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1. 发明专利

TW201420807A 氣相成長裝置审中-公开
简体标题：气相成长设备
公开(公告)号：TW201420807A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102135291
申请日：2013-09-30
申请人：大陽日酸股份有限公司 , TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION , 大陽日酸EMC股份有限公司 , TN EMC LTD.
发明人：山口晃 , YAMAGUCHI, AKIRA , 生方映德 , UBUKATA, AKINORI , 山岡優哉 , YAMAOKA, YUYA , 內山康右 , UCHIYAMA, KOSUKE
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/44 , H01L21/6719 , H01L21/67754 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68792
摘要：本發明的目的係在提供一種生產力高且精簡的氣相成長裝置。本發明之氣相成長裝置1，係將原料氣體供應到設置在可上下分割成腔體本體3與腔體蓋4的腔體2內之基板5上而在前述基板5上使薄膜成長之氣相成長裝置1，其具有：基座7，係構成為圓板狀且以可裝卸之方式設置在前述腔體本體3側來保持前述基板5；基座蓋9，以將該基座7之基板保持部以外的部位予以覆蓋之方式載置在該基座7上；天花板11，係在與前述基座7之間隔著預定的間隔而相對所配置且形成前述原料氣體的流路；以及臨時安置裝置21，係在分割前述腔體2時所形成之前述腔體本體3的上方空間，將前述基座7、前述基座蓋9、前述天花板11中至少1個暫時地予以臨時安置。
简体摘要：本发明的目的系在提供一种生产力高且精简的气相成长设备。本发明之气相成长设备1，系将原料气体供应到设置在可上下分割成腔体本体3与腔体盖4的腔体2内之基板5上而在前述基板5上使薄膜成长之气相成长设备1，其具有：基座7，系构成为圆板状且以可装卸之方式设置在前述腔体本体3侧来保持前述基板5；基座盖9，以将该基座7之基板保持部以外的部位予以覆盖之方式载置在该基座7上；天花板11，系在与前述基座7之间隔着预定的间隔而相对所配置且形成前述原料气体的流路；以及临时安置设备21，系在分割前述腔体2时所形成之前述腔体本体3的上方空间，将前述基座7、前述基座盖9、前述天花板11中至少1个暂时地予以临时安置。

2. 发明专利

TW201108303A 氣相成長裝置审中-公开
简体标题：气相成长设备
公开(公告)号：TW201108303A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099116272
申请日：2010-05-21
申请人：大陽日酸股份有限公司 , 大陽日酸EMC股份有限公司
发明人：山岡優哉 , 內山康右
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/4584 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785
摘要：本發明係一種自公轉型氣相成長裝置,無需使基座等大型化,亦可增加可進行一次氣相成長之半導體薄膜的面積。該氣相成長裝置係具備自公轉機構之橫式氣相成長裝置,該自公轉機構包括:形成於圓盤狀基座12之圓形開口內所設置之軸承構件13、可旋轉地載置於軸承構件之均熱板14、載置於均熱板上之外齒輪構件15、具備可與該外齒輪構件嚙合之內齒輪之環狀固定內齒輪構件17、自基座之背面側而對保持於外齒輪構件之基板18進行加熱之加熱手段19、以及在平行於基板表面之方向導引原料氣體之流道20,且,軸承構件之外徑或外齒輪構件之齒輪基準圓直徑設定為小於基板外徑之尺寸。
简体摘要：本发明系一种自公转型气相成长设备,无需使基座等大型化,亦可增加可进行一次气相成长之半导体薄膜的面积。该气相成长设备系具备自公转机构之横式气相成长设备,该自公转机构包括:形成于圆盘状基座12之圆形开口内所设置之轴承构件13、可旋转地载置于轴承构件之均热板14、载置于均热板上之外齿轮构件15、具备可与该外齿轮构件啮合之内齿轮之环状固定内齿轮构件17、自基座之背面侧而对保持于外齿轮构件之基板18进行加热之加热手段19、以及在平行于基板表面之方向导引原料气体之流道20,且,轴承构件之外径或外齿轮构件之齿轮基准圆直径设置为小于基板外径之尺寸。

3. 发明专利

TWI633202B 氣相成長裝置有权
简体标题：气相成长设备
公开(公告)号：TWI633202B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW102135291
申请日：2013-09-30
申请人：大陽日酸股份有限公司 , TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION , 大陽日酸CSE股份有限公司 , TNCSE LTD.
发明人：山口晃 , YAMAGUCHI, AKIRA , 生方映德 , UBUKATA, AKINORI , 山岡優哉 , YAMAOKA, YUYA , 內山康右 , UCHIYAMA, KOSUKE
IPC分类号： C23C16/54

4. 发明专利

TWI497570B 氣相成長裝置有权
简体标题：气相成长设备
公开(公告)号：TWI497570B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW099116272
申请日：2010-05-21
申请人：大陽日酸股份有限公司 , TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION , 大陽日酸CSE股份有限公司 , TNCSE LTD.
发明人：山岡優哉 , YAMAOKA, YUYA , 內山康右 , UCHIYAMA, KOSUKE
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/4584 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785

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