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2. 发明专利

TW201013755A 電漿摻雜方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：等离子掺杂方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201013755A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098127277
申请日：2009-08-13
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：隣嘉津彥 , 西橋勉
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01L21/2236 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要：提供一種能夠將雜質均一地導入至處理對象物內之電漿摻雜方法。產生身為包含有p型雜質之硼的二硼烷氣體與身為稀有氣體的氬氣的電漿，且並不對矽基板（13）施加偏壓電位，而將該電漿中之硼自由基（21）堆積在矽基板（13）之表面上。而後，停止二硼烷氣體之供給，並且對矽基板（13）施加偏壓電位，藉由此，而將電漿中之氬離子（22）照射至矽基板（13）表面上。藉由使所照射之氬離子（22）與硼自由基相衝突，硼自由基（21）係被導入至矽基板（13）內。藉由以熱處理來將所導入之硼自由基（21）活性化，在矽基板（13）內係被形成有p型雜質擴散層（23）。
简体摘要：提供一种能够将杂质均一地导入至处理对象物内之等离子掺杂方法。产生身为包含有p型杂质之硼的二硼烷气体与身为稀有气体的氩气的等离子，且并不对硅基板（13）施加偏压电位，而将该等离子中之硼自由基（21）堆积在硅基板（13）之表面上。而后，停止二硼烷气体之供给，并且对硅基板（13）施加偏压电位，借由此，而将等离子中之氩离子（22）照射至硅基板（13）表面上。借由使所照射之氩离子（22）与硼自由基相冲突，硼自由基（21）系被导入至硅基板（13）内。借由以热处理来将所导入之硼自由基（21）活性化，在硅基板（13）内系被形成有p型杂质扩散层（23）。

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