专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201711216A 具有電絕緣層之薄膜裝置审中-公开
简体标题：具有电绝缘层之薄膜设备
公开(公告)号：TW201711216A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105110857
申请日：2016-04-06
申请人：弗里松股份有限公司 , FLISOM AG
发明人：奈特爾湯瑪士 , NETTER, THOMAS , 歐得里基約翰 , OLDRIDGE, JOHN , 肯恩羅蘭 , KERN, ROLAND
IPC分类号： H01L31/049 , H01L31/048 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/049 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：本揭露提供一種光伏打設備，該光伏打設備包括一前薄片、一後薄片、以及配置於該前薄片與該後薄片之間的一光伏打裝置。該光伏打裝置包括在一第一方向中隔開的一第一光伏打電池及一第二光伏打電池。該光伏打裝置進一步包括具有在一第二方向中延伸之一長度的一第一串列互連件。該第一串列互連件配置於該第一光伏打電池與該第二光伏打電池之間。該第一光伏打電池與該第二光伏打電池藉由該第一互連件電性串聯。該光伏打設備進一步包括一間隔層，該間隔層包括配置於該第一互連件與該後薄片之間的一第一紗束。該第一紗束具有對準該第一串列互連件之長度的一長度。
简体摘要：本揭露提供一种光伏打设备，该光伏打设备包括一前薄片、一后薄片、以及配置于该前薄片与该后薄片之间的一光伏打设备。该光伏打设备包括在一第一方向中隔开的一第一光伏打电池及一第二光伏打电池。该光伏打设备进一步包括具有在一第二方向中延伸之一长度的一第一串行互连件。该第一串行互连件配置于该第一光伏打电池与该第二光伏打电池之间。该第一光伏打电池与该第二光伏打电池借由该第一互连件电性串联。该光伏打设备进一步包括一间隔层，该间隔层包括配置于该第一互连件与该后薄片之间的一第一纱束。该第一纱束具有对准该第一串行互连件之长度的一长度。

2. 发明专利

TW201626592A 雷射刻畫設備审中-公开
简体标题：激光刻画设备
公开(公告)号：TW201626592A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104130610
申请日：2015-09-16
申请人：弗里松股份有限公司 , FLISOM AG
发明人：奇特納羅傑 , ZILTENER, ROGER , 奈特爾湯瑪士 , NETTER, THOMAS
IPC分类号： H01L31/0463 , H01L31/0749 , B23K26/402 , B23K26/064 , B23K26/08
CPC分类号： B23K26/032 , B23K26/361 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , H01L31/0463 , H01L31/0749 , H01L31/206 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：電腦控制設備(1100、2000)，用於在薄膜裝置(200)中雷射刻畫至少一線段通孔(163、165、165’、167)，其中該設備包含至少一雷射來源(1110、1120)；至少一鏡片(1150、1151)，以在該裝置的第一側面上形成至少一雷射斑點(7200、7300、7400、7500、7600、7700)；至少一致動器(1115、1116、1125、1126、1130、1150、1151、2140、2150、2260、2265、2280、2285)，被建構來運動至少一雷射斑點，用於沿著至少一方向(101、102)雷射刻畫該薄膜裝置(200)；至少一光學感測器(1146、1160)，被建構來獲取成像資料；及至少一控制系統(6000)，用於處理成像資料，該控制系統執行影像處理指令(6140、6146、6147)，用於在該成像資料中、沿著正交於雷射刻畫(101、102)之至少一方向的方向(103)測量：該後接觸層(120、124、126、128、129)的捲起部(1345)之寬度，及導電合金的唇部(1355)之寬度，其源自該線段通孔被鑽孔的半導體光電活動層之化學成分中的永久變化。
简体摘要：电脑控制设备(1100、2000)，用于在薄膜设备(200)中激光刻画至少一线段通孔(163、165、165’、167)，其中该设备包含至少一激光来源(1110、1120)；至少一镜片(1150、1151)，以在该设备的第一侧面上形成至少一激光斑点(7200、7300、7400、7500、7600、7700)；至少一致动器(1115、1116、1125、1126、1130、1150、1151、2140、2150、2260、2265、2280、2285)，被建构来运动至少一激光斑点，用于沿着至少一方向(101、102)激光刻画该薄膜设备(200)；至少一光学传感器(1146、1160)，被建构来获取成像数据；及至少一控制系统(6000)，用于处理成像数据，该控制系统运行影像处理指令(6140、6146、6147)，用于在该成像数据中、沿着正交于激光刻画(101、102)之至少一方向的方向(103)测量：该后接触层(120、124、126、128、129)的卷起部(1345)之宽度，及导电合金的唇部(1355)之宽度，其源自该线段通孔被钻孔的半导体光电活动层之化学成分中的永久变化。

3. 发明专利

TWI538235B 薄膜光伏打裝置及製造方法有权
简体标题：薄膜光伏打设备及制造方法
公开(公告)号：TWI538235B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW101108131
申请日：2012-03-09
申请人：弗里松股份有限公司 , FLISOM AG , 安培公司 , EMPA
发明人：奇里拉亞里恩 , CHIRILA, ADRIAN , 提瓦瑞約提亞 , TIWARI, AYODHYA NATH , 畢洛奇派翠克 , BLOESCH, PATRICK , 西協四郎 , NISHIWAKI, SHIRO , 布雷莫大衛 , BREMAUD, DAVID
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , Y02E10/541

4. 发明专利

TW201432922A 附加著鉀之薄膜光電裝置的製造审中-公开
简体标题：附加着钾之薄膜光电设备的制造
公开(公告)号：TW201432922A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102146388
申请日：2013-12-16
申请人：弗里松股份有限公司 , FLISOM AG , 安培公司 , EMPA
发明人：奇里拉亞里恩 , CHIRILA, ADRIAN , 提瓦瑞約提亞 , TIWARI, AYODHYA NATH , 布雪勒史帝芬 , BUECHELER, STEPHAN , 皮爾涅茲法比恩 , PIANEZZI, FABIAN , 瑞恩哈德派翠克 , REINHARD, PATRICK
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0323 , C23C14/14 , C23C14/24 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L31/18
摘要：一種製造薄膜光電裝置(100)之方法(200)及沉積區設備(300)，該方法包括：提供未擴散鉀之基板(110)，形成背接觸層(120)，形成至少一個由ABC硫族化合物材料製成之吸收劑層(130)，添加至少兩種不同鹼金屬，及形成至少一個前接觸層(150)，其中該至少兩種不同鹼金屬中之一者為鉀，且其中在形成該前接觸層之後，在從背接觸層(120)(不含背接觸層(120))至前接觸層(150)(含前接觸層(150))之層(470)的間隔中，添加至少兩種不同鹼金屬所得之鉀的含量在500至10000 ppm之範圍內，該至少兩種不同鹼金屬之另一者的含量在5至2000 ppm之範圍內且最多為鉀含量的1/2且最少為鉀含量的1/2000。方法(200)與設備(300)有利於更環保地以高光伏打轉換效率與更快速製造速率在撓性基板上製造光伏打裝置(100)。
简体摘要：一种制造薄膜光电设备(100)之方法(200)及沉积区设备(300)，该方法包括：提供未扩散钾之基板(110)，形成背接触层(120)，形成至少一个由ABC硫族化合物材料制成之吸收剂层(130)，添加至少两种不同碱金属，及形成至少一个前接触层(150)，其中该至少两种不同碱金属中之一者为钾，且其中在形成该前接触层之后，在从背接触层(120)(不含背接触层(120))至前接触层(150)(含前接触层(150))之层(470)的间隔中，添加至少两种不同碱金属所得之钾的含量在500至10000 ppm之范围内，该至少两种不同碱金属之另一者的含量在5至2000 ppm之范围内且最多为钾含量的1/2且最少为钾含量的1/2000。方法(200)与设备(300)有利于更环保地以高光伏打转换效率与更快速制造速率在挠性基板上制造光伏打设备(100)。

5. 发明专利

TWI624554B 蒸發源有权
简体标题：蒸发源
公开(公告)号：TWI624554B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW105125186
申请日：2016-08-08
申请人：弗里松股份有限公司 , FLISOM AG
发明人：露絲馬爾塔 , RUTH, MARTA
IPC分类号： C23C14/24

6. 发明专利

TWI619263B 光伏打設備及組裝光伏打設備的方法有权
简体标题：光伏打设备及组装光伏打设备的方法
公开(公告)号：TWI619263B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW105110857
申请日：2016-04-06
申请人：弗里松股份有限公司 , FLISOM AG
发明人：奈特爾湯瑪士 , NETTER, THOMAS , 歐得里基約翰 , OLDRIDGE, JOHN , 肯恩羅蘭 , KERN, ROLAND
IPC分类号： H01L31/049 , H01L31/048 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/049 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521

7. 发明专利

TW201620819A 用於製造薄膜裝置之自組裝圖案化审中-公开
简体标题：用于制造薄膜设备之自组装图案化
公开(公告)号：TW201620819A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104122961
申请日：2015-07-15
申请人：弗里松股份有限公司 , FLISOM AG , 安培公司 , EMPA
发明人：瑞恩哈德派翠克 , REINHARD, PATRICK , 皮爾涅茲法比恩 , PIANEZZI, FABIAN , 畢斯格班傑明 , BISSIG, BENJAMIN , 布雪勒史帝芬 , BUECHELER, STEPHAN , 提瓦瑞約提亞 , TIWARI, AYODHYA NATH
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/02 , H01L31/032
CPC分类号： H01L31/0322 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02664 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：一種用於製造在裝置(100)之一層的表面上之圖案的.方法(200)，該方法包括：提供至少一層(130，230)；添加至少一種鹼金屬(235)；控制該至少一層之溫度(2300)，從而在該層的表面形成複數個鹼化合物壓紋(1300，1305)之自組裝、規律間隔平行線。該方法進一步包括藉由溶解該鹼化合物壓紋而形成凹穴(236，1300)。該方法(200)有利於不使用模板之裝置(100)的奈米圖案化以及高效率光電子薄膜裝置(100)的製造。
简体摘要：一种用于制造在设备(100)之一层的表面上之图案的.方法(200)，该方法包括：提供至少一层(130，230)；添加至少一种碱金属(235)；控制该至少一层之温度(2300)，从而在该层的表面形成复数个碱化合物压纹(1300，1305)之自组装、规律间隔平行线。该方法进一步包括借由溶解该碱化合物压纹而形成凹穴(236，1300)。该方法(200)有利于不使用模板之设备(100)的奈米图案化以及高效率光电子薄膜设备(100)的制造。

8. 发明专利

TWI677105B 製造薄膜光電子裝置之方法及可藉由該方法獲得的薄膜光電子裝置有权
简体标题：制造薄膜光电子设备之方法及可借由该方法获得的薄膜光电子设备
公开(公告)号：TWI677105B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW104115888
申请日：2015-05-19
申请人：瑞士商弗里松股份有限公司 , FLISOM AG , 瑞士商安培公司 , EMPA
发明人：瑞恩哈德派翠克 , REINHARD, PATRICK , 皮爾涅茲法比恩 , PIANEZZI, FABIAN , 畢斯格班傑明 , BISSIG, BENJAMIN , 布雪勒史帝芬 , BUECHELER, STEPHAN , 提瓦瑞約提亞 , TIWARI, AYODHYA NATH
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0749

9. 发明专利

TWI587535B 電腦控制設備有权
简体标题：电脑控制设备
公开(公告)号：TWI587535B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104130610
申请日：2015-09-16
申请人：弗里松股份有限公司 , FLISOM AG
发明人：奇特納羅傑 , ZILTENER, ROGER , 奈特爾湯瑪士 , NETTER, THOMAS
IPC分类号： H01L31/0463 , H01L31/0749 , B23K26/402 , B23K26/064 , B23K26/08
CPC分类号： B23K26/032 , B23K26/361 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , H01L31/0463 , H01L31/0749 , H01L31/206 , Y02E10/541 , Y02P70/521

10. 发明专利

TW201718914A 蒸發源审中-公开
简体标题：蒸发源
公开(公告)号：TW201718914A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105125186
申请日：2016-08-08
申请人：弗里松股份有限公司 , FLISOM AG
发明人：露絲馬爾塔 , RUTH, MARTA
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/26 , C23C14/541
摘要：本揭露的實施例大致關於蒸發源，用於在基板上的材料之物理氣相沉積，且更具體地為用於大基板之受控制的塗佈，例如，在撓性基板上的硒之真空沉積。在一實施例中，提供一種用於在基板上沉積源材料的蒸發源。蒸發源包括坩堝，坩堝具有基座以及圍繞坩堝的內部區域之第一複數個壁。坩堝還包括向內延伸朝向內部區域的支撐脊。蒸發源還包括設置在支撐脊上的蓋，蓋包括相鄰地定位的兩個或多個片體，其中，每一個片體包括從中穿過而形成的複數個開口，且在每一個片體中的複數個開口不與形成在相鄰地定位的片體中的複數個開口對齊。
简体摘要：本揭露的实施例大致关于蒸发源，用于在基板上的材料之物理气相沉积，且更具体地为用于大基板之受控制的涂布，例如，在挠性基板上的硒之真空沉积。在一实施例中，提供一种用于在基板上沉积源材料的蒸发源。蒸发源包括坩埚，坩埚具有基座以及围绕坩埚的内部区域之第一复数个壁。坩埚还包括向内延伸朝向内部区域的支撑嵴。蒸发源还包括设置在支撑嵴上的盖，盖包括相邻地定位的两个或多个片体，其中，每一个片体包括从中穿过而形成的复数个开口，且在每一个片体中的复数个开口不与形成在相邻地定位的片体中的复数个开口对齐。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式