位，並對導入雜質後之上述非晶Si層實施退火處理。形成上述第1部位及上述第2部位之步驟包含：第1步驟，其形成上述第1部位之指狀部；第2步驟，其形成上述第1部位之匯流排部；第3步驟，其形成上述第2部位之指狀部；及第4步驟，其形成上述第2部位之匯流排部。
简体摘要：本发明之HBC型结晶系太阳电池之制造方法系使用具有非受光面且包含第一导电型之结晶系硅之基板，以覆盖上述基板之上述非受光面之方式形成i型非晶Si层，对上述非晶Si层，借由利用遮罩之杂质导入法，于相互隔开之位置形成导电型与上述第一导电型相同之第1部位及导电型与上述第一导电型不同之第2部位，并对导入杂质后之上述非晶Si层实施退火处理。形成上述第1部位及上述第2部位之步骤包含：第1步骤，其形成上述第1部位之指状部；第2步骤，其形成上述第1部位之总线部；第3步骤，其形成上述第2部位之指状部；及第4步骤，其形成上述第2部位之总线部。

2. 发明专利

TWI423295B 離子注入裝置有权
简体标题：离子注入设备
公开(公告)号：TWI423295B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW096105640
申请日：2007-02-15
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：小方誠司 , OGATA, SEIJI , 福井了太 , FUKUI, RYOTA , 橫尾秀和 , YOKOO, HIDEKAZU , 西橋勉 , NISHIHASHI, TSUTOMU
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/05 , H01J2237/083 , H01J2237/31703

3. 发明专利

TW201724547A HBC型結晶系太陽電池及其製造方法审中-公开
简体标题： HBC型结晶系太阳电池及其制造方法
公开(公告)号：TW201724547A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105132207
申请日：2016-10-05
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：田中美和 , TANAKA, MIWA , 酒田現示 , SAKATA, GENJI , 三浦真 , MIURA, SHIN , 山崎嘉文 , YAMAZAKI, YOSHIFUMI , 橫尾秀和 , YOKOO, HIDEKAZU , 西橋勉 , NISHIHASHI, TSUTOMU , 山口昇 , YAMAGUCHI, NOBORU
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0747 , Y02E10/50
摘要：本發明之HBC型結晶系太陽電池具備：基板，其具有供光入射之第1面、及位於與上述第1面為相反側之第2面，且包含表現光電轉換功能之第一導電型之結晶系矽；及i型非晶Si層，其以覆蓋上述基板之上述第2面之方式配置。以內置於上述非晶Si層且於上述非晶Si層之外表面側露出一部分之方式，相互隔開地配置有導電型與上述第一導電型相同之第1部位及導電型與上述第一導電型不同之第2部位。
简体摘要：本发明之HBC型结晶系太阳电池具备：基板，其具有供光入射之第1面、及位于与上述第1面为相反侧之第2面，且包含表现光电转换功能之第一导电型之结晶系硅；及i型非晶Si层，其以覆盖上述基板之上述第2面之方式配置。以内置于上述非晶Si层且于上述非晶Si层之外表面侧露出一部分之方式，相互隔开地配置有导电型与上述第一导电型相同之第1部位及导电型与上述第一导电型不同之第2部位。

4. 发明专利

TWI500074B 電漿摻雜方法及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：等离子掺杂方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI500074B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW098127277
申请日：2009-08-13
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：隣嘉津彥 , TONARI, KAZUHIKO , 西橋勉 , NISHIHASHI, TSUTOMU
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01L21/2236 , H01L29/6659 , H01L29/7833

5. 发明专利

TW201013755A 電漿摻雜方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：等离子掺杂方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201013755A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098127277
申请日：2009-08-13
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：隣嘉津彥 , 西橋勉
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01L21/2236 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要：提供一種能夠將雜質均一地導入至處理對象物內之電漿摻雜方法。產生身為包含有p型雜質之硼的二硼烷氣體與身為稀有氣體的氬氣的電漿，且並不對矽基板（13）施加偏壓電位，而將該電漿中之硼自由基（21）堆積在矽基板（13）之表面上。而後，停止二硼烷氣體之供給，並且對矽基板（13）施加偏壓電位，藉由此，而將電漿中之氬離子（22）照射至矽基板（13）表面上。藉由使所照射之氬離子（22）與硼自由基相衝突，硼自由基（21）係被導入至矽基板（13）內。藉由以熱處理來將所導入之硼自由基（21）活性化，在矽基板（13）內係被形成有p型雜質擴散層（23）。
简体摘要：提供一种能够将杂质均一地导入至处理对象物内之等离子掺杂方法。产生身为包含有p型杂质之硼的二硼烷气体与身为稀有气体的氩气的等离子，且并不对硅基板（13）施加偏压电位，而将该等离子中之硼自由基（21）堆积在硅基板（13）之表面上。而后，停止二硼烷气体之供给，并且对硅基板（13）施加偏压电位，借由此，而将等离子中之氩离子（22）照射至硅基板（13）表面上。借由使所照射之氩离子（22）与硼自由基相冲突，硼自由基（21）系被导入至硅基板（13）内。借由以热处理来将所导入之硼自由基（21）活性化，在硅基板（13）内系被形成有p型杂质扩散层（23）。

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