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    • 3. 发明专利
    • 形成金屬互連結構的方法
    • 形成金属互链接构的方法
    • TW201725655A
    • 2017-07-16
    • TW105100198
    • 2016-01-05
    • 盛美半導體設備(上海)有限公司ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
    • 王堅JIAN WANG賈照偉ZHAO-WEI JIA金一諾YI-NUO JIN肖東風DONG-FENG XIAO楊貴璞GUI-PU YANG代迎偉YING-WEI DAI王暉HUI WANG
    • H01L21/768H01L21/311
    • 本發明提供了一種形成金屬互連結構的方法,以避免凹進區域側壁上的阻擋層被過刻蝕。該方法包括以下步驟:在硬掩膜層和介質層上形成凹進區域;在硬掩膜層上、凹進區域的側壁和凹進區域的底部沈積阻擋層;在阻擋層上沈積金屬並使凹進區域填滿金屬;使用電抛光工藝去除非凹進區域上的金屬,並將凹進區域內的金屬過抛光形成凹陷,在電抛光過程中,阻擋層上形成氧化膜;去除硬掩膜層上阻擋層上的氧化膜,並留下一定厚度的凹進區域側壁上阻擋層上的氧化膜;透過刻蝕去除阻擋層和硬掩膜層,該刻蝕對氧化膜具有高選擇比,留下來的氧化膜阻止凹進區域側壁上的阻擋層被過刻蝕。
    • 本发明提供了一种形成金属互链接构的方法,以避免凹进区域侧壁上的阻挡层被过刻蚀。该方法包括以下步骤:在硬掩膜层和介质层上形成凹进区域;在硬掩膜层上、凹进区域的侧壁和凹进区域的底部沉积阻挡层;在阻挡层上沉积金属并使凹进区域填满金属;使用电抛光工艺去除非凹进区域上的金属,并将凹进区域内的金属过抛光形成凹陷,在电抛光过程中,阻挡层上形成氧化膜;去除硬掩膜层上阻挡层上的氧化膜,并留下一定厚度的凹进区域侧壁上阻挡层上的氧化膜;透过刻蚀去除阻挡层和硬掩膜层,该刻蚀对氧化膜具有高选择比,留下来的氧化膜阻止凹进区域侧壁上的阻挡层被过刻蚀。