专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI447271B 控制單晶矽碇之成長程序的方法與裝置有权
简体标题：控制单晶硅碇之成长进程的方法与设备
公开(公告)号：TWI447271B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW099119923
申请日：2010-06-18
申请人：勝高鳳凰城股份有限公司 , SUMCO PHOENIX CORPORATION , 勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：歐夏畢諾 , ORSCHEL, BENNO , 高梨啟一 , TAKANASHI, KEIICHI
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/26 , G01B11/08 , G06T7/12 , G06T2207/30148 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008

2. 发明专利

TWI485294B 用於晶體生長前端上之熱梯度的就地判斷之程序有权
简体标题：用于晶体生长前端上之热梯度的就地判断之进程
公开(公告)号：TWI485294B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW098121377
申请日：2009-06-25
申请人：勝高鳳凰城股份有限公司 , SUMCO PHOENIX CORPORATION , 勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：歐夏畢諾 , ORSCHEL, BENNO , 布茲寇斯基安德魯茲 , BUCZKOWSKI, ANDRZEJ , 濟斯喬 , KEARNS, JOEL , 高梨啟一 , TAKANASHI, KEIICHI , 泰特沃克 , TODT, VOLKER
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/22 , C30B15/203 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1036 , Y10T117/104 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/106 , Y10T117/1064 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072

3. 发明专利

TWI498958B 工件的研磨方法以及研磨裝置有权
简体标题：工件的研磨方法以及研磨设备
公开(公告)号：TWI498958B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW100140404
申请日：2011-11-04
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：緒方晉一 , OGATA, SHINICHI , 谷本龍一 , TANIMOTO, RYUICHI , 高梨啟一 , TAKANASHI, KEIICHI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/015 , B24B37/08 , B24B49/14

4. 发明专利

TWI460603B 在晶體成長期間修正實際與標稱拉升速度之間的速度偏差的方法有权
简体标题：在晶体成长期间修正实际与标称拉升速度之间的速度偏差的方法
公开(公告)号：TWI460603B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW099130677
申请日：2010-09-10
申请人：勝高鳳凰城股份有限公司 , SUMCO PHOENIX CORPORATION , 勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：歐夏畢諾 , ORSCHEL, BENNO , 高梨啟一 , TAKANASHI, KEIICHI
IPC分类号： G06F19/00 , C30B15/24
CPC分类号： C30B15/30 , C30B15/20 , G05B11/06 , Y10T117/1008

5. 发明专利

TWI434338B 晶圓的研磨方法有权
简体标题：晶圆的研磨方法
公开(公告)号：TWI434338B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW099141784
申请日：2010-12-01
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：緒方晉一 , OGATA, SHINICHI , 御廚俊介 , MIKURIYA, SHUNSUKE , 高石和成 , TAKAISHI, KAZUSHIGE , 高梨啟一 , TAKANASHI, KEIICHI , 谷口鐵郎 , TANIGUCHI, TETSUROU
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/013 , B24B37/042 , B24B37/08

6. 发明专利

TWI485293B 於生長製程中用於控制矽晶錠直徑的方法與設備有权
简体标题：于生长制程中用于控制硅晶锭直径的方法与设备
公开(公告)号：TWI485293B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW098121375
申请日：2009-06-25
申请人：勝高鳳凰城股份有限公司 , SUMCO PHOENIX CORPORATION , 勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：歐夏畢諾 , ORSCHEL, BENNO , 濟斯喬 , KEARNS, JOEL , 高梨啟一 , TAKANASHI, KEIICHI , 泰特沃克 , TODT, VOLKER
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032

7. 发明专利

TW201009133A 於生長製程中用於控制矽晶錠直徑的方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING DIAMETER OF A SILICON CRYSTAL INGOT IN A GROWTH PROCESS 审中-公开
简体标题：于生长制程中用于控制硅晶锭直径的方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING DIAMETER OF A SILICON CRYSTAL INGOT IN A GROWTH PROCESS
公开(公告)号：TW201009133A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098121375
申请日：2009-06-25
申请人：勝高鳳凰城股份有限公司 , 勝高股份有限公司
发明人：歐夏畢諾 , 濟斯喬 , 高梨啟一 , 泰特沃克
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要：本發明係有關根據CZ製程由矽熔融物生長單晶矽錠的改良方法與設備。此改良方法進行定義彎月面的目標錐度與測量錐度之間的誤差，且將該錐度誤差轉換為對於該矽錠的牽引速度之反饋調整。用於控制該CZ製程的習用控制模式仰賴線性控制(PID)，其控制直徑與該牽引速度之間的時域所定義之二次關係的非線性系統。本發明將該直徑與該牽引速度之間的時域之二次關係轉換為該錠的彎月面錐度與該牽引速度之間的長度域(length domain)之直喻(simile)線性關係。本發明應用於長度域操作的線性控制(修正PID)，且控制在該長度域的錠錐度與牽引速度之間具有線性關係的系統以控制正在生長矽錠的直徑。
简体摘要：本发明系有关根据CZ制程由硅熔融物生长单晶硅锭的改良方法与设备。此改良方法进行定义弯月面的目标锥度与测量锥度之间的误差，且将该锥度误差转换为对于该硅锭的牵引速度之反馈调整。用于控制该CZ制程的习用控制模式仰赖线性控制(PID)，其控制直径与该牵引速度之间的时域所定义之二次关系的非线性系统。本发明将该直径与该牵引速度之间的时域之二次关系转换为该锭的弯月面锥度与该牵引速度之间的长度域(length domain)之直喻(simile)线性关系。本发明应用于长度域操作的线性控制(修正PID)，且控制在该长度域的锭锥度与牵引速度之间具有线性关系的系统以控制正在生长硅锭的直径。

8. 发明专利

TW201128434A 在晶體成長期間修正實際與標稱拉昇速度之間的速度偏差的方法 METHOD FOR CORRECTING SPEED DEVIATIONS BETWEEN ACTUAL AND NOMINAL PULL SPEED DURING CRYSTAL GROWTH 审中-公开
简体标题：在晶体成长期间修正实际与标称拉升速度之间的速度偏差的方法 METHOD FOR CORRECTING SPEED DEVIATIONS BETWEEN ACTUAL AND NOMINAL PULL SPEED DURING CRYSTAL GROWTH
公开(公告)号：TW201128434A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099130677
申请日：2010-09-10
申请人：勝高鳳凰城股份有限公司 , 勝高股份有限公司
发明人：歐夏畢諾 , 高梨啟一
IPC分类号： G06F , C30B
CPC分类号： C30B15/30 , C30B15/20 , G05B11/06 , Y10T117/1008
摘要：一種系統及方法修正晶體拉升機構中之晶體拉升馬達速度偏差。在第一實施例中，處理器藉由基於先前狀態及自當時起行進之標稱距離估計新濾波器狀態，且隨後基於亦為所述行進之標稱距離之函數的估計誤差及濾波器增益而更新所述濾波器狀態來實施追蹤濾波器。在第二實施例中，諧波追蹤濾波器抑制殘餘諧波調變，且允許短時間常數。因此可修正拉升速度之快速變化。
简体摘要：一种系统及方法修正晶体拉升机构中之晶体拉升马达速度偏差。在第一实施例中，处理器借由基于先前状态及自当时起行进之标称距离估计新滤波器状态，且随后基于亦为所述行进之标称距离之函数的估计误差及滤波器增益而更新所述滤波器状态来实施追踪滤波器。在第二实施例中，谐波追踪滤波器抑制残余谐波调制，且允许短时间常数。因此可修正拉升速度之快速变化。

9. 发明专利

TW201126587A 晶圓的研磨方法 POLISHING METHOD OF WAFER 审中-公开
简体标题：晶圆的研磨方法 POLISHING METHOD OF WAFER
公开(公告)号：TW201126587A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099141784
申请日：2010-12-01
申请人：勝高股份有限公司
发明人：緒方晉一 , 御廚俊介 , 高石和成 , 高梨啟一 , 谷口鐵郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/013 , B24B37/042 , B24B37/08
摘要：本發明的目的在於提供一種晶圓的研磨方法,該晶圓的研磨方法可抑制自載體發出的噪音,而且可使研磨之後的晶圓的厚度的不均減小。該晶圓的研磨方法是將研磨液供給至位於包括保持著晶圓20的圓孔11且厚度比晶圓20更薄的載體10的上下之一對研磨墊30的表面30a,相對於上述載體10,使上述研磨墊30相對地滑動,藉此來同時對保持於上述載體10的晶圓20的兩個面進行研磨,該晶圓的研磨方法的特徵在於:對因上述載體10的厚度與上述晶圓20的厚度之差達到規定値而由上述載體10發出的資訊進行檢測,藉此來算出上述晶圓20的厚度,使研磨結束。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种晶圆的研磨方法,该晶圆的研磨方法可抑制自载体发出的噪音,而且可使研磨之后的晶圆的厚度的不均减小。该晶圆的研磨方法是将研磨液供给至位于包括保持着晶圆20的圆孔11且厚度比晶圆20更薄的载体10的上下之一对研磨垫30的表面30a,相对于上述载体10,使上述研磨垫30相对地滑动,借此来同时对保持于上述载体10的晶圆20的两个面进行研磨,该晶圆的研磨方法的特征在于:对因上述载体10的厚度与上述晶圆20的厚度之差达到规定値而由上述载体10发出的信息进行检测,借此来算出上述晶圆20的厚度,使研磨结束。

10. 发明专利

TW201230184A 工件的研磨方法以及研磨裝置 GRINDING METHOD FOR WORKPIECE AND GRINDING DEVICE 审中-公开
简体标题：工件的研磨方法以及研磨设备 GRINDING METHOD FOR WORKPIECE AND GRINDING DEVICE
公开(公告)号：TW201230184A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100140404
申请日：2011-11-04
申请人：勝高股份有限公司
发明人：緒方晉一 , 谷本龍一 , 高梨啟一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/015 , B24B37/08 , B24B49/14
摘要：本發明的研磨方法的特徵在於:對載板的溫度進行測定,並根據測定出的載板的溫度的變化來對工件(晶圓)的研磨量進行控制。
简体摘要：本发明的研磨方法的特征在于:对载板的温度进行测定,并根据测定出的载板的温度的变化来对工件(晶圆)的研磨量进行控制。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式