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1. 发明专利

TW427000B 非揮發性半導體記憶裝置失效
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW427000B
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：TW087113496
申请日：1998-08-17
申请人：夏普股份有限公司
发明人：太田佳似
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C14/00
摘要：一種非揮發性半導體記憶裝置包含:一具有多個記憶體晶胞的記憶體晶胞區，各記憶體晶胞包括一快閃晶胞區及一DRAM電容器區，該快閃晶胞區具有至少一汲極，一源極，及一漂浮閘極，該汲極連接該位元線，該DRAM電容器區具有一含兩電極的電容性元件，其中一電極連接源極，且另一電極連接電源端，且架構記憶體晶胞使得至少可應用穿隧電流而經汲極將電子注入漂浮閘極中，或從該漂浮閘極取出電子;一經位元線連接記憶體晶胞區的暫存器區;為來自位元線之信號所輸入的一位元線選擇器;以及一用於接收來自位元線選擇器之輸出以作為輸入信號的感測放大器。依據本發明，在正常操作模式中，有可能經讀取或寫入儲存在電容性元件區中的揮發性數據，而達到一類似一般DRAM中的高速隨機存取。另一方面，在數據維持模式，可在非揮發性記憶體晶胞區中儲存最後資訊或不變資訊作為非揮發性數據。
简体摘要：一种非挥发性半导体记忆设备包含:一具有多个内存晶胞的内存晶胞区，各内存晶胞包括一快闪晶胞区及一DRAM电容器区，该快闪晶胞区具有至少一汲极，一源极，及一漂浮闸极，该汲极连接该比特线，该DRAM电容器区具有一含两电极的电容性组件，其中一电极连接源极，且另一电极连接电源端，且架构内存晶胞使得至少可应用穿隧电流而经汲极将电子注入漂浮闸极中，或从该漂浮闸极取出电子;一经比特线连接内存晶胞区的寄存器区;为来自比特线之信号所输入的一比特线选择器;以及一用于接收来自比特线选择器之输出以作为输入信号的传感放大器。依据本发明，在正常操作模式中，有可能经读取或写入存储在电容性组件区中的挥发性数据，而达到一类似一般DRAM中的高速随机存取。另一方面，在数据维持模式，可在非挥发性内存晶胞区中存储最后信息或不变信息作为非挥发性数据。

2. 发明专利

TW403907B 非揮發性半導體記憶裝置及其寫入方法失效
简体标题：非挥发性半导体记忆设备及其写入方法
公开(公告)号：TW403907B
公开(公告)日：2000-09-01
申请号：TW087114756
申请日：1998-09-05
申请人：夏普股份有限公司
发明人：太田佳似
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C11/5621 , G11C11/5642 , G11C2211/5624 , G11C2211/5631 , G11C2211/5642
摘要：一種非揮發性半導體記憶體裝置及、寫入方法，可同時執行將多值資料寫入多數記憶體單元(CELLO、CELLl)的寫入操作及驗證操作，並以高速寫入多值資料。LatchO和Latchl的閂鎖電路係儲存待寫入記憶體單元(CELLO、 CELLl)之輸入多值資料，而記憶體單元係藉由位元線(BLn至BLn﹢3)及字線(WLO)選取。多值感測放大器(SAO、 SAl) 係讀取在記憶體單元(CELLO、CELLl)中所寫入的多值資料。基於在該等LatchO和Latchl的閂鎖電路中所儲存的該等輸入多值資料(閂鎖節點QO#、Q1#)及藉由多值感測放大器(SAO、SAl)讀取來自該記憶體單元(CELLO、 CELLl)的該等多值資料(感測節點SO#、Sl#)，位元線電壓產生電路(l)係將該等輸入多值資料寫入該等記憶體單元(CELLO、CELLl)的指定電壓施加於連接至該等記憶體單元(CELLO、CELLl)的該等位元線(BLn+l，BLn+3)。
简体摘要：一种非挥发性半导体内存设备及、写入方法，可同时运行将多值数据写入多数内存单元(CELLO、CELLl)的写入操作及验证操作，并以高速写入多值数据。LatchO和Latchl的闩锁电路系存储待写入内存单元(CELLO、 CELLl)之输入多值数据，而内存单元系借由比特线(BLn至BLn﹢3)及字线(WLO)选取。多值传感放大器(SAO、 SAl) 系读取在内存单元(CELLO、CELLl)中所写入的多值数据。基于在该等LatchO和Latchl的闩锁电路中所存储的该等输入多值数据(闩锁节点QO#、Q1#)及借由多值传感放大器(SAO、SAl)读取来自该内存单元(CELLO、 CELLl)的该等多值数据(传感节点SO#、Sl#)，比特线电压产生电路(l)系将该等输入多值数据写入该等内存单元(CELLO、CELLl)的指定电压施加于连接至该等内存单元(CELLO、CELLl)的该等比特线(BLn+l，BLn+3)。

3. 发明专利

TWI493737B 光發電裝置、光發電系統、及具備光發電裝置之車輛有权
简体标题：光发电设备、光发电系统、及具备光发电设备之车辆
公开(公告)号：TWI493737B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101101990
申请日：2012-01-18
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：片岡耕太郎 , KATAOKA, KOHTAROH , 足立浩一郎 , ADACHI, KOHICHIROH , 原田真臣 , HARADA, MASATOMI , 太田佳似 , OHTA, YOSHIJI , 岩田浩 , IWATA, HIROSHI
IPC分类号： H01L31/05 , B60L8/00
CPC分类号： H01L31/0504 , B60L8/003 , B60L11/1877 , B60L15/007 , B60L2200/18 , H01L31/02021 , H01L31/042 , Y02E10/50 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/705 , Y02T10/7083

4. 发明专利

TW201305486A 雷射光利用裝置及車輛用前照燈审中-公开
简体标题：激光光利用设备及车辆用前照灯
公开(公告)号：TW201305486A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101121195
申请日：2012-06-13
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：鹽見竹史 , SHIOMI, TAKESHI , 野村勝 , NOMURA, MASARU , 太田佳似 , OHTA, YOSHIJI , 岩田浩 , IWATA, HIROSHI , 高橋幸司 , TAKAHASHI, KOJI , 岸本克彥 , KISHIMOTO, KATSUHIKO
IPC分类号： F21S8/10 , F21V13/00 , B60Q1/02
CPC分类号： F21V9/08 , B60Q1/0023 , F21S41/14 , F21S41/141 , F21S41/16 , F21S41/285 , F21V7/22 , F21V9/30 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30
摘要：本發明係關於一種利用雷射光之前照燈，其具備接收雷射光之自特定通過路徑或照射區域偏離之雷射光而發出散射光之散射光出射部。
简体摘要：本发明系关于一种利用激光光之前照灯，其具备接收激光光之自特定通过路径或照射区域偏离之激光光而发出散射光之散射光出射部。

5. 发明专利

TW201234730A 雷射發光裝置及使用其之車用燈具 LASER BEAM EMITTING APPARATUS AND VEHICULAR ILLUMINATING APPARATUS INCLUDING THE SAME 审中-公开
简体标题：激光发光设备及使用其之车用灯具 LASER BEAM EMITTING APPARATUS AND VEHICULAR ILLUMINATING APPARATUS INCLUDING THE SAME
公开(公告)号：TW201234730A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100130565
申请日：2011-08-25
申请人：夏普股份有限公司
发明人：片岡耕太郎 , 鹽見竹史 , 野村勝 , 五十嵐弘樹 , 太田佳似 , 岩田浩
IPC分类号： H01S , B60Q
CPC分类号： H01S5/042 , H01S5/4018 , H05B33/0815
摘要：本發明之雷射發光裝置之特徵在於,半導體雷射元件群中包含之半導體雷射元件之個數,係維持斬波電路相對於直流電源之特定的電壓變動而將半導體雷射元件群之所需驅動電壓升壓或降壓之關係之個數。
简体摘要：本发明之激光发光设备之特征在于,半导体激光组件群中包含之半导体激光组件之个数,系维持斩波电路相对于直流电源之特定的电压变动而将半导体激光组件群之所需驱动电压升压或降压之关系之个数。

6. 发明专利

TWI492535B 半導體裝置、使用其之換流器、轉換器及電力轉換裝置有权
简体标题：半导体设备、使用其之换流器、转换器及电力转换设备
公开(公告)号：TWI492535B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW101112384
申请日：2012-04-06
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：小宮健治 , KOMIYA, KENJI , 若生周治 , WAKAIKI, SHUJI , 片岡耕太郎 , KATAOKA, KOHTAROH , 野村勝 , NOMURA, MASARU , 太田佳似 , OHTA, YOSHIJI , 岩田浩 , IWATA, HIROSHI
IPC分类号： H03K17/14 , H02M1/08
CPC分类号： H03K17/302 , H02M1/088 , H02M3/158 , H03K17/102 , H03K17/122 , H03K17/145

7. 发明专利

TW380256B 可就所有之記憶格正確集中地執行抹除檢查操作之半導體存儲裝置失效
简体标题：可就所有之记忆格正确集中地运行抹除检查操作之半导体存储设备
公开(公告)号：TW380256B
公开(公告)日：2000-01-21
申请号：TW087102263
申请日：1998-02-18
申请人：夏普股份有限公司
发明人：太田佳似
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/3445 , G11C8/10 , G11C16/344 , G11C2216/28
摘要：正確集中地執行一驗證操作於所有記憶格子之上。在檢查操作中，首先使一預先充電信號ψpre與一集中抹除檢查模式選擇信號ψaev之位準變成"L"，以個別地用一預先電電壓ψpre充電一共同位元線5以及所有BLO到BLm的位元線，因此使該集中抹除檢查模式選擇信號ψaev之位準變成"H"以連接該共同位元線5至所有BLO到BLm的位元線與一感測放大器8，以及藉由一列解碼電路之2選擇之所有 WLO到WLn的字元線。接著監視該共同位元線放電之H事件而且由於在一記憶格陣列中l一非抹除記憶格之存在，該感測放大器8之一輸出信號OUT變成"L"。於此情況下，該共同位元線5之放電發生在該記憶格陣列l中存在至少一非抹除記憶格電晶體時，且因此可正確而集中地執行該檢查操作於所有該記憶格之上。
简体摘要：正确集中地运行一验证操作于所有记忆格子之上。在检查操作中，首先使一预先充电信号ψpre与一集中抹除检查模式选择信号ψaev之位准变成"L"，以个别地用一预先电电压ψpre充电一共同比特线5以及所有BLO到BLm的比特线，因此使该集中抹除检查模式选择信号ψaev之位准变成"H"以连接该共同比特线5至所有BLO到BLm的比特线与一传感放大器8，以及借由一列译码电路之2选择之所有 WLO到WLn的字符线。接着监视该共同比特线放电之H事件而且由于在一记忆格数组中l一非抹除记忆格之存在，该传感放大器8之一输出信号OUT变成"L"。于此情况下，该共同比特线5之放电发生在该记忆格数组l中存在至少一非抹除记忆格晶体管时，且因此可正确而集中地运行该检查操作于所有该记忆格之上。

8. 发明专利

TW363263B 可縮短存取時間及降低消耗電流之串列存取系統半導體記憶裝置失效
简体标题：可缩短存取时间及降低消耗电流之串行存取系统半导体记忆设备
公开(公告)号：TW363263B
公开(公告)日：1999-07-01
申请号：TW086119331
申请日：1997-12-19
申请人：夏普股份有限公司
发明人：太田佳似
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C7/1036 , G11C16/0491
摘要：一種所提供的連續存取系統半導體儲存裝置，係可減少存取的時間及降低電流的消耗。一記憶體單元陣列1 包括多數記憶體單元 CELL0、CELL1 、. . .而位移暫存器2A和2B具有許多的閂控電路SR0、SR2、SR1、SR3，其係以串接的方式提供。該等位移暫存器2A和2B一旦經由在一讀取操作的一位元訊號線而接收來自該記憶體單元陣列1 的資料時，在該等閂控電路SR0、SR2、. . . . SR1、SR3、. . .並會以該等閂控電路所排列的順序而將資料做串列輸出。該等閂控電路SR0、SR2、. . . 、SR1、SR3、. . .會讀出放大所儲存在該記憶體單元陣列1 中的該等記憶體單元內的儲存。
简体摘要：一种所提供的连续存取系统半导体存储设备，系可减少存取的时间及降低电流的消耗。一内存单元数组1 包括多数内存单元 CELL0、CELL1 、. . .而位移寄存器2A和2B具有许多的闩控电路SR0、SR2、SR1、SR3，其系以串接的方式提供。该等位移寄存器2A和2B一旦经由在一读取操作的一比特信号线而接收来自该内存单元数组1 的数据时，在该等闩控电路SR0、SR2、. . . . SR1、SR3、. . .并会以该等闩控电路所排列的顺序而将数据做串行输出。该等闩控电路SR0、SR2、. . . 、SR1、SR3、. . .会读出放大所存储在该内存单元数组1 中的该等内存单元内的存储。

9. 发明专利

TW201304411A 半導體裝置、使用其之換流器、轉換器及電力轉換裝置审中-公开
简体标题：半导体设备、使用其之换流器、转换器及电力转换设备
公开(公告)号：TW201304411A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101112384
申请日：2012-04-06
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：小宮健治 , KOMIYA, KENJI , 若生周治 , WAKAIKI, SHUJI , 片岡耕太郎 , KATAOKA, KOHTAROH , 野村勝 , NOMURA, MASARU , 太田佳似 , OHTA, YOSHIJI , 岩田浩 , IWATA, HIROSHI
IPC分类号： H03K17/14 , H02M1/08
CPC分类号： H03K17/302 , H02M1/088 , H02M3/158 , H03K17/102 , H03K17/122 , H03K17/145
摘要：本發明之半導體裝置包含：高耐壓、高Gm之第1電晶體(Q1)及低耐壓、低Gm之第2電晶體(Q2)，該等串聯連接於第1及第2節點(N1，N2)之間；及低耐壓、高Gm之第3電晶體(Q3)，其並聯連接於第2電晶體(Q2)。若開啟第2電晶體(Q2)，則第1電晶體(Q1)開啟，再者若開啟第3電晶體(Q3)，則第1及第2節點(N1，N2)間成為導通狀態。故，由於開啟低耐壓之第2電晶體(Q2)且開啟高耐壓之第1電晶體(Q1)，故啟動時間之偏差變小。
简体摘要：本发明之半导体设备包含：高耐压、高Gm之第1晶体管(Q1)及低耐压、低Gm之第2晶体管(Q2)，该等串联连接于第1及第2节点(N1，N2)之间；及低耐压、高Gm之第3晶体管(Q3)，其并联连接于第2晶体管(Q2)。若打开第2晶体管(Q2)，则第1晶体管(Q1)打开，再者若打开第3晶体管(Q3)，则第1及第2节点(N1，N2)间成为导通状态。故，由于打开低耐压之第2晶体管(Q2)且打开高耐压之第1晶体管(Q1)，故启动时间之偏差变小。

10. 发明专利

TW201240117A 光發電裝置、光發電系統、及具備光發電裝置之車輛审中-公开
简体标题：光发电设备、光发电系统、及具备光发电设备之车辆
公开(公告)号：TW201240117A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW101101990
申请日：2012-01-18
申请人：夏普股份有限公司
发明人：片岡耕太郎 , 足立浩一郎 , 原田真臣 , 太田佳似 , 岩田浩
IPC分类号： H01L , B60L
CPC分类号： H01L31/0504 , B60L8/003 , B60L11/1877 , B60L15/007 , B60L2200/18 , H01L31/02021 , H01L31/042 , Y02E10/50 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/705 , Y02T10/7083
摘要：本發明之光發電裝置1係具備複數之群發電部G(G11、G12、G21、G22)之光發電裝置,各個群發電部G包含經由連接點CP12串聯連接之單位發電部D(D1、D2),群發電部G具備在連接點CP12中預先特定之特定連接點SP12,特定連接點SP12在群發電部G之相互之間連接。
简体摘要：本发明之光发电设备1系具备复数之群发电部G(G11、G12、G21、G22)之光发电设备,各个群发电部G包含经由连接点CP12串联连接之单位发电部D(D1、D2),群发电部G具备在连接点CP12中预先特定之特定连接点SP12,特定连接点SP12在群发电部G之相互之间连接。

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