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1. 发明专利

TW201606843A 用於多束帶電粒子微影系統之裝置审中-公开
简体标题：用于多束带电粒子微影系统之设备
公开(公告)号：TW201606843A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104125995
申请日：2015-08-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王世奇 , WANG, SHIHCHI , 林本堅 , LIN, BURN JENG , 黃暉閔 , HUANG, HUI MIN , 許照榮 , SHIN, JAW JUNG , 林世杰 , LIN, SHY JAY , 簡聰智 , CHIEN, TSUNG CHIH
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/10 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3177 , H01J37/045 , H01J37/10 , H01J37/12 , H01J37/20 , H01J2237/0435 , H01J2237/1205
摘要：一種使用於多束帶電粒子微影系統之裝置包含平台、粒子投射源以及複數個帶電粒子雙合透鏡。粒子投射源用以製造子束。平台用以固定基板且使基板與粒子投射源的輸出產生相對運動。帶電粒子雙合透鏡分別具有第一開口，且分別用以縮小入射第一開口的子束，因而產生朝向平台的縮小子束。
简体摘要：一种使用于多束带电粒子微影系统之设备包含平台、粒子投射源以及复数个带电粒子双合透镜。粒子投射源用以制造子束。平台用以固定基板且使基板与粒子投射源的输出产生相对运动。带电粒子双合透镜分别具有第一开口，且分别用以缩小入射第一开口的子束，因而产生朝向平台的缩小子束。

2. 发明专利

TW201643549A 極紫外線輻射裝置以及輻射產生方法审中-公开
简体标题：极紫外线辐射设备以及辐射产生方法
公开(公告)号：TW201643549A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104138762
申请日：2015-11-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳小真 , WU, TSIAO CHEN , 許照榮 , SHIN, JAW JUNG
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： H05G2/005 , G03F7/70033 , H05G2/006 , H05G2/008
摘要：本揭示文件係關於一種極紫外線(Extreme ultraviolet；EUV)輻射裝置及相關方法，極紫外線輻射裝置產生具有受電磁場控制之軌道的帶電錫液滴。在一些實施例中，極紫外線輻射裝置具有產生雷射束的雷射。帶電燃料液滴產生器將具有淨電荷的複數個帶電燃料液滴提供至極紫外線源容器。電磁場產生器產生電場及/或磁場。帶電燃料液滴之淨電荷引發電場或磁場對帶電燃料液滴產生力，力控制帶電燃料液滴之軌道與雷射束相交。藉由使用電場或磁場控制帶電燃料液滴之軌道，極紫外線系統能夠避免雷射束與帶電燃料液滴之間的聚焦問題。
简体摘要：本揭示文档系关于一种极紫外线(Extreme ultraviolet；EUV)辐射设备及相关方法，极紫外线辐射设备产生具有受电磁场控制之轨道的带电锡液滴。在一些实施例中，极紫外线辐射设备具有产生激光束的激光。带电燃料液滴产生器将具有净电荷的复数个带电燃料液滴提供至极紫外线源容器。电磁场产生器产生电场及/或磁场。带电燃料液滴之净电荷引发电场或磁场对带电燃料液滴产生力，力控制带电燃料液滴之轨道与激光束相交。借由使用电场或磁场控制带电燃料液滴之轨道，极紫外线系统能够避免激光束与带电燃料液滴之间的聚焦问题。

3. 发明专利

TWI437382B 用以改善產能之電子束微影系統和方法有权
简体标题：用以改善产能之电子束微影系统和方法
公开(公告)号：TWI437382B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW100138268
申请日：2011-10-21
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：許照榮 , SHIN, JAWJUNG , 林世杰 , LIN, SHYJAY , 王文娟 , WANG, WENCHUAN , 林本堅 , LIN, BURNJENG
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/302
CPC分类号： G03F7/20 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/2059 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , Y10S430/143

4. 发明专利

TWI578367B 用於多束帶電粒子微影系統之裝置有权
简体标题：用于多束带电粒子微影系统之设备
公开(公告)号：TWI578367B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW104125995
申请日：2015-08-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：王世奇 , WANG, SHIHCHI , 林本堅 , LIN, BURN JENG , 黃暉閔 , HUANG, HUI MIN , 許照榮 , SHIN, JAW JUNG , 林世杰 , LIN, SHY JAY , 簡聰智 , CHIEN, TSUNG CHIH
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/10 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3177 , H01J37/045 , H01J37/10 , H01J37/12 , H01J37/20 , H01J2237/0435 , H01J2237/1205

5. 发明专利

TWI572997B 極紫外線輻射裝置以及輻射產生方法有权
简体标题：极紫外线辐射设备以及辐射产生方法
公开(公告)号：TWI572997B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104138762
申请日：2015-11-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳小真 , WU, TSIAO CHEN , 許照榮 , SHIN, JAW JUNG
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： H05G2/005 , G03F7/70033 , H05G2/006 , H05G2/008

6. 发明专利

TWI476509B 用於光罩製作之積體電路設計方法有权
简体标题：用于光罩制作之集成电路设计方法
公开(公告)号：TWI476509B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW102122906
申请日：2013-06-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：許照榮 , SHIN, JAW JUNG , 林世杰 , LIN, SHY JAY , 林華泰 , LIN, HUA TAI , 林本堅 , LIN, BURN JENG
IPC分类号： G03F1/36 , H01L21/31 , G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F1/70

7. 发明专利

TW201432391A 圖案產生器及製造光阻圖案之方法审中-公开
简体标题：图案产生器及制造光阻图案之方法
公开(公告)号：TW201432391A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW103100774
申请日：2014-01-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：余振華 , YU, CHEN HUA , 包天一 , BAO, TIEN I , 呂志偉 , LU, CHIH WEI , 許照榮 , SHIN, JAW JUNG , 林世杰 , LIN, SHY JAY , 林本堅 , LIN, BURN JENG
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , H01J37/00 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/31789
摘要：一種圖案產生器，包括一鏡陣列板、一第一電極板、一透鏡組及一第一絕緣器層。鏡陣列板具有一鏡。第一電極板係設置於鏡陣列板之上。第一電極板具有至少一第一導電層及至少一第二導電層。透鏡組係設置於鏡之上。透鏡組具有一非直線側壁。非直線側壁係成型於第一電極板之中。第一絕緣器層係設置於鏡陣列板與第一電極板之間。
简体摘要：一种图案产生器，包括一镜数组板、一第一电极板、一透镜组及一第一绝缘器层。镜数组板具有一镜。第一电极板系设置于镜数组板之上。第一电极板具有至少一第一导电层及至少一第二导电层。透镜组系设置于镜之上。透镜组具有一非直线侧壁。非直线侧壁系成型于第一电极板之中。第一绝缘器层系设置于镜数组板与第一电极板之间。

8. 发明专利

TWI544285B 圖案產生器及製造光阻圖案之方法有权
简体标题：图案产生器及制造光阻图案之方法
公开(公告)号：TWI544285B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW103100774
申请日：2014-01-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：余振華 , YU, CHEN HUA , 包天一 , BAO, TIEN I , 呂志偉 , LU, CHIH WEI , 許照榮 , SHIN, JAW JUNG , 林世杰 , LIN, SHY JAY , 林本堅 , LIN, BURN JENG
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , H01J37/00 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/31789

9. 发明专利

TW201407264A 用於光罩製作之積體電路設計方法审中-公开
简体标题：用于光罩制作之集成电路设计方法
公开(公告)号：TW201407264A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102122906
申请日：2013-06-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：許照榮 , SHIN, JAW JUNG , 林世杰 , LIN, SHY JAY , 林華泰 , LIN, HUA TAI , 林本堅 , LIN, BURN JENG
IPC分类号： G03F1/36 , H01L21/31 , G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F1/70
摘要：一種用於光罩製作之積體電路設計方法包括下列步驟。接收一具有一積體電路特徵之積體電路設計布局，前述積體電路特徵具有一第一外邊界以及多個設定於第一外邊界之第一目標點。對於積體電路特徵產生一第二外邊界，且移動所有第一目標點至第二外邊界，以形成一修正過的積體電路設計布局。
简体摘要：一种用于光罩制作之集成电路设计方法包括下列步骤。接收一具有一集成电路特征之集成电路设计布局，前述集成电路特征具有一第一外边界以及多个设置于第一外边界之第一目标点。对于集成电路特征产生一第二外边界，且移动所有第一目标点至第二外边界，以形成一修正过的集成电路设计布局。

10. 发明专利

TW201241572A 用以改善產能之電子束微影系統和方法 ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVING THROUGHPUT 审中-公开
简体标题：用以改善产能之电子束微影系统和方法 ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVING THROUGHPUT
公开(公告)号：TW201241572A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100138268
申请日：2011-10-21
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：許照榮 , 林世杰 , 王文娟 , 林本堅
IPC分类号： G03F , H01J
CPC分类号： G03F7/20 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/2059 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , Y10S430/143
摘要：一種用以改善產能之電子束微影方法和裝置在此揭露。一種例示微影方法包含接收一圖案佈局，此圖案佈局包含一圖案佈局尺度，縮小圖案佈局尺度，以及，以已縮小圖案佈局尺度對一材料層作過度曝光，從而形成包含圖案佈局尺度的圖案佈局於材料層中。
简体摘要：一种用以改善产能之电子束微影方法和设备在此揭露。一种例示微影方法包含接收一图案布局，此图案布局包含一图案布局尺度，缩小图案布局尺度，以及，以已缩小图案布局尺度对一材料层作过度曝光，从而形成包含图案布局尺度的图案布局于材料层中。

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