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1. 发明专利

TWI697983B 形成金屬互連結構的方法有权
简体标题：形成金属互链接构的方法
公开(公告)号：TWI697983B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW105100198
申请日：2016-01-05
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)股份有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , JIAN WANG , 賈照偉 , ZHAO-WEI JIA , 金一諾 , YI-NUO JIN , 肖東風 , DONG-FENG XIAO , 楊貴璞 , GUI-PU YANG , 代迎偉 , YING-WEI DAI , 王暉 , HUI WANG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/311

2. 发明专利

TW201737417A ＴＳＶ結構的平坦化工藝和裝置审中-公开
简体标题：ＴＳＶ结构的平坦化工艺和设备
公开(公告)号：TW201737417A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105133926
申请日：2016-10-20
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：金一諾 , JIN, YI-NUO , 代迎偉 , DAI, YING-WEI , 楊貴璞 , YANG, GUI-PU , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/7684 , H01L21/76898 , H01L23/53238
摘要：本發明揭示了TSV結構的平坦化工藝和裝置。TSV結構包括晶圓、晶圓上的通孔、晶圓上的氧化層、氧化層上及通孔的底部和側壁上的阻擋層、通孔內及阻擋層上的金屬層。在一種具體實施方式中，TSV結構的平坦化工藝包括：採用無應力抛光工藝去除晶圓的非凹進區域上的全部金屬層；採用化學濕法刻蝕工藝去除非凹進區域上的金屬層殘餘以及阻擋層。
简体摘要：本发明揭示了TSV结构的平坦化工艺和设备。TSV结构包括晶圆、晶圆上的通孔、晶圆上的氧化层、氧化层上及通孔的底部和侧壁上的阻挡层、通孔内及阻挡层上的金属层。在一种具体实施方式中，TSV结构的平坦化工艺包括：采用无应力抛光工艺去除晶圆的非凹进区域上的全部金属层；采用化学湿法刻蚀工艺去除非凹进区域上的金属层残余以及阻挡层。

3. 发明专利

TW201725655A 形成金屬互連結構的方法审中-公开
简体标题：形成金属互链接构的方法
公开(公告)号：TW201725655A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105100198
申请日：2016-01-05
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , JIAN WANG , 賈照偉 , ZHAO-WEI JIA , 金一諾 , YI-NUO JIN , 肖東風 , DONG-FENG XIAO , 楊貴璞 , GUI-PU YANG , 代迎偉 , YING-WEI DAI , 王暉 , HUI WANG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/311
摘要：本發明提供了一種形成金屬互連結構的方法，以避免凹進區域側壁上的阻擋層被過刻蝕。該方法包括以下步驟：在硬掩膜層和介質層上形成凹進區域；在硬掩膜層上、凹進區域的側壁和凹進區域的底部沈積阻擋層；在阻擋層上沈積金屬並使凹進區域填滿金屬；使用電抛光工藝去除非凹進區域上的金屬，並將凹進區域內的金屬過抛光形成凹陷，在電抛光過程中，阻擋層上形成氧化膜；去除硬掩膜層上阻擋層上的氧化膜，並留下一定厚度的凹進區域側壁上阻擋層上的氧化膜；透過刻蝕去除阻擋層和硬掩膜層，該刻蝕對氧化膜具有高選擇比，留下來的氧化膜阻止凹進區域側壁上的阻擋層被過刻蝕。
简体摘要：本发明提供了一种形成金属互链接构的方法，以避免凹进区域侧壁上的阻挡层被过刻蚀。该方法包括以下步骤：在硬掩膜层和介质层上形成凹进区域；在硬掩膜层上、凹进区域的侧壁和凹进区域的底部沉积阻挡层；在阻挡层上沉积金属并使凹进区域填满金属；使用电抛光工艺去除非凹进区域上的金属，并将凹进区域内的金属过抛光形成凹陷，在电抛光过程中，阻挡层上形成氧化膜；去除硬掩膜层上阻挡层上的氧化膜，并留下一定厚度的凹进区域侧壁上阻挡层上的氧化膜；透过刻蚀去除阻挡层和硬掩膜层，该刻蚀对氧化膜具有高选择比，留下来的氧化膜阻止凹进区域侧壁上的阻挡层被过刻蚀。

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