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    • 2. 发明专利
    • 電漿摻雜方法及半導體裝置之製造方法
    • 等离子掺杂方法及半导体设备之制造方法
    • TW201013755A
    • 2010-04-01
    • TW098127277
    • 2009-08-13
    • 愛發科股份有限公司
    • 隣嘉津彥西橋勉
    • H01LH01J
    • H01L21/2236H01L29/6659H01L29/7833
    • 提供一種能夠將雜質均一地導入至處理對象物內之電漿摻雜方法。產生身為包含有p型雜質之硼的二硼烷氣體與身為稀有氣體的氬氣的電漿,且並不對矽基板(13)施加偏壓電位,而將該電漿中之硼自由基(21)堆積在矽基板(13)之表面上。而後,停止二硼烷氣體之供給,並且對矽基板(13)施加偏壓電位,藉由此,而將電漿中之氬離子(22)照射至矽基板(13)表面上。藉由使所照射之氬離子(22)與硼自由基相衝突,硼自由基(21)係被導入至矽基板(13)內。藉由以熱處理來將所導入之硼自由基(21)活性化,在矽基板(13)內係被形成有p型雜質擴散層(23)。
    • 提供一种能够将杂质均一地导入至处理对象物内之等离子掺杂方法。产生身为包含有p型杂质之硼的二硼烷气体与身为稀有气体的氩气的等离子,且并不对硅基板(13)施加偏压电位,而将该等离子中之硼自由基(21)堆积在硅基板(13)之表面上。而后,停止二硼烷气体之供给,并且对硅基板(13)施加偏压电位,借由此,而将等离子中之氩离子(22)照射至硅基板(13)表面上。借由使所照射之氩离子(22)与硼自由基相冲突,硼自由基(21)系被导入至硅基板(13)内。借由以热处理来将所导入之硼自由基(21)活性化,在硅基板(13)内系被形成有p型杂质扩散层(23)。