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1. 发明专利

TW201243471A 細微物體之配置方法、排列裝置、照明裝置及顯示裝置审中-公开
简体标题：细微物体之配置方法、排列设备、照明设备及显示设备
公开(公告)号：TW201243471A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW100124485
申请日：2011-07-11
申请人：夏普股份有限公司
发明人：柴田晃秀 , 根岸哲 , 小宮健治 , 矢追善史 , 鹽見竹史 , 岩田浩 , 高橋明
IPC分类号： G02F , G09F
CPC分类号： C25D13/00 , H01L21/479 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2224/08238 , H01L2224/75655 , H01L2224/75723 , H01L2224/7598 , H01L2224/80143 , H01L2224/95101 , H01L2224/95145 , H01L2224/97 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
摘要：本發明之細微物體之配置方法中,於基板準備步驟中準備於第1電極111與第2電極112對向之場所中規定有配置細微物體120之位置之基板110,於流體導入步驟中將流體121導入至基板110上。流體121包含複數個細微物體120。細微物體120係具有以介電質製作之正面側層130與以半導體製作之背面側層131作為配向構造之二極體元件。而且,於細微物體配置步驟中,藉由對第1電極111與第2電極112之間施加交流電壓,而以介電泳將細微物體120配置於第1電極111與第2電極112對向之場所A中預先規定之位置且配置成使正面側層130朝上。
简体摘要：本发明之细微物体之配置方法中,于基板准备步骤中准备于第1电极111与第2电极112对向之场所中规定有配置细微物体120之位置之基板110,于流体导入步骤中将流体121导入至基板110上。流体121包含复数个细微物体120。细微物体120系具有以介电质制作之正面侧层130与以半导体制作之背面侧层131作为配向构造之二极管组件。而且,于细微物体配置步骤中,借由对第1电极111与第2电极112之间施加交流电压,而以介电泳将细微物体120配置于第1电极111与第2电极112对向之场所A中预先规定之位置且配置成使正面侧层130朝上。

2. 发明专利

TW201214754A 發光元件及其製造方法、發光裝置之製造方法、照明裝置、背光、顯示裝置及二極體审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法、发光设备之制造方法、照明设备、背光、显示设备及二极管
公开(公告)号：TW201214754A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100124821
申请日：2011-07-13
申请人：夏普股份有限公司
发明人：柴田晃秀 , 根岸哲 , 小宮健治 , 矢追善史 , 鹽見竹史 , 岩田浩 , 高橋明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/64 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/052 , H01L31/054 , H01L31/0547 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
摘要：本發明之發光元件100包括：n型GaN半導體基部113；複數個n型GaN棒狀半導體121，其以立設狀態相互隔開間隔地形成於n型GaN半導體基部113上；及p型GaN半導體層123，其覆蓋n型GaN棒狀半導體121。就n型GaN棒狀半導體121而言，藉由增加向棒狀半導體121賦予n型之雜質量，可容易地低電阻化。故而，即便延長n型GaN棒狀半導體121之長度，亦可抑制n型GaN棒狀半導體121之電阻之增大，可使n型GaN棒狀半導體121自根部至前端部同樣地發光。
简体摘要：本发明之发光组件100包括：n型GaN半导体基部113；复数个n型GaN棒状半导体121，其以立设状态相互隔开间隔地形成于n型GaN半导体基部113上；及p型GaN半导体层123，其覆盖n型GaN棒状半导体121。就n型GaN棒状半导体121而言，借由增加向棒状半导体121赋予n型之杂质量，可容易地低电阻化。故而，即便延长n型GaN棒状半导体121之长度，亦可抑制n型GaN棒状半导体121之电阻之增大，可使n型GaN棒状半导体121自根部至前端部同样地发光。

3. 发明专利

TWI492535B 半導體裝置、使用其之換流器、轉換器及電力轉換裝置有权
简体标题：半导体设备、使用其之换流器、转换器及电力转换设备
公开(公告)号：TWI492535B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW101112384
申请日：2012-04-06
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：小宮健治 , KOMIYA, KENJI , 若生周治 , WAKAIKI, SHUJI , 片岡耕太郎 , KATAOKA, KOHTAROH , 野村勝 , NOMURA, MASARU , 太田佳似 , OHTA, YOSHIJI , 岩田浩 , IWATA, HIROSHI
IPC分类号： H03K17/14 , H02M1/08
CPC分类号： H03K17/302 , H02M1/088 , H02M3/158 , H03K17/102 , H03K17/122 , H03K17/145

4. 发明专利

TW511276B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW511276B
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：TW090126176
申请日：2001-10-23
申请人：夏普股份有限公司
发明人：岩田浩 , 柴田晃秀 , 柿本誠三
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823481 , H01L21/761 , H01L21/76202 , H01L21/76232 , H01L21/823493
摘要：本發明係提供一種半導體裝置，其包含基板偏壓可變式晶體及DTMOS，該裝置採取2層井結構，且其井區域之邊界所需邊距小。複數之電場效果晶體(223)係於P型淺井區域(212)上形成，且P型淺井區域(223)上之淺元件分隔區域(214)之深度，比N型深井區域(227)和P型淺井區域(212)之接合深度更淺。因此，複數之電場效果晶體(223)可共用P型淺井區域(212)。另一方面，P型淺井區域(212)因深元件分隔區域(226)和N型深井區域(227)而分隔，故可容易相互形成獨立之複數個P型淺井區域(212)。
简体摘要：本发明系提供一种半导体设备，其包含基板偏压可变式晶体及DTMOS，该设备采取2层井结构，且其井区域之边界所需边距小。复数之电场效果晶体(223)系于P型浅井区域(212)上形成，且P型浅井区域(223)上之浅组件分隔区域(214)之深度，比N型深井区域(227)和P型浅井区域(212)之接合深度更浅。因此，复数之电场效果晶体(223)可共享P型浅井区域(212)。另一方面，P型浅井区域(212)因深组件分隔区域(226)和N型深井区域(227)而分隔，故可容易相互形成独立之复数个P型浅井区域(212)。

5. 发明专利

TW365017B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW365017B
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：TW086117984
申请日：1997-11-29
申请人：夏普股份有限公司
发明人：中野雅行 , 岩田浩 , 松岡俊匡 , 柿本誠三
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/1087 , H01L27/092 , H01L29/7832
摘要：本發明以應用於體半導體基板為前提，提供實現動態臨限值動作之半導體裝置。半導體基板具有第1導電型井區域11，於第1導電型井區域11表面附近，形成第2導電型源區域12及汲區域13，於這些區域12、13間設通道區域14、於通道區域14上順次層積閘絕緣膜15及閘電極16，將閘電極16經絕緣膜15之導通孔(未圖示)連接於井區域11。於此電晶體中，與習知之SOI基板相較，可使井區域11之阻抗數降低十分之一左右。
简体摘要：本发明以应用于体半导体基板为前提，提供实现动态临限值动作之半导体设备。半导体基板具有第1导电型井区域11，于第1导电型井区域11表面附近，形成第2导电型源区域12及汲区域13，于这些区域12、13间设信道区域14、于信道区域14上顺次层积闸绝缘膜15及闸电极16，将闸电极16经绝缘膜15之导通孔(未图标)连接于井区域11。于此晶体管中，与习知之SOI基板相较，可使井区域11之阻抗数降低十分之一左右。

6. 发明专利

TWI493737B 光發電裝置、光發電系統、及具備光發電裝置之車輛有权
简体标题：光发电设备、光发电系统、及具备光发电设备之车辆
公开(公告)号：TWI493737B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101101990
申请日：2012-01-18
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：片岡耕太郎 , KATAOKA, KOHTAROH , 足立浩一郎 , ADACHI, KOHICHIROH , 原田真臣 , HARADA, MASATOMI , 太田佳似 , OHTA, YOSHIJI , 岩田浩 , IWATA, HIROSHI
IPC分类号： H01L31/05 , B60L8/00
CPC分类号： H01L31/0504 , B60L8/003 , B60L11/1877 , B60L15/007 , B60L2200/18 , H01L31/02021 , H01L31/042 , Y02E10/50 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/705 , Y02T10/7083

7. 发明专利

TW201305486A 雷射光利用裝置及車輛用前照燈审中-公开
简体标题：激光光利用设备及车辆用前照灯
公开(公告)号：TW201305486A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101121195
申请日：2012-06-13
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：鹽見竹史 , SHIOMI, TAKESHI , 野村勝 , NOMURA, MASARU , 太田佳似 , OHTA, YOSHIJI , 岩田浩 , IWATA, HIROSHI , 高橋幸司 , TAKAHASHI, KOJI , 岸本克彥 , KISHIMOTO, KATSUHIKO
IPC分类号： F21S8/10 , F21V13/00 , B60Q1/02
CPC分类号： F21V9/08 , B60Q1/0023 , F21S41/14 , F21S41/141 , F21S41/16 , F21S41/285 , F21V7/22 , F21V9/30 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30
摘要：本發明係關於一種利用雷射光之前照燈，其具備接收雷射光之自特定通過路徑或照射區域偏離之雷射光而發出散射光之散射光出射部。
简体摘要：本发明系关于一种利用激光光之前照灯，其具备接收激光光之自特定通过路径或照射区域偏离之激光光而发出散射光之散射光出射部。

8. 发明专利

TW201234730A 雷射發光裝置及使用其之車用燈具 LASER BEAM EMITTING APPARATUS AND VEHICULAR ILLUMINATING APPARATUS INCLUDING THE SAME 审中-公开
简体标题：激光发光设备及使用其之车用灯具 LASER BEAM EMITTING APPARATUS AND VEHICULAR ILLUMINATING APPARATUS INCLUDING THE SAME
公开(公告)号：TW201234730A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100130565
申请日：2011-08-25
申请人：夏普股份有限公司
发明人：片岡耕太郎 , 鹽見竹史 , 野村勝 , 五十嵐弘樹 , 太田佳似 , 岩田浩
IPC分类号： H01S , B60Q
CPC分类号： H01S5/042 , H01S5/4018 , H05B33/0815
摘要：本發明之雷射發光裝置之特徵在於,半導體雷射元件群中包含之半導體雷射元件之個數,係維持斬波電路相對於直流電源之特定的電壓變動而將半導體雷射元件群之所需驅動電壓升壓或降壓之關係之個數。
简体摘要：本发明之激光发光设备之特征在于,半导体激光组件群中包含之半导体激光组件之个数,系维持斩波电路相对于直流电源之特定的电压变动而将半导体激光组件群之所需驱动电压升压或降压之关系之个数。

9. 发明专利

TW201144665A 發光裝置、發光裝置之製造方法、照明裝置及背光审中-公开
简体标题：发光设备、发光设备之制造方法、照明设备及背光
公开(公告)号：TW201144665A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100104679
申请日：2011-02-11
申请人：夏普股份有限公司
发明人：柴田晃秀 , 根岸哲 , 小宮健治 , 岩田浩 , 高橋明
IPC分类号： F21S , F21V , F21Y
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要：本發明係將每個之發光面積為2,500 ��m2以下之複數之棒狀構造發光元件210於同一個絕緣性基板200之安裝面上配置100個以上。藉此,抑制發光時之溫度上升且使發光分散,而提供亮度不均較少、壽命長且高效率之發光裝置。
简体摘要：本发明系将每个之发光面积为2,500 ��m2以下之复数之棒状构造发光组件210于同一个绝缘性基板200之安装面上配置100个以上。借此,抑制发光时之温度上升且使发光分散,而提供亮度不均较少、寿命长且高效率之发光设备。

10. 发明专利

TW515083B 半導體裝置及可攜式電子機器失效
简体标题：半导体设备及可携式电子机器
公开(公告)号：TW515083B
公开(公告)日：2002-12-21
申请号：TW090132187
申请日：2001-12-25
申请人：夏普股份有限公司
发明人：柴田晃秀 , 岩田浩 , 柿本誠三
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0928 , H01L21/761 , H01L21/823878 , H01L21/823892
摘要：本發明之目的係使利用DTMOS及基板偏壓可變電晶體的半導體裝置及可攜式電子機器低消耗電力化。本發明係在1個P型半導體基板(11)上形成複數個N型深井區域(12)。透過P型半導體基板(11)電性分離N型深井區域(12、12)。在N型深井區域(12)上形成P型深井區域(13)與P型淺井區域(15)，並形成N型基板偏壓可變電晶體(26)。在 N型深井區域(12)上形成N型淺井區域(14)，並形成P型基板偏壓可變電晶體(25)。而且，形成P型之DTMOS(28)與N型之DTMOS(27)。
简体摘要：本发明之目的系使利用DTMOS及基板偏压可变晶体管的半导体设备及可携式电子机器低消耗电力化。本发明系在1个P型半导体基板(11)上形成复数个N型深井区域(12)。透过P型半导体基板(11)电性分离N型深井区域(12、12)。在N型深井区域(12)上形成P型深井区域(13)与P型浅井区域(15)，并形成N型基板偏压可变晶体管(26)。在 N型深井区域(12)上形成N型浅井区域(14)，并形成P型基板偏压可变晶体管(25)。而且，形成P型之DTMOS(28)与N型之DTMOS(27)。

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