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    • 1. 发明专利
    • 多層基板的製造方法
    • 多层基板的制造方法
    • TW201811140A
    • 2018-03-16
    • TW106118886
    • 2017-06-07
    • 日商電裝股份有限公司DENSO CORPORATION
    • 原田敏一HARADA, TOSHIKAZU
    • H05K3/46H05K3/40
    • H01L23/12H05K3/40H05K3/46
    • 多層基板的製造方法,包含準備工程、充填工程、第1、第2、及第3形成工程。準備工程,是準備在單面形成有導體圖樣(18)之絕緣基材(12)。此時,導體圖樣(18),由Cu元素所構成。 此外,在導體圖樣(18)的絕緣基材(12)側的表面形成有Ni層(16)。第1形成工程,是對絕緣基材(12)形成以導體圖樣(18)為底(20a)之導孔洞(20)。此時,將位於成為底(20a)的範圍之Ni層(16)予以除去。充填工程,是在導孔洞(20)的內部充填導電膏(22)。第2形成工程,是層積複數個絕緣基材(12)而形成層積體(24)。第3形成工程,是將層積體(24)一面加壓一面加熱。如此一來,多層基板的製造方法中,複數個絕緣基材(12)會被一體化,而會形成導孔(26)。此時,在導體圖樣(28)與導孔(26)之間,會形成含有導電膏(22)中的金屬元素與Cu元素之擴散層(24)。
    • 多层基板的制造方法,包含准备工程、充填工程、第1、第2、及第3形成工程。准备工程,是准备在单面形成有导体图样(18)之绝缘基材(12)。此时,导体图样(18),由Cu元素所构成。 此外,在导体图样(18)的绝缘基材(12)侧的表面形成有Ni层(16)。第1形成工程,是对绝缘基材(12)形成以导体图样(18)为底(20a)之导孔洞(20)。此时,将位于成为底(20a)的范围之Ni层(16)予以除去。充填工程,是在导孔洞(20)的内部充填导电膏(22)。第2形成工程,是层积复数个绝缘基材(12)而形成层积体(24)。第3形成工程,是将层积体(24)一面加压一面加热。如此一来,多层基板的制造方法中,复数个绝缘基材(12)会被一体化,而会形成导孔(26)。此时,在导体图样(28)与导孔(26)之间,会形成含有导电膏(22)中的金属元素与Cu元素之扩散层(24)。