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    • 10. 发明专利
    • 氣相成長裝置
    • 气相成长设备
    • TW201241230A
    • 2012-10-16
    • TW101104658
    • 2012-02-14
    • 大陽日酸股份有限公司
    • 山口晃生方映德
    • C23C
    • C30B25/12C23C16/303C23C16/4584C23C16/52C30B25/16H01L21/67259H01L21/67288H01L21/68764H01L21/68771
    • 一種氣相成長裝置,具備有可以高精確度測定基板狀態之測定手段,該氣相成長裝置是在處理室內具備有載置台和複數基板保持構件之自公轉型之氣相成長裝置,在設於處理室之雷射光透過部外面,固定有測定手段具備有:雷射光源,對被保持在基板保持構件且利用載置台之旋轉進行自公轉之基板面,於垂直方向連續地照射雷射光;及受光部,用以接收基板面所反射之雷射光;同時具備有判定手段,當以受光部所接收光之反射光之變動量大於預先設定之變動量時,判定該基板為異常狀態。
    • 一种气相成长设备,具备有可以高精确度测定基板状态之测定手段,该气相成长设备是在处理室内具备有载置台和复数基板保持构件之自公转型之气相成长设备,在设于处理室之激光光透过部外面,固定有测定手段具备有:激光光源,对被保持在基板保持构件且利用载置台之旋转进行自公转之基板面,于垂直方向连续地照射激光光;及受光部,用以接收基板面所反射之激光光;同时具备有判定手段,当以受光部所接收光之反射光之变动量大于预先设置之变动量时,判定该基板为异常状态。