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1. 发明专利

TWI538235B 薄膜光伏打裝置及製造方法有权
简体标题：薄膜光伏打设备及制造方法
公开(公告)号：TWI538235B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW101108131
申请日：2012-03-09
申请人：弗里松股份有限公司 , FLISOM AG , 安培公司 , EMPA
发明人：奇里拉亞里恩 , CHIRILA, ADRIAN , 提瓦瑞約提亞 , TIWARI, AYODHYA NATH , 畢洛奇派翠克 , BLOESCH, PATRICK , 西協四郎 , NISHIWAKI, SHIRO , 布雷莫大衛 , BREMAUD, DAVID
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , Y02E10/541

2. 发明专利

TW201432922A 附加著鉀之薄膜光電裝置的製造审中-公开
简体标题：附加着钾之薄膜光电设备的制造
公开(公告)号：TW201432922A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102146388
申请日：2013-12-16
申请人：弗里松股份有限公司 , FLISOM AG , 安培公司 , EMPA
发明人：奇里拉亞里恩 , CHIRILA, ADRIAN , 提瓦瑞約提亞 , TIWARI, AYODHYA NATH , 布雪勒史帝芬 , BUECHELER, STEPHAN , 皮爾涅茲法比恩 , PIANEZZI, FABIAN , 瑞恩哈德派翠克 , REINHARD, PATRICK
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0323 , C23C14/14 , C23C14/24 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L31/18
摘要：一種製造薄膜光電裝置(100)之方法(200)及沉積區設備(300)，該方法包括：提供未擴散鉀之基板(110)，形成背接觸層(120)，形成至少一個由ABC硫族化合物材料製成之吸收劑層(130)，添加至少兩種不同鹼金屬，及形成至少一個前接觸層(150)，其中該至少兩種不同鹼金屬中之一者為鉀，且其中在形成該前接觸層之後，在從背接觸層(120)(不含背接觸層(120))至前接觸層(150)(含前接觸層(150))之層(470)的間隔中，添加至少兩種不同鹼金屬所得之鉀的含量在500至10000 ppm之範圍內，該至少兩種不同鹼金屬之另一者的含量在5至2000 ppm之範圍內且最多為鉀含量的1/2且最少為鉀含量的1/2000。方法(200)與設備(300)有利於更環保地以高光伏打轉換效率與更快速製造速率在撓性基板上製造光伏打裝置(100)。
简体摘要：一种制造薄膜光电设备(100)之方法(200)及沉积区设备(300)，该方法包括：提供未扩散钾之基板(110)，形成背接触层(120)，形成至少一个由ABC硫族化合物材料制成之吸收剂层(130)，添加至少两种不同碱金属，及形成至少一个前接触层(150)，其中该至少两种不同碱金属中之一者为钾，且其中在形成该前接触层之后，在从背接触层(120)(不含背接触层(120))至前接触层(150)(含前接触层(150))之层(470)的间隔中，添加至少两种不同碱金属所得之钾的含量在500至10000 ppm之范围内，该至少两种不同碱金属之另一者的含量在5至2000 ppm之范围内且最多为钾含量的1/2且最少为钾含量的1/2000。方法(200)与设备(300)有利于更环保地以高光伏打转换效率与更快速制造速率在挠性基板上制造光伏打设备(100)。

3. 发明专利

TW201251062A 薄膜光伏打裝置及製造方法 THIN-FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE AND FABRICATION METHOD 审中-公开
简体标题：薄膜光伏打设备及制造方法 THIN-FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE AND FABRICATION METHOD
公开(公告)号：TW201251062A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101108131
申请日：2012-03-09
申请人：弗里松股份有限公司 , 安培公司
发明人：奇里拉亞里恩 , 提瓦瑞約提亞 , 畢洛奇派翠克 , 西協四郎 , 布雷莫大衛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , Y02E10/541
摘要：一種製造薄膜光伏打裝置(100)之方法,該裝置包含沉積在背面接觸層(120)上之光伏打Cu(In,Ga)Se2或相當的ABC吸收劑層(130),諸如ABC2層,該方法特徵在於包含至少5個沉積步驟,其中在至少一個C元素存在於一或多個步驟中的情況下成對的第三及第四步驟是連續可重複的。在第一步驟中,至少一種B元素被沉積,在第二步驟中接著以沉積速率比率Ar/Br沉積A及B,在第三步驟中以低於先前之比率Ar/Br沉積,在第四步驟中以高於先前之比率Ar/Br沉積,且在第五步驟中僅沉積B元素以獲得全部經沉積元素之最終比率A/B。所得之光伏打裝置特徵在於由曝光面開始,該光伏打裝置(100)之吸收劑層(130)包含逐漸降低Ga/(Ga+In)比率之第一區(501),緊接之逐漸增加Ga/(Ga+In)比率之第二區(502),其中在該第二區(502)之曝光半面上Ga/(Ga+In)之增加不到0.15且含有至少一隆起(hump)。
简体摘要：一种制造薄膜光伏打设备(100)之方法,该设备包含沉积在背面接触层(120)上之光伏打Cu(In,Ga)Se2或相当的ABC吸收剂层(130),诸如ABC2层,该方法特征在于包含至少5个沉积步骤,其中在至少一个C元素存在于一或多个步骤中的情况下成对的第三及第四步骤是连续可重复的。在第一步骤中,至少一种B元素被沉积,在第二步骤中接着以沉积速率比率Ar/Br沉积A及B,在第三步骤中以低于先前之比率Ar/Br沉积,在第四步骤中以高于先前之比率Ar/Br沉积,且在第五步骤中仅沉积B元素以获得全部经沉积元素之最终比率A/B。所得之光伏打设备特征在于由曝光面开始,该光伏打设备(100)之吸收剂层(130)包含逐渐降低Ga/(Ga+In)比率之第一区(501),紧接之逐渐增加Ga/(Ga+In)比率之第二区(502),其中在该第二区(502)之曝光半面上Ga/(Ga+In)之增加不到0.15且含有至少一隆起(hump)。

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