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1. 发明专利

TWI363345B 用於多位準位元快閃記憶體之抹除方法 ERASE ALGORITHM FOR MULTI-LEVEL BIT FLASH MEMORY 有权
简体标题：用于多位准比特闪存之抹除方法 ERASE ALGORITHM FOR MULTI-LEVEL BIT FLASH MEMORY
公开(公告)号：TWI363345B
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW094118114
申请日：2005-06-02
申请人：史班遜有限公司
发明人：夏大中 , 哈莫頓戴爾蘭 , 巴索法提瑪 , 堀池正人
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/3413 , G11C11/5635 , G11C16/3404 , G11C16/3409
摘要：本發明提供將具有三個或三個以上資料狀態(100、200)之多位準快閃記憶胞(MLB，multi－level flash memory cells)區段抹除為單一資料狀態(1000)之方法(400)。本發明使用交互式區段抹除方法(400)，該方法通過兩個或者兩個以上抹除階段重複抹除(410、440)、驗證(416)、軟程式化(420、450)和程式化(430)該區段以達到高緊密的資料狀態分佈(300、1000)。於一個實施例中，該方法(400)於第一階段本質上使用交互式抹除、軟程式化和程式化脈衝將該區段中所有MLB記憶胞抹除至中間狀態(410、600)和對應的臨限電壓值。然後在第二階段(440、450)，該方法使用另外的交互式抹除(440)和軟程式化脈衝(450)進一步將該區段中的所有MLB記憶胞抹除至最終資料狀態以達到對應的預期之記憶體單元之最終臨限電壓值(1000)。該方法(400)可以選用包括一個或者多個類似操作的附加階段，該等階段可以成功地將區段記憶胞抹除至緊密分佈的相同狀態(1000)而為其後的程式化操作做好準備。本方法之一個態樣在於這些階段所選擇的實際臨限電壓值和/或資料狀態可以由使用者預定並輸入至記憶體裝置。
简体摘要：本发明提供将具有三个或三个以上数据状态(100、200)之多位准快闪记忆胞(MLB，multi－level flash memory cells)区段抹除为单一数据状态(1000)之方法(400)。本发明使用交互式区段抹除方法(400)，该方法通过两个或者两个以上抹除阶段重复抹除(410、440)、验证(416)、软进程化(420、450)和进程化(430)该区段以达到高紧密的数据状态分布(300、1000)。于一个实施例中，该方法(400)于第一阶段本质上使用交互式抹除、软进程化和进程化脉冲将该区段中所有MLB记忆胞抹除至中间状态(410、600)和对应的临限电压值。然后在第二阶段(440、450)，该方法使用另外的交互式抹除(440)和软进程化脉冲(450)进一步将该区段中的所有MLB记忆胞抹除至最终数据状态以达到对应的预期之内存单元之最终临限电压值(1000)。该方法(400)可以选用包括一个或者多个类似操作的附加阶段，该等阶段可以成功地将区段记忆胞抹除至紧密分布的相同状态(1000)而为其后的进程化操作做好准备。本方法之一个态样在于这些阶段所选择的实际临限电压值和/或数据状态可以由用户预定并输入至内存设备。

2. 发明专利

TWI363349B 使用正閘極應力以回復過度抹除記憶胞之方法 METHOD USING POSITIVE GATE STRESS TO RECOVER OVERERASED CELL 有权
简体标题：使用正闸极应力以回复过度抹除记忆胞之方法 METHOD USING POSITIVE GATE STRESS TO RECOVER OVERERASED CELL
公开(公告)号：TWI363349B
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW093129527
申请日：2004-09-30
申请人：史班遜有限公司
发明人：漢米爾頓達琳G , 劉克政 , 藍道夫馬克 , 何誼 , 夏大中 , 湯白羅庫拉挈 , 李米米 , 馬哈尼奧韓
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/3404 , G11C16/0475 , G11C16/107 , G11C16/3409 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C16/345
摘要：一種抹除由複數個記憶胞(10)所組成之快閃電可抹除唯讀記憶體(EEPROM)裝置之方法，包括預先程式化(100)複數個記憶胞(10)、施加抹除脈衝(110)至該複數個記憶胞(10)、接著進行抹除檢驗(120)。抹除檢驗(120)後接著軟程式化(135)任何具有臨限電壓低於預定最小位準(VTMIN)之記憶胞，並施加正閘極應力(130)至該複數個記憶胞(10)。本抹除方法可防止過度抹除並提供嚴格的臨限電壓分佈(第7圖)。
简体摘要：一种抹除由复数个记忆胞(10)所组成之快闪电可抹除唯读内存(EEPROM)设备之方法，包括预先进程化(100)复数个记忆胞(10)、施加抹除脉冲(110)至该复数个记忆胞(10)、接着进行抹除检验(120)。抹除检验(120)后接着软进程化(135)任何具有临限电压低于预定最小位准(VTMIN)之记忆胞，并施加正闸极应力(130)至该复数个记忆胞(10)。本抹除方法可防止过度抹除并提供严格的临限电压分布(第7图)。

3. 发明专利

TWI362666B 程式化雙格記憶體裝置以於各格中儲存多個資料狀態之方法 METHOD OF PROGRAMMING DUAL CELL MEMORY DEVICE TO STORE MULTIPLE DATA STATES PER CELL 有权
简体标题：进程化双格内存设备以于各格中存储多个数据状态之方法 METHOD OF PROGRAMMING DUAL CELL MEMORY DEVICE TO STORE MULTIPLE DATA STATES PER CELL
公开(公告)号：TWI362666B
公开(公告)日：2012-04-21
申请号：TW093107244
申请日：2004-03-18
申请人：史班遜有限公司
发明人：漢彌爾頓達林G , 丁派羅庫拉傑 , 夏大中 , 何誼
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/5671 , G11C16/0475 , G11C16/10
摘要：本發明揭示了一種燒錄多位準雙格記憶體裝置(6)之方法。該方法包含下列步驟：將第一電荷儲存格(38、40)及第二電荷儲存格(38、40)獨立地燒錄到各別的資料狀態，且係自空白燒錄位準或複數個帶電荷燒錄位準中之一帶電荷燒錄位準選擇出該等資料狀態。本發明也揭示了一種使用複數個基準電流來讀取該多位準雙格記憶體裝置之方法。
简体摘要：本发明揭示了一种刻录多位准双格内存设备(6)之方法。该方法包含下列步骤：将第一电荷存储格(38、40)及第二电荷存储格(38、40)独立地刻录到各别的数据状态，且系自空白刻录位准或复数个带电荷刻录位准中之一带电荷刻录位准选择出该等数据状态。本发明也揭示了一种使用复数个基准电流来读取该多位准双格内存设备之方法。

4. 发明专利

TWI336474B 用以讀取與非揮發性記憶體單元陣列之非主動區域相鄰的非揮發性記憶體單元之改良方法及相關記憶體單元陣列 IMPROVED METHOD FOR READING A NON-VOLATILE MEMORY CELL ADJACENT TO AN INACTIVE REGION OF A NON-VOLATILE MEMORY CELL ARRAY AND RELATED MEMORY CELL ARRAY 有权
简体标题：用以读取与非挥发性内存单元数组之非主动区域相邻的非挥发性内存单元之改良方法及相关内存单元数组 IMPROVED METHOD FOR READING A NON-VOLATILE MEMORY CELL ADJACENT TO AN INACTIVE REGION OF A NON-VOLATILE MEMORY CELL ARRAY AND RELATED MEMORY CELL ARRAY
公开(公告)号：TWI336474B
公开(公告)日：2011-01-21
申请号：TW093100987
申请日：2004-01-15
申请人：史班遜有限公司
发明人：夏大中 , 漢米爾頓達蓮娜G , 謝明輝 , 洛寧艾德華 , 艾蜜艾利克 , 陳伯苓 , 蘭道夫馬克W , 何誼
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/82 , G11C16/0491 , G11C16/3404
摘要：本發明提供一種在包含了主動行(45b)與(45g)和非主動行(45c)與(45f)之記憶體單元(48)之陣列(30)內儲存資料模式與重製該資料模式之方法，包括儲存該資料模式於該主動行(45b)和(45g)內。確認非主動記憶體單元程式化模式(programming pattern)(32)。該非主動記憶體單元程式化模式(32)識別在非主動行(45c)和(45f)中所有的或選擇的複數個記憶體單元(48)，以將電荷儲存在該等記憶體單元(48)中，以便週期性地將電荷儲存於該等記憶體單元(48)中，防止於大容量拭除期間過度拭除和漏電至主動記憶體單元(48)中。
简体摘要：本发明提供一种在包含了主动行(45b)与(45g)和非主动行(45c)与(45f)之内存单元(48)之数组(30)内存储数据模式与重制该数据模式之方法，包括存储该数据模式于该主动行(45b)和(45g)内。确认非主动内存单元进程化模式(programming pattern)(32)。该非主动内存单元进程化模式(32)识别在非主动行(45c)和(45f)中所有的或选择的复数个内存单元(48)，以将电荷存储在该等内存单元(48)中，以便周期性地将电荷存储于该等内存单元(48)中，防止于大容量拭除期间过度拭除和漏电至主动内存单元(48)中。

5. 发明专利

TWI326875B 適用於改良的壽命結束〈End-of-life〉讀取幅度的雙單元記憶體裝置操作的方法 METHOD OF DUAL CELL MEMORY DEVICE OPERATION FOR IMPROVED END-OF-LIFE READ MARGIN 有权
简体标题：适用于改良的寿命结束〈End-of-life〉读取幅度的双单元内存设备操作的方法 METHOD OF DUAL CELL MEMORY DEVICE OPERATION FOR IMPROVED END-OF-LIFE READ MARGIN
公开(公告)号：TWI326875B
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW093107892
申请日：2004-03-24
申请人：史班遜有限公司
发明人：漢彌爾頓達林G , 夏大中 , 湯帕羅庫拉 , 麥哈尼亞罕 , 李米米
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/5671 , G11C16/0475 , G11C16/10 , G11C16/3418 , G11C16/3454
摘要：一種程式化雙單元記憶體裝置(6)之方法，該雙單元記憶體裝置具有第一電荷儲存單元(38、40)及第二電荷儲存單元(38、40)。根據本發明的一個態樣，該方法可包含：過度抹除該第一及第二電荷儲存單元以改變記憶體裝置的抹除狀態臨限電壓，使其低於自然狀態臨限電壓。根據本發明的另一個態樣，本方法可包含：將該第一及第二電荷儲存單元程式化至相同的資料狀態，以及驗證該第二程式化電荷儲存單元儲存與該資料狀態相應的電荷。若該驗證失敗，該等電荷儲存單元兩者可被重新脈衝。
简体摘要：一种进程化双单元内存设备(6)之方法，该双单元内存设备具有第一电荷存储单元(38、40)及第二电荷存储单元(38、40)。根据本发明的一个态样，该方法可包含：过度抹除该第一及第二电荷存储单元以改变内存设备的抹除状态临限电压，使其低于自然状态临限电压。根据本发明的另一个态样，本方法可包含：将该第一及第二电荷存储单元进程化至相同的数据状态，以及验证该第二进程化电荷存储单元存储与该数据状态相应的电荷。若该验证失败，该等电荷存储单元两者可被重新脉冲。

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