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1. 发明专利

TWI228131B 縮醛化合物、高分子化合物、光阻材料及圖型之形成方法失效
简体标题：缩醛化合物、高分子化合物、光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI228131B
公开(公告)日：2005-02-21
申请号：TW090119267
申请日：2001-08-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：渡邊武 WATANABE, TAKERU , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 西恆寬 NISHI, TSUNEHIRO , 中島睦雄 NAKASHIMA, MUTSUO , 橘誠一郎 TACHIBANA, SEIICHIRO , 山潤 HATAKEYAMA, JUN
IPC分类号： C08G
CPC分类号： C08G61/08 , C08G61/02 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明係揭示一種下記式(1)所示之縮醛化合物。(式中，R為氫原子或碳數1至6之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基；X為1個氫原子可被羥基或乙醯氧基取代之-( CH2)m-；k為0或1，m為滿足1≦m≦8之整數，n為2或3)。
使用本發明之高分子化合物作為基礎樹脂所得之光阻材料，可感應高能量線，且具有優良之感度、解像性、耐蝕刻性等，故極適用於電子線或遠紫外線之微細加工。特別是對ArF等離子雷射、KrF等離子雷射等曝光波長之吸收較少，所以極容易形成微細且對基板為垂直之圖型。
简体摘要：本发明系揭示一种下记式(1)所示之缩醛化合物。(式中，R为氢原子或碳数1至6之直链状、支链状或环状烷基；X为1个氢原子可被羟基或乙酰氧基取代之-( CH2)m-；k为0或1，m为满足1≦m≦8之整数，n为2或3)。使用本发明之高分子化合物作为基础树脂所得之光阻材料，可感应高能量线，且具有优良之感度、解像性、耐蚀刻性等，故极适用于电子线或远紫外线之微细加工。特别是对ArF等离子激光、KrF等离子激光等曝光波长之吸收较少，所以极容易形成微细且对基板为垂直之图型。

2. 发明专利

TW575787B 具有脂環結構之新穎酯化合物及其製造方法失效
简体标题：具有脂环结构之新颖酯化合物及其制造方法
公开(公告)号：TW575787B
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：TW090110150
申请日：2001-04-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：渡邊武 WATANABE, TAKERU , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 中島睦雄 NAKASHIMA, MUTSUO , 橘誠一郎 TACHIBANA, SEIICHIRO , 西恆寬 NISHI, TSUNEHIRO , 山潤 HATAKEYAMA, JUN
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0397 , C07C69/732 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C07C2603/68 , C07C2603/74 , C07C2603/86 , G03F7/0395
摘要：本發明係提供一種如下記一般式(I)所示之酯化合物。
(式中，R1代表氫原子，或碳數1~6之直鏈狀，分枝或環狀烷基。R2代表酸不安定基。k為0或1，m為滿足o≦m≦5之整數者。)
使用聚合本發明酯化合物所得之聚合物，調製之光阻材料感應於高能量線、具良好之基板密合性、感度、顯像性、耐蝕刻性，藉由電子線、遠紫外線對微細加工。特別是於ArF激元雷射，KrF激元雷射之曝光波長的吸收極小，因此，可輕易形成微細且對於基板呈垂直之模型，作為理想之超LSI製造用之微細模型形成材料者。
简体摘要：本发明系提供一种如下记一般式(I)所示之酯化合物。 (式中，R1代表氢原子，或碳数1~6之直链状，分枝或环状烷基。R2代表酸不安定基。k为0或1，m为满足o≦m≦5之整数者。) 使用聚合本发明酯化合物所得之聚合物，调制之光阻材料感应于高能量线、具良好之基板密合性、感度、显像性、耐蚀刻性，借由电子线、远紫外线对微细加工。特别是于ArF激元激光，KrF激元激光之曝光波长的吸收极小，因此，可轻易形成微细且对于基板呈垂直之模型，作为理想之超LSI制造用之微细模型形成材料者。

3. 发明专利

TWI225184B 增强化學性型光阻材料 CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE RESIST COMPOSITION 有权
简体标题：增强化学性型光阻材料 CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE RESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TWI225184B
公开(公告)日：2004-12-11
申请号：TW090100956
申请日：2001-01-16
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊修 WATANABE, OSAMU , 渡邊淳 WATANABE, JUN , 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 西恆寬 NISHI, TSUNEHIRO , 金生剛 KINSHO, TAKESHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/106 , Y10S430/11
摘要：一種增強化學性型光阻材料，其係含有由係下式(1)所示重複單位與式(2)所示重複單位，或由式(2)所示重複單位所構成之分子量分布為1.0至1.5之高分子化合物者。(式中，R1為氫原子、烷氧烷基，乙醯基或羰基烷氧基，0 本發明之增強化學性型光阻材料，因聚合物之狹分散性效果故較以往廣分散度之基礎樹脂具有更高之解像性。又，因去除低分子量部分，故可保持良好的光阻圖型形狀，更可提高光阻之保存安定性。因此，較以往之光阻材料具有更高之解像性、良好的圖形形狀與保存之安定性等。
简体摘要：一种增强化学性型光阻材料，其系含有由系下式(1)所示重复单位与式(2)所示重复单位，或由式(2)所示重复单位所构成之分子量分布为1.0至1.5之高分子化合物者。(式中，R1为氢原子、烷氧烷基，乙酰基或羰基烷氧基，0
本发明之增强化学性型光阻材料，因聚合物之狭分散性效果故较以往广分散度之基础树脂具有更高之解像性。又，因去除低分子量部分，故可保持良好的光阻图型形状，更可提高光阻之保存安定性。因此，较以往之光阻材料具有更高之解像性、良好的图形形状与保存之安定性等。

4. 发明专利

TW574636B 高分子化合物,光阻材料及圖型之形成方法有权
简体标题：高分子化合物,光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TW574636B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW091116399
申请日：2002-07-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西恆寬 NISHI, TSUNEHIRO , 金生剛 KINSHO, TAKESHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明係提供具有極高解像性與實用水準之耐蝕刻性，可用於精密之微細加工之光阻材料，及使用該光阻材料之圖型形成方法，及可作為該光阻材料之基質樹脂使用之高分子化合物。
本發明係提供一種含有一種以上選自以下述一般式(1)~(3)所示之重覆單位及以下述一般式(4)所示之重覆單位為特徵之重量平均分子量1,000~500,000之高分子化合物，及含有該高分子化合物之光阻材料。
简体摘要：本发明系提供具有极高解像性与实用水准之耐蚀刻性，可用于精密之微细加工之光阻材料，及使用该光阻材料之图型形成方法，及可作为该光阻材料之基质树脂使用之高分子化合物。本发明系提供一种含有一种以上选自以下述一般式(1)~(3)所示之重复单位及以下述一般式(4)所示之重复单位为特征之重量平均分子量1,000~500,000之高分子化合物，及含有该高分子化合物之光阻材料。

5. 发明专利

TWI294553B 高分子化合物,抗蝕材料及圖型之形成方法 POLYMER,RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 有权
简体标题：高分子化合物,抗蚀材料及图型之形成方法 POLYMER,RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TWI294553B
公开(公告)日：2008-03-11
申请号：TW091113070
申请日：2002-06-14
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西恆寬 NISHI, TSUNEHIRO , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 金生剛 KINSHO, TAKESHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/0045 , G03F7/0397
摘要：一種重量平均分子量1,000～500,000之高分子化合物，其特徵係含有下記式(1)所示重複單位與，含有金剛烷構造或四環[4.4.0.12.5.17.10]十二烷構造之酸分解性保護基所保護之具有羧酸的重複單位者。(式中，R1為氫原子或甲基；R2為氫原子或碳數1至8之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基；R3為氫原子或CO2R4；R4為碳數1至15之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基)使用本發明高分子化合物作為基礎樹脂所得之抗蝕材料，可感應高能量線，且具有優良之感度、解像性、蝕刻耐性等，故極適合用於電子線或遠紫外線之微細加工。特別是於ArF等離子雷射、KrF等離子雷射之曝光波長下之吸收較小，故具有容易形成微細且對基板為垂直之圖型的特徵。
简体摘要：一种重量平均分子量1,000～500,000之高分子化合物，其特征系含有下记式(1)所示重复单位与，含有金刚烷构造或四环[4.4.0.12.5.17.10]十二烷构造之酸分解性保护基所保护之具有羧酸的重复单位者。(式中，R1为氢原子或甲基；R2为氢原子或碳数1至8之直链状、支链状或环状烷基；R3为氢原子或CO2R4；R4为碳数1至15之直链状、支链状或环状烷基)使用本发明高分子化合物作为基础树脂所得之抗蚀材料，可感应高能量线，且具有优良之感度、解像性、蚀刻耐性等，故极适合用于电子线或远紫外线之微细加工。特别是于ArF等离子激光、KrF等离子激光之曝光波长下之吸收较小，故具有容易形成微细且对基板为垂直之图型的特征。

6. 发明专利

TWI225048B 新穎之酯化合物、高分子化合物、抗蝕材料及圖型之形成方法 NOVEL ESTER COMPOUNDS, POLYMERS, RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 有权
简体标题：新颖之酯化合物、高分子化合物、抗蚀材料及图型之形成方法 NOVEL ESTER COMPOUNDS, POLYMERS, RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TWI225048B
公开(公告)日：2004-12-11
申请号：TW089103266
申请日：2000-02-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：金生剛 KINSHO, TAKESHI , 西恆寬 NISHI, TSUNEHIRO , 栗原英志 , 中島睦雄 NAKASHIMA, MUTSUO , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 渡邊武 WATANABE, TAKERU
IPC分类号： C07C , G03F , C08F
CPC分类号： G03F7/039 , C07C69/753 , C07C2602/42 , C07C2603/68 , C08F32/08 , G03F7/0045 , Y02P20/55
摘要：一種下記式(1)所示之酯化合物。
(式中，R1為H、CH3或CH2CO2R14；R2為H、CH3或 CO2R14；R3為C1~C8之烷基或C6~C20之可取代的芳基；R4~R13為H或C1~C15之可含有雜原子之1價烴基，且可相互形成環；R4~R13之相鄰接的碳鍵結為直接鍵結，或可形成雙鍵；R14為C1~C15之烷基；k為0或1；又，本式亦表示鏡像異構物)。
使用本發明之酯化合物所得之高分子化合物作為基礎樹脂之抗蝕材料，可感應高能量線，且具有優良之感度、顯影度及耐蝕刻性，而極適用於電子線或遠紫外線之微細加工。特別是對ArF激元激光、KrF激元激光之曝光波長之吸收較小，所以具有容易形成微細且對基板為垂直之圖型等特徵。
简体摘要：一种下记式(1)所示之酯化合物。 (式中，R1为H、CH3或CH2CO2R14；R2为H、CH3或 CO2R14；R3为C1~C8之烷基或C6~C20之可取代的芳基；R4~R13为H或C1~C15之可含有杂原子之1价烃基，且可相互形成环；R4~R13之相邻接的碳键结为直接键结，或可形成双键；R14为C1~C15之烷基；k为0或1；又，本式亦表示镜像异构物)。使用本发明之酯化合物所得之高分子化合物作为基础树脂之抗蚀材料，可感应高能量线，且具有优良之感度、显影度及耐蚀刻性，而极适用于电子线或远紫外线之微细加工。特别是对ArF激元激光、KrF激元激光之曝光波长之吸收较小，所以具有容易形成微细且对基板为垂直之图型等特征。

7. 发明专利

TW583505B 高分子化合物、光阻材料、圖型之形成方法、及新穎四氫喃化合物與其製造方法有权
简体标题：高分子化合物、光阻材料、图型之形成方法、及新颖四氢喃化合物与其制造方法
公开(公告)号：TW583505B
公开(公告)日：2004-04-11
申请号：TW091108250
申请日：2002-04-22
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西恆寬 NISHI, TSUNEHIRO , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 橘誠一郎 TACHIBANA, SEIICHIRO , 渡邊武 WATANABE, TAKERU , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 小林知洋 KOBAYASHI, TOMOHIRO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明提供一種含有下記式(1-1)或式(12)所示重複單位之重量平均分子量為1，000至500，000之高分子化合物。
(式中，R1、R2、R3、R4為H或烷基，且R1與) R2、R3與R4可分別鍵結形成環，此時，R1與R2、R3與R4係組合為伸烷基，k為0或1)。
使用本發明之高分子化合物作為基礎樹脂所得之光阻材料，可感應高能量線，並具有優良之感度、解像性、蝕刻耐性等。
简体摘要：本发明提供一种含有下记式(1-1)或式(12)所示重复单位之重量平均分子量为1，000至500，000之高分子化合物。 (式中，R1、R2、R3、R4为H或烷基，且R1与) R2、R3与R4可分别键结形成环，此时，R1与R2、R3与R4系组合为伸烷基，k为0或1)。使用本发明之高分子化合物作为基础树脂所得之光阻材料，可感应高能量线，并具有优良之感度、解像性、蚀刻耐性等。

8. 发明专利

TW574623B 高分子化合物、光阻材料及形成圖型之方法失效
简体标题：高分子化合物、光阻材料及形成图型之方法
公开(公告)号：TW574623B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW090110158
申请日：2001-04-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西恆寬 NISHI, TSUNEHIRO , 橘誠一郎 TACHIBANA, SEIICHIRO , 中島睦雄 NAKASHIMA, MUTSUO , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 渡邊武 WATANABE, TAKERU , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 山潤 HATAKEYAMA, JUN
IPC分类号： G03F , C08F
CPC分类号： G03F7/039 , C08F222/06 , C08F222/40 , C08F232/08 , G03F7/0045 , C08F2220/1866 , C08F232/04 , C08F234/04 , C08F232/00
摘要：一種重量平均分子量為1,000至500,000之高分子化合物，其係為含有下記式(1)與式(2)所示單位者;(式中，R1為H、CH3或CH2CO2R3；R2為H、 CH3或CO2R3；R3為烷基；R4為H、烷基、烷氧烷基、或醯基；R5為烷基或芳基；Y為可含有雜原子之2價烴基，且可與兩端鍵結之碳原子共同形成環；Z為3價之烴基；k為0或1；W為-O-或-(NR)-；R為氫原子或碳數1至15之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基)。使用本發明之高分子化合物作為基礎樹脂之光阻材料，可感應高能量線，且具有優良之感度、解像性、耐蝕刻性等，故極適用於電子線或遠紫外線之微細加工。
简体摘要：一种重量平均分子量为1,000至500,000之高分子化合物，其系为含有下记式(1)与式(2)所示单位者;(式中，R1为H、CH3或CH2CO2R3；R2为H、 CH3或CO2R3；R3为烷基；R4为H、烷基、烷氧烷基、或酰基；R5为烷基或芳基；Y为可含有杂原子之2价烃基，且可与两端键结之碳原子共同形成环；Z为3价之烃基；k为0或1；W为-O-或-(NR)-；R为氢原子或碳数1至15之直链状、支链状或环状烷基)。使用本发明之高分子化合物作为基础树脂之光阻材料，可感应高能量线，且具有优良之感度、解像性、耐蚀刻性等，故极适用于电子线或远紫外线之微细加工。

9. 发明专利

TWI295284B 新穎之酯化合物、高分子化合物、光阻材料、及圖型之形成方法有权
简体标题：新颖之酯化合物、高分子化合物、光阻材料、及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI295284B
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW090110030
申请日：2001-04-26
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西恆寬 NISHI, TSUNEHIRO , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 渡邊武 WATANABE, TAKERU , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 中島睦雄 NAKASHIMA, MUTSUO , 橘誠一郎 TACHIBANA, SEIICHIRO , 山潤
IPC分类号： C07C , G03F
CPC分类号： G03F7/039 , C07C69/716 , C08G61/08 , G03F7/0045
摘要：本發明係揭示一種下記式(1)所示之酯化合物。(式中，R1為氫原子、甲基或CH2CO2R3；R2為氫原子、甲基或CO2R3；R3為碳數1至15之直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基；R4為碳數5至20之支鏈狀或環狀三級烷基；Z為碳數1至10之2價烴基；k為0或1)。使用本發明之高分子化合物作為基礎樹脂所得之光阻材料，可感應高能量線，且具有優良之感度、解像性、耐蝕刻性等，故極適用於電子線或遠紫外線之微細加工。特別是對ArF等離子雷射、KrF等離子雷射等曝光波長之吸收較少，所以極容易形成微細且對基板為垂直之圖型。
简体摘要：本发明系揭示一种下记式(1)所示之酯化合物。(式中，R1为氢原子、甲基或CH2CO2R3；R2为氢原子、甲基或CO2R3；R3为碳数1至15之直链状、支链状或环状烷基；R4为碳数5至20之支链状或环状三级烷基；Z为碳数1至10之2价烃基；k为0或1)。使用本发明之高分子化合物作为基础树脂所得之光阻材料，可感应高能量线，且具有优良之感度、解像性、耐蚀刻性等，故极适用于电子线或远紫外线之微细加工。特别是对ArF等离子激光、KrF等离子激光等曝光波长之吸收较少，所以极容易形成微细且对基板为垂直之图型。

10. 发明专利

TWI292852B 高分子化合物、光阻材料及圖型之形成方法有权
简体标题：高分子化合物、光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI292852B
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：TW091120921
申请日：2002-09-11
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西恆寬 NISHI, TSUNEHIRO , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 渡邊聰 WATANABE, SATOSHI , 名倉茂廣
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C08F220/18 , G03F7/0397
摘要：本發明係提供一種含有以下述一般式(1)所示之重覆單位及以下述一般式(2)所示之重覆單位為特徵之重量平均分子量1,000～500,000之高分子化合物。(式中R1、R3為氫原子或甲基，R2、R4為碳數1～15之直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基，R5、R6、R7、R8為氫原子或以R5與R7、R6與R8形成三甲撐或1,3-亞環戊烯基之原子團)。以本發明之高分子化合物為基質樹脂之光阻材料係感應高能量線，且感度、解像度、耐蝕刻性優異，因此，可用於以電子射線或遠紫外線之微細加工。特別是ArF準分子雷射、KrF準分子雷射光之曝光波長之吸收較少，因此，容易形成微細且與基板垂直之圖型。
简体摘要：本发明系提供一种含有以下述一般式(1)所示之重复单位及以下述一般式(2)所示之重复单位为特征之重量平均分子量1,000～500,000之高分子化合物。(式中R1、R3为氢原子或甲基，R2、R4为碳数1～15之直链状、支链状或环状之烷基，R5、R6、R7、R8为氢原子或以R5与R7、R6与R8形成三甲撑或1,3-亚环戊烯基之原子团)。以本发明之高分子化合物为基质树脂之光阻材料系感应高能量线，且感度、解像度、耐蚀刻性优异，因此，可用于以电子射线或远紫外线之微细加工。特别是ArF准分子激光、KrF准分子激光光之曝光波长之吸收较少，因此，容易形成微细且与基板垂直之图型。

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