专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201513199A 晶圓硏磨方法以及晶圓硏磨裝置审中-公开
简体标题：晶圆研磨方法以及晶圆研磨设备
公开(公告)号：TW201513199A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103127409
申请日：2014-08-11
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：川崎智憲 , KAWASAKI, TOMONORI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/013
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/20 , B24B37/34 , B24B49/06 , H01L21/02024
摘要：本發明提供一種有實用性的晶圓研磨方法，可減少因虛設研磨引起的晶圓損失，並且可使製品用晶圓的亮點缺陷的數量穩定於較少的等級。本發明的晶圓研磨方法是利用相同的研磨布112進行多次研磨處理，該研磨處理是藉由使晶圓104與設置於壓盤110表面的研磨布112接觸並使壓盤110及晶圓104旋轉，而對晶圓104表面進行研磨。此時，測定研磨布112的接觸角，基於其測定值而確定自初始研磨(虛設研磨)步驟切換為正式研磨步驟的時間。
简体摘要：本发明提供一种有实用性的晶圆研磨方法，可减少因虚设研磨引起的晶圆损失，并且可使制品用晶圆的亮点缺陷的数量稳定于较少的等级。本发明的晶圆研磨方法是利用相同的研磨布112进行多次研磨处理，该研磨处理是借由使晶圆104与设置于压盘110表面的研磨布112接触并使压盘110及晶圆104旋转，而对晶圆104表面进行研磨。此时，测定研磨布112的接触角，基于其测定值而确定自初始研磨(虚设研磨)步骤切换为正式研磨步骤的时间。

2. 发明专利

TWI528441B 晶圓硏磨方法以及晶圓硏磨裝置有权
简体标题：晶圆研磨方法以及晶圆研磨设备
公开(公告)号：TWI528441B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103127409
申请日：2014-08-11
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：川崎智憲 , KAWASAKI, TOMONORI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/013
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/20 , B24B37/34 , B24B49/06 , H01L21/02024

3. 发明专利

TWI614802B 晶圓研磨方法及研磨裝置有权
简体标题：晶圆研磨方法及研磨设备
公开(公告)号：TWI614802B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW105136098
申请日：2016-11-07
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：川崎智憲 , KAWASAKI, TOMONORI , 寺川良也 , TERAKAWA, RYOYA
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/08 , B24B49/10 , B24B49/16
CPC分类号： B24B37/08 , H01L21/304

4. 发明专利

TW201634180A 半導體晶圓之逐片式單面硏磨方法及半導體晶圓之逐片式單面硏磨裝置审中-公开
简体标题：半导体晶圆之逐片式单面研磨方法及半导体晶圆之逐片式单面研磨设备
公开(公告)号：TW201634180A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104133969
申请日：2015-10-16
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：川崎智憲 , KAWASAKI, TOMONORI
IPC分类号： B24B37/04 , B24B1/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/30 , H01L21/02013 , H01L21/30625
摘要：提供一種可提高半導體晶圓的平坦度，而且抑制平坦度之不均的逐片式單面研磨方法及逐片式單面研磨裝置。本發明之半導體晶圓的逐片式單面研磨方法的特徵為：包含：研磨步驟，係將研磨頭120所握持之半導體晶圓1推壓至平台140，並對半導體晶圓1進行研磨；及換握步驟，係將研磨頭120所握持之半導體晶圓1從平台140搬運至該平台外的托盤190上，接著，使半導體晶圓1脫離研磨頭120，並將半導體晶圓1載置於托盤190，在研磨頭120之轉向使該載置之半導體晶圓1及研磨頭120的相對位置移動，然後，藉研磨頭120握持該載置之半導體晶圓1；進行該研磨步驟複數次，並在該複數次研磨步驟之間的空檔，進行該換握步驟至少一次以上。
简体摘要：提供一种可提高半导体晶圆的平坦度，而且抑制平坦度之不均的逐片式单面研磨方法及逐片式单面研磨设备。本发明之半导体晶圆的逐片式单面研磨方法的特征为：包含：研磨步骤，系将研磨头120所握持之半导体晶圆1推压至平台140，并对半导体晶圆1进行研磨；及换握步骤，系将研磨头120所握持之半导体晶圆1从平台140搬运至该平台外的托盘190上，接着，使半导体晶圆1脱离研磨头120，并将半导体晶圆1载置于托盘190，在研磨头120之转向使该载置之半导体晶圆1及研磨头120的相对位置移动，然后，藉研磨头120握持该载置之半导体晶圆1；进行该研磨步骤复数次，并在该复数次研磨步骤之间的空档，进行该换握步骤至少一次以上。

5. 发明专利

TWI608897B 半導體晶圓之逐片式單面硏磨方法及半導體晶圓之逐片式單面硏磨裝置有权
简体标题：半导体晶圆之逐片式单面研磨方法及半导体晶圆之逐片式单面研磨设备
公开(公告)号：TWI608897B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW104133969
申请日：2015-10-16
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：川崎智憲 , KAWASAKI, TOMONORI
IPC分类号： B24B37/04 , B24B1/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/30 , H01L21/02013 , H01L21/30625

6. 发明专利

TW201730951A 晶圓研磨方法及研磨裝置审中-公开
简体标题：晶圆研磨方法及研磨设备
公开(公告)号：TW201730951A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105136098
申请日：2016-11-07
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：川崎智憲 , KAWASAKI, TOMONORI , 寺川良也 , TERAKAWA, RYOYA
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/08 , B24B49/10 , B24B49/16
CPC分类号： B24B37/08 , H01L21/304
摘要：抑制晶圓外周的移除厚度形狀的波動使其不隨著研磨墊生命期的進行而變化。一種晶圓研磨方法，其係在貼附了研磨墊12的旋轉定盤10上供給研磨漿，並且用加壓頭13將研磨墊12上的晶圓加壓保持同時使旋轉定盤10及加壓頭13旋轉，以對晶圓的單面進行研磨，監測晶圓研磨中的研磨墊12之表面溫度T以及旋轉驅動旋轉定盤10之馬達11a的負荷電流值F，算出F/T值，基於前記F/T值控制旋轉定盤10之旋轉速度及加壓頭13之研磨壓力當中的至少一者。
简体摘要：抑制晶圆外周的移除厚度形状的波动使其不随着研磨垫生命期的进行而变化。一种晶圆研磨方法，其系在贴附了研磨垫12的旋转定盘10上供给研磨浆，并且用加压头13将研磨垫12上的晶圆加压保持同时使旋转定盘10及加压头13旋转，以对晶圆的单面进行研磨，监测晶圆研磨中的研磨垫12之表面温度T以及旋转驱动旋转定盘10之马达11a的负荷电流值F，算出F/T值，基于前记F/T值控制旋转定盘10之旋转速度及加压头13之研磨压力当中的至少一者。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式