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1. 发明专利

TW202031097A 真空處理裝置及真空處理裝置之清潔方法审中-公开
简体标题：真空处理设备及真空处理设备之清洁方法
公开(公告)号：TW202031097A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108148190
申请日：2019-12-27
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：宮谷武尚 , MIYAYA, TAKEHISA , 神保洋介 , JIMBO, YOSUKE , 山本良明 , YAMAMOTO, YOSHIAKI , 江藤謙次 , ETO, KENJI , 阿部洋一 , ABE, YOICHI
IPC分类号： H05H1/42 , H05H7/14 , C23C16/54
摘要：本發明之真空處理裝置係進行電漿處理之真空處理裝置。真空處理裝置具有：電極凸緣，其連接於高頻電源；簇射板，其與上述電極凸緣離開而對向，與上述電極凸緣一起作為陰極；絕緣隔板，其設置於上述簇射板之周圍；處理室，其於上述簇射板之與上述電極凸緣相反側配置被處理基板；電極框，其安裝於上述電極凸緣之上述簇射板側；及滑動板，其安裝於上述簇射板之成為上述電極框側之周緣部。上述電極框與上述滑動板可對應於上述簇射板升降溫時產生之熱變形而滑動，且由上述簇射板、上述電極凸緣及上述電極框包圍之空間可密封。上述簇射板藉由貫通設置於上述簇射板之周緣部之長孔之支持構件而受上述電極框支持。上述長孔形成為可供上述支持構件對應於上述簇射板升降溫時產生之熱變形而於上述長孔內相對移動。於上述長孔設有與上述長孔連通而供給淨化氣體之氣孔。上述氣孔與由上述簇射板、上述電極凸緣、上述電極框及上述滑動板包圍之空間連通。
简体摘要：本发明之真空处理设备系进行等离子处理之真空处理设备。真空处理设备具有：电极凸缘，其连接于高频电源；簇射板，其与上述电极凸缘离开而对向，与上述电极凸缘一起作为阴极；绝缘隔板，其设置于上述簇射板之周围；处理室，其于上述簇射板之与上述电极凸缘相反侧配置被处理基板；电极框，其安装于上述电极凸缘之上述簇射板侧；及滑动板，其安装于上述簇射板之成为上述电极框侧之周缘部。上述电极框与上述滑动板可对应于上述簇射板升降温时产生之热变形而滑动，且由上述簇射板、上述电极凸缘及上述电极框包围之空间可密封。上述簇射板借由贯通设置于上述簇射板之周缘部之长孔之支持构件而受上述电极框支持。上述长孔形成为可供上述支持构件对应于上述簇射板升降温时产生之热变形而于上述长孔内相对移动。于上述长孔设有与上述长孔连通而供给净化气体之气孔。上述气孔与由上述簇射板、上述电极凸缘、上述电极框及上述滑动板包围之空间连通。

2. 发明专利

TWI682485B 升降銷及真空處理裝置有权
简体标题：升降销及真空处理设备
公开(公告)号：TWI682485B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107127647
申请日：2018-08-08
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：山本良明 , YAMAMOTO, YOSHIAKI , 神保洋介 , JINBO, YOSUKE , 宮谷武尚 , MIYAYA, TAKEHISA , 江藤謙次 , ETO, KENJI , 阿部洋一 , ABE, YOICHI
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687

3. 发明专利

TW201808056A 成膜用遮罩以及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜用遮罩以及成膜设备
公开(公告)号：TW201808056A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106114300
申请日：2017-04-28
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：藤井嚴 , FUJII, GEN , 江藤謙次 , ETOU, KENJI , 阿部洋一 , ABE, YOUICHI , 神保洋介 , JINBO, YOUSUKE
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/04 , C23C14/04
CPC分类号： C23C14/04 , C23C16/04 , H05H1/46
摘要：本發明之一形態之成膜用遮罩具備一對第一板部、及一對第二板部。上述一對第一板部具有一對第一內周緣部、及一對第一外周緣部。上述一對第一內周緣部係分別具有於第一軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之第一彎曲部。上述一對第一外周緣部係於上述第一軸向上分別與上述一對第一內周緣部對向。上述一對第二板部具有一對第二內周緣部、及一對第二外周緣部。上述一對第二內周緣部係分別具有於第二軸方向上對向且朝向彼此離開之方向凸出之形狀之第二彎曲部。上述一對第二外周緣部係於上述第二軸方向上分別與上述一對第二內周緣部對向。
简体摘要：本发明之一形态之成膜用遮罩具备一对第一板部、及一对第二板部。上述一对第一板部具有一对第一内周缘部、及一对第一外周缘部。上述一对第一内周缘部系分别具有于第一轴方向上对向且朝向彼此离开之方向凸出之形状之第一弯曲部。上述一对第一外周缘部系于上述第一轴向上分别与上述一对第一内周缘部对向。上述一对第二板部具有一对第二内周缘部、及一对第二外周缘部。上述一对第二内周缘部系分别具有于第二轴方向上对向且朝向彼此离开之方向凸出之形状之第二弯曲部。上述一对第二外周缘部系于上述第二轴方向上分别与上述一对第二内周缘部对向。

4. 发明专利

TWI499353B 光罩有权
公开(公告)号：TWI499353B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW099116671
申请日：2010-05-25
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：加藤裕子 , KATO, YUKO , 菊池正志 , KIKUCHI, MASASHI , 龜崎厚治 , KAMESAKI, KOUJI , 岡山智彥 , OKAYAMA, TOMOHIKO , 堀英介 , HORI, EISUKE , 清水美穗 , SHIMIZU, MIHO , 阿部慶子 , ABE, KEIKO , 下田圭介 , SHIMODA, KEISUKE , 江藤謙次 , ETOU, KENJI
IPC分类号： H05B33/10 , C23C14/04 , C23C16/04 , H01L51/56
CPC分类号： C23C16/042 , C23C14/042 , H01J37/32091 , H01J37/32623

5. 发明专利

TW201807768A 基板搬送機器人、真空處理裝置审中-公开
简体标题：基板搬送机器人、真空处理设备
公开(公告)号：TW201807768A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106122561
申请日：2017-07-31
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：神保洋介 , JINBO, YOSUKE , 江藤謙次 , ETO, KENJI , 藤井厳 , FUJII, GEN
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/68
摘要：本發明提供一種即使沒有對手臂的末端進行檢測也能進行基板的準確移動的基板搬送機器人。以在支承板(41)上配置石英板(42)的方式構成手臂(40)的定位指部(55)，在石英板(42)的根部部分處設置被固定於支承板(41)的固定部(50)。石英板(42)的固定部(50)以外的部分未被固定於支承板(41)，即使被加熱以致支承板(41)延伸，石英板(42)也不會延伸，被設置於石英板(42)的末端的末端側限位器(56)不會因為熱膨脹而移動。
简体摘要：本发明提供一种即使没有对手臂的末端进行检测也能进行基板的准确移动的基板搬送机器人。以在支承板(41)上配置石英板(42)的方式构成手臂(40)的定位指部(55)，在石英板(42)的根部部分处设置被固定于支承板(41)的固定部(50)。石英板(42)的固定部(50)以外的部分未被固定于支承板(41)，即使被加热以致支承板(41)延伸，石英板(42)也不会延伸，被设置于石英板(42)的末端的末端侧限位器(56)不会因为热膨胀而移动。

6. 发明专利

TWI419993B 電漿化學氣相沉積裝置有权
简体标题：等离子化学气相沉积设备
公开(公告)号：TWI419993B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW099100799
申请日：2010-01-13
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：新井進 , ARAI, SUSUMU , 江藤謙次 , ETO, KENJI
IPC分类号： C23C16/50
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J2237/3321

7. 发明专利

TWI689062B 加熱基底及處理裝置有权
简体标题：加热基底及处理设备
公开(公告)号：TWI689062B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW108101777
申请日：2019-01-17
申请人：日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：宮谷武尚 , MIYAYA, TAKEHISA , 神保洋介 , JIMBO, YOSUKE , 山本良明 , YAMAMOTO, YOSHIAKI , 江藤謙次 , ETO, KENJI , 阿部洋一 , ABE, YOICHI
IPC分类号： H01L23/34 , H05B1/00

8. 发明专利

TWI414628B 電漿處理裝置及電漿ＣＶＤ成膜方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子ＣＶＤ成膜方法
公开(公告)号：TWI414628B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW099100101
申请日：2010-01-05
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：若松貞次 , WAKAMATSU, SADATSUGU , 龜崎厚治 , KAMESAKI, KOJI , 菊池正志 , KIKUCHI, MASASHI , 神保洋介 , JIMBO, YOSUKE , 江藤謙次 , ETO, KENJI , 淺利伸 , ASARI, SHIN , 內田寬人 , UCHIDA, HIROTO
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/44
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/02532 , H01L21/0262

9. 发明专利

TW201201316A 具有對位功能之基板載置裝置、及具有該基板載置裝置之成膜裝置 SUBSTRATE MOUNTING APPARATUS WITH ALIGNMENT FUNCTION AND FILM FORMING APPARATUS HAVING SAME 审中-公开
简体标题：具有对位功能之基板载置设备、及具有该基板载置设备之成膜设备 SUBSTRATE MOUNTING APPARATUS WITH ALIGNMENT FUNCTION AND FILM FORMING APPARATUS HAVING SAME
公开(公告)号：TW201201316A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW099120826
申请日：2010-06-25
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：加藤裕子 , 菊池正志 , 龜崎厚治 , 岡山智彥 , 堀英介 , 清水美穗 , 阿部慶子 , 下田圭介 , 江藤謙次
IPC分类号： H01L , C23C
摘要：提供一種耐久力為高且成本為低之具有對位功能之基板載置裝置。在載置台(12)之四邊處設置貫通孔(9),並在貫通孔(9)內配置筒部(3)和被插通於筒部(3)中之軸部(4)。在軸部(3)之上端處預先設置凸緣部(8),並使筒部(3)與軸部(4)上升,而將位置在載置台(12)之上方處的基板(20)承載於凸緣部(8)上,再將四邊中之二邊的軸部(4)經由傾斜機構來使其朝向身為另外二邊之定位邊的軸部(4)而傾斜,來對基板(20)作推壓並使其與定位邊之軸部(4)的側面相接觸,而進行定位。攝像機或者是XY��平台係成為不必要,而能夠以良好精確度來進行對位。
简体摘要：提供一种耐久力为高且成本为低之具有对位功能之基板载置设备。在载置台(12)之四边处设置贯通孔(9),并在贯通孔(9)内配置筒部(3)和被插通于筒部(3)中之轴部(4)。在轴部(3)之上端处预先设置凸缘部(8),并使筒部(3)与轴部(4)上升,而将位置在载置台(12)之上方处的基板(20)承载于凸缘部(8)上,再将四边中之二边的轴部(4)经由倾斜机构来使其朝向身为另外二边之定位边的轴部(4)而倾斜,来对基板(20)作推压并使其与定位边之轴部(4)的侧面相接触,而进行定位。摄像机或者是XY��平台系成为不必要,而能够以良好精确度来进行对位。

10. 发明专利

TW201112886A 電漿處理裝置 PLASMA TREATMENT APPARATUS 审中-公开
简体标题：等离子处理设备 PLASMA TREATMENT APPARATUS
公开(公告)号：TW201112886A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099100398
申请日：2010-01-08
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：若松貞次 , 龜崎厚治 , 菊池正志 , 神保洋介 , 江藤謙次 , 淺利伸 , 內田寬人
IPC分类号： H05H , C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：本發明之電漿處理裝置,包含:處理室,其係包括腔室、具有複數之氣體導入口之電極凸緣、及由前述腔室及前述電極凸緣所包夾之絕緣凸緣,且包含反應室;支持部,其係收納於前述反應室內,且供載置基板,並控制前述基板之溫度;噴灑板,其係收納於前述反應室內,且以相對於前述基板之方式配置,並朝前述基板供給製程氣體;複數之氣體供給部,其係設於前述電極凸緣與前述噴灑板間之空間內,連通於複數之前述氣體導入口各者,配置成同心狀且環狀,朝前述噴灑板獨立供給不同組成之前述製程氣體;及電壓施加部,其係於前述噴灑板與前述支持部之間施加電壓。
简体摘要：本发明之等离子处理设备,包含:处理室,其系包括腔室、具有复数之气体导入口之电极凸缘、及由前述腔室及前述电极凸缘所包夹之绝缘凸缘,且包含反应室;支持部,其系收纳于前述反应室内,且供载置基板,并控制前述基板之温度;喷洒板,其系收纳于前述反应室内,且以相对于前述基板之方式配置,并朝前述基板供给制程气体;复数之气体供给部,其系设于前述电极凸缘与前述喷洒板间之空间内,连通于复数之前述气体导入口各者,配置成同心状且环状,朝前述喷洒板独立供给不同组成之前述制程气体;及电压施加部,其系于前述喷洒板与前述支持部之间施加电压。

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