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1. 发明专利

TWI663293B 電鍍系統之氣體攪拌裝置有权
简体标题：电镀系统之气体搅拌设备
公开(公告)号：TWI663293B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW107121405
申请日：2018-06-22
申请人：先豐通訊股份有限公司 , BOARDTEK ELECTRONICS CORPORATION
发明人：鄭文鋒 , CHENG, WEN-FENG , 許吉昌 , HSU, CHI-CHANG , 孫尚培 , SUN, SHANG-PEI , 黃伯軒 , HUANG, BO-SYUAN , 吳博軒 , WU, PO-HSUAN
IPC分类号： C25D21/10 , C25D21/12

2. 发明专利

TW201813466A 晶片埋入式電路板結構及其製造方法审中-公开
简体标题：芯片埋入式电路板结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201813466A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105128453
申请日：2016-09-02
申请人：先豐通訊股份有限公司 , BOARDTEK ELECTRONICS CORPORATION
发明人：李建成 , LEE, CHIEN CHENG , 鄭文鋒 , CHENG, WEN FENG , 廖中興 , LIAO, CHUNG HSING
IPC分类号： H05K1/18 , H05K3/46
CPC分类号： H05K1/185 , H05K1/0203 , H05K1/0209 , H05K1/021 , H05K1/0268 , H05K1/0298 , H05K3/0097 , H05K3/06 , H05K3/32 , H05K3/40 , H05K3/4641 , H05K3/4644 , H05K3/4697 , H05K2201/066 , H05K2201/10522 , H05K2203/0228 , H05K2203/16
摘要：一種晶片埋入式電路板結構包含多層板及埋置於多層板內的功率模組。功率模組包括絕緣基材、被絕緣基材包覆的功率單元、及設置於絕緣基材表面的線路層。所述功率單元包括有電熱傳導座以及多個功率晶片，電熱傳導座包含有傳導部及垂直地相連於傳導部的承載部，而每個功率晶片具有位於相反側的第一電極層與第二電極層，上述多個第一電極層固定且並聯地電性連接於承載部，並且所述多個功率晶片位於傳導部的一側。線路層電性連接於所述電熱傳導座與多個所述功率晶片的第二電極層，以使功率模組能通過線路層與電熱傳導座而測試每個功率晶片。
简体摘要：一种芯片埋入式电路板结构包含多层板及埋置于多层板内的功率模块。功率模块包括绝缘基材、被绝缘基材包覆的功率单元、及设置于绝缘基材表面的线路层。所述功率单元包括有电热传导座以及多个功率芯片，电热传导座包含有传导部及垂直地相连于传导部的承载部，而每个功率芯片具有位于相反侧的第一电极层与第二电极层，上述多个第一电极层固定且并联地电性连接于承载部，并且所述多个功率芯片位于传导部的一侧。线路层电性连接于所述电热传导座与多个所述功率芯片的第二电极层，以使功率模块能通过线路层与电热传导座而测试每个功率芯片。

3. 实用新型

TWM555362U 電鍍輔助板及應用其之電鍍系統有权
简体标题：电镀辅助板及应用其之电镀系统
公开(公告)号：TWM555362U
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW106213642
申请日：2017-09-13
申请人：先豐通訊股份有限公司 , BOARDTEK ELECTRONICS CORPORATION
发明人：鄭文鋒 , CHENG, WEN-FENG , 許吉昌 , HSU, CHI-CHANG , 孫尚培 , SUN, SHANG-PEI , 吳博軒 , WU, PO-HSUAN , 許宏瑋 , HSU, HUNG-WEI
IPC分类号： C25D17/00

4. 发明专利

TW201420818A 電化學方法及其裝置审中-公开
简体标题：电化学方法及其设备
公开(公告)号：TW201420818A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW101144907
申请日：2012-11-30
申请人：先豐通訊股份有限公司 , 辛耘企業股份有限公司 , SCIENTECH CORPORATION
发明人：鄭文鋒 , CHENG, WEN FENG , 許吉昌 , HSU, CHI CHANG , 游輝鑫 , 陳昆民 , 林建利 , LIN, CHIEN LI , 林建中 , LIN, CHIEN CHUNG
IPC分类号： C25D5/04 , C25D19/00
摘要：本發明係於被加工物件表面進行電鍍、電拋或電拋等電化學加工，尤其是應用於大尺寸之被加工物件時，不需要大電流，並可利用連續批次性完成，亦兼具有效節省人力、空間與時間，以及加工均勻性佳等優點及功效；本發明之電化學方法主要利用電鍍槽模組中容置有電極板以及電解液，利用電鍍槽模組與被加工物件間形成相對移動，讓被加工物件與電解液接觸而產生電解反應，對被加工物件之表面進行電化學加工。
简体摘要：本发明系于被加工对象表面进行电镀、电抛或电抛等电化学加工，尤其是应用于大尺寸之被加工对象时，不需要大电流，并可利用连续批次性完成，亦兼具有效节省人力、空间与时间，以及加工均匀性佳等优点及功效；本发明之电化学方法主要利用电镀槽模块中容置有电极板以及电解液，利用电镀槽模块与被加工对象间形成相对移动，让被加工对象与电解液接触而产生电解反应，对被加工对象之表面进行电化学加工。

5. 实用新型

TWM454413U 電化學加工裝置有权
简体标题：电化学加工设备
公开(公告)号：TWM454413U
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101223177
申请日：2012-11-30
申请人：先豐通訊股份有限公司 , 辛耘企業股份有限公司 , SCIENTECH CORPORATION
发明人：鄭文鋒 , CHENG, WEN FENG , 許吉昌 , HSU, CHI CHANG , 游輝鑫 , 陳昆民 , 林建利 , LIN, CHIEN LI , 林建中 , LIN, CHIEN CHUNG
IPC分类号： C25D19/00

6. 发明专利

TW201219768A 液體濃度檢測裝置审中-公开
简体标题：液体浓度检测设备
公开(公告)号：TW201219768A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW099138916
申请日：2010-11-12
申请人：先豐通訊股份有限公司
发明人：鄭文鋒 , 許吉昌 , 池桓壯
IPC分类号： G01N
摘要：本發明主要提供一種可快速偵測液體所含微粒或金屬離子濃度的液體濃度檢測裝置。所述之液體濃度檢測裝置係利用光束通過液體之前，先行觸發一第一光電元件使其產生一第一啟動訊號，並在光束通過液體之後觸發一第二光電元件使其產生一第二啟動訊號；再由一訊號處理器依照其接收到第二啟動訊號及第一啟動訊號之時間差，計算出光束通過受測液體的時間，並與內建的數據換算比對，即可快速取得用以表示液體濃度狀態之數值。
简体摘要：本发明主要提供一种可快速侦测液体所含微粒或金属离子浓度的液体浓度检测设备。所述之液体浓度检测设备系利用光束通过液体之前，先行触发一第一光电组件使其产生一第一启动信号，并在光束通过液体之后触发一第二光电组件使其产生一第二启动信号；再由一信号处理器依照其接收到第二启动信号及第一启动信号之时间差，计算出光束通过受测液体的时间，并与内置的数据换算比对，即可快速取得用以表示液体浓度状态之数值。

7. 发明专利

TW201137800A 儀錶監控系統审中-公开
简体标题：仪表监控系统
公开(公告)号：TW201137800A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099112688
申请日：2010-04-22
申请人：先豐通訊股份有限公司
发明人：鄭文鋒 , 許吉昌 , 池桓壯
IPC分类号： G08C
摘要：本發明之儀錶監控系統主要在所監控的儀錶處設有一感光元件及至少一輔助光源,並設有一遠端主機用以接收感光元件的訊號之後,進一步判讀儀錶之指針位置並演算成數値,俾可透過遠端主機達到遠端監控儀錶之目的,藉以提升監控便利性,並可免除必須到現場監控儀錶之風險。尤其,經由演算所得的數値可直接反應該儀錶偵測項目之運作狀態之外,亦可用於數位資料管理選擇及圖控整合,使能夠提升相關設備之監控、管理效率。
简体摘要：本发明之仪表监控系统主要在所监控的仪表处设有一感光组件及至少一辅助光源,并设有一远程主机用以接收感光组件的信号之后,进一步判读仪表之指针位置并演算成数値,俾可透过远程主机达到远程监控仪表之目的,借以提升监控便利性,并可免除必须到现场监控仪表之风险。尤其,经由演算所得的数値可直接反应该仪表侦测项目之运作状态之外,亦可用于数码数据管理选择及图控集成,使能够提升相关设备之监控、管理效率。

8. 实用新型

TWM413693U 蝕刻廢液之回收裝置失效
简体标题：蚀刻废液之回收设备
公开(公告)号：TWM413693U
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：TW100208104
申请日：2007-05-14
申请人：先豐通訊股份有限公司
发明人：鄭文鋒 , 熊祖德 , 孫尚培
IPC分类号： C23F
摘要：本創作主要係利用薄膜電極沉積法(Membrane Electrodeposition)處理含有銅離子之氯化鐵蝕刻廢液。將氯化鐵蝕刻廢液置於陰極室中，其中之氯化鐵完全轉化為氯化亞鐵後，銅離子於陰極上沉積為銅，以機械力將陰極上之銅屑刮下，銅屑隨氯化亞鐵溶液經過濾機將銅屑濾出。俟銅離子完全於陰極沉積除盡後，將所濾出之氯化亞鐵溶液導入陽極室中。其氯化亞鐵之亞鐵離子於陽極室形成氯化鐵，可再回收使用為蝕刻液。
简体摘要：本创作主要系利用薄膜电极沉积法(Membrane Electrodeposition)处理含有铜离子之氯化铁蚀刻废液。将氯化铁蚀刻废液置于阴极室中，其中之氯化铁完全转化为氯化亚铁后，铜离子于阴极上沉积为铜，以机械力将阴极上之铜屑刮下，铜屑随氯化亚铁溶液经过滤机将铜屑滤出。俟铜离子完全于阴极沉积除尽后，将所滤出之氯化亚铁溶液导入阳极室中。其氯化亚铁之亚铁离子于阳极室形成氯化铁，可再回收使用为蚀刻液。

9. 发明专利

TW200643227A 不溶性陽極電鍍系統與方法审中-公开
简体标题：不溶性阳极电镀系统与方法
公开(公告)号：TW200643227A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW094118148
申请日：2005-06-02
申请人：先豐通訊股份有限公司
发明人：鄭文鋒 , 熊祖德 , 李建成
IPC分类号： C25D
摘要：本發明係揭露一種不溶性陽極電鍍系統與方法，其係在一電鍍槽內之作為陰極之待電鍍板與不溶性陽極之間設置有半透膜之設計，以利用此半透膜之存在，來阻擋陽極於電鍍時產生的氧氣或其自由基與槽內之添加劑接觸，以降低添加劑消耗，並使電鍍液中之微量金屬雜質不會直接與不溶性陽極接觸，進而延長陽極使用壽命。
简体摘要：本发明系揭露一种不溶性阳极电镀系统与方法，其系在一电镀槽内之作为阴极之待电镀板与不溶性阳极之间设置有半透膜之设计，以利用此半透膜之存在，来阻挡阳极于电镀时产生的氧气或其自由基与槽内之添加剂接触，以降低添加剂消耗，并使电镀液中之微量金属杂质不会直接与不溶性阳极接触，进而延长阳极使用寿命。

10. 发明专利

TW200634951A 多凸塊式半導體載板結構及其製造方法失效
简体标题：多凸块式半导体载板结构及其制造方法
公开(公告)号：TW200634951A
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW094109761
申请日：2005-03-29
申请人：先豐通訊股份有限公司
发明人：鄭文鋒 , 林己智 LIN, ROD , 孫渤 SUN, BO , 王宏仁 WANG, JAMES
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
摘要：本發明提供一種多凸塊式半導體載板結構及其製造方法，其係將具有一第一表面及一第二表面的金屬板利用多次的蝕刻／深控成型，在第一表面形成複數刻槽，而第二表面則形成複數凸塊排列，且在金屬板內且相鄰該凸塊設置一間隔物，此間隔物顯露在每一刻槽內，且藉由間隔物材質不同使每一凸塊具導電性／非導電性。因此本發明具有預作導電凸塊及散熱良好的特性，且利用間隔物與支撐結構之製作使得晶片的佈線更多樣化，而預作的導電凸塊，可使製造成本及步驟減少。
简体摘要：本发明提供一种多凸块式半导体载板结构及其制造方法，其系将具有一第一表面及一第二表面的金属板利用多次的蚀刻／深控成型，在第一表面形成复数刻槽，而第二表面则形成复数凸块排列，且在金属板内且相邻该凸块设置一间隔物，此间隔物显露在每一刻槽内，且借由间隔物材质不同使每一凸块具导电性／非导电性。因此本发明具有预作导电凸块及散热良好的特性，且利用间隔物与支撑结构之制作使得芯片的布线更多样化，而预作的导电凸块，可使制造成本及步骤减少。

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