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1. 发明专利

TWI292852B 高分子化合物、光阻材料及圖型之形成方法有权
简体标题：高分子化合物、光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI292852B
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：TW091120921
申请日：2002-09-11
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西恆寬 NISHI, TSUNEHIRO , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 渡邊聰 WATANABE, SATOSHI , 名倉茂廣
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C08F220/18 , G03F7/0397
摘要：本發明係提供一種含有以下述一般式(1)所示之重覆單位及以下述一般式(2)所示之重覆單位為特徵之重量平均分子量1,000～500,000之高分子化合物。(式中R1、R3為氫原子或甲基，R2、R4為碳數1～15之直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基，R5、R6、R7、R8為氫原子或以R5與R7、R6與R8形成三甲撐或1,3-亞環戊烯基之原子團)。以本發明之高分子化合物為基質樹脂之光阻材料係感應高能量線，且感度、解像度、耐蝕刻性優異，因此，可用於以電子射線或遠紫外線之微細加工。特別是ArF準分子雷射、KrF準分子雷射光之曝光波長之吸收較少，因此，容易形成微細且與基板垂直之圖型。
简体摘要：本发明系提供一种含有以下述一般式(1)所示之重复单位及以下述一般式(2)所示之重复单位为特征之重量平均分子量1,000～500,000之高分子化合物。(式中R1、R3为氢原子或甲基，R2、R4为碳数1～15之直链状、支链状或环状之烷基，R5、R6、R7、R8为氢原子或以R5与R7、R6与R8形成三甲撑或1,3-亚环戊烯基之原子团)。以本发明之高分子化合物为基质树脂之光阻材料系感应高能量线，且感度、解像度、耐蚀刻性优异，因此，可用于以电子射线或远紫外线之微细加工。特别是ArF准分子激光、KrF准分子激光光之曝光波长之吸收较少，因此，容易形成微细且与基板垂直之图型。

2. 发明专利

TW574627B 增强化學性之正型抗蝕材料失效
简体标题：增强化学性之正型抗蚀材料
公开(公告)号：TW574627B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW085116032
申请日：1996-12-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：土谷純司 TSUCHIYA, JUNJI , 石原俊信 , 名倉茂廣 , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 山岡亞夫 YAMAOKA TSUGUO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0757
摘要：本發明係有關一種對遠紫外線、電子線、X線等高能量射線具有高靈敏度之，能以鹼性水溶液顯像而形成圖樣之適用於微細加工技術的增強化學性之正型抗蝕材料。
其係含有，(A)有機溶劑、(B)作為基材樹脂之具有以下列一般式(1)重覆單位所示，重量平均分子量為2,000~50,000之高分子化合物，(C)產酸劑，(D)作為溶解控制劑的重量平均分子量1,000以上3,000以下之分子內具有苯酚性羥基之化合物，且對此苯酚性羥基之氫原子而言平均0%~60%受酸不安定基所取代，之增強化學性之正型抗蝕材料。〔其中，R為下列一般式(2)所亦之基，(式中的R1、R2為各別獨立之氫原子或碳數1~6的直鏈或支鏈之烷基，R3為碳數1~10的直鏈狀、支鏈或環狀之烷基，又，R2及R3可結合成環狀)，Q為酸不安定基，x、y、z為0.05≦x/(x+y+z)≦0.8、0≦y/(x+y+z≦0.5、0.2≦z/(x+y+z)≦0.95之數，n為1~3之整數。〕
简体摘要：本发明系有关一种对远紫外线、电子线、X线等高能量射线具有高灵敏度之，能以碱性水溶液显像而形成图样之适用于微细加工技术的增强化学性之正型抗蚀材料。其系含有，(A)有机溶剂、(B)作为基材树脂之具有以下列一般式(1)重复单位所示，重量平均分子量为2,000~50,000之高分子化合物，(C)产酸剂，(D)作为溶解控制剂的重量平均分子量1,000以上3,000以下之分子内具有苯酚性羟基之化合物，且对此苯酚性羟基之氢原子而言平均0%~60%受酸不安定基所取代，之增强化学性之正型抗蚀材料。〔其中，R为下列一般式(2)所亦之基，(式中的R1、R2为各别独立之氢原子或碳数1~6的直链或支链之烷基，R3为碳数1~10的直链状、支链或环状之烷基，又，R2及R3可结合成环状)，Q为酸不安定基，x、y、z为0.05≦x/(x+y+z)≦0.8、0≦y/(x+y+z≦0.5、0.2≦z/(x+y+z)≦0.95之数，n为1~3之整数。〕

3. 发明专利

TW574629B 新穎之聚苯乙烯衍生物及增强化學性之正型光阻材料及圖形之形成方法失效
简体标题：新颖之聚苯乙烯衍生物及增强化学性之正型光阻材料及图形之形成方法
公开(公告)号：TW574629B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW087102190
申请日：1998-02-17
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西恒寬 NISHI, TSUNEHIRO , 渡邊修 , 渡邊聰 , 名倉茂廣 , 石原俊信
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/039 , G03F7/0045 , Y10S430/106
摘要：本發明係有關一種Mw1,000~500,000之高分子化合物，其為具有式(1)所示重覆單位，且其中苯酚性OH及/或醇性OH及/或COOH中部份H原子受酸不穩定基所部份取代，剩餘之醇性OH及/或COOH之一部份與烯醚混合物或鹵化烷醚化合物反應所得之分子內及/或分子間具有C-O-C基之以交聯基交聯之高分子化合物，其中酸不穩定基與交聯基之總量佔式(1)中苯酚性OH，醇性OH及COOH全體之0莫耳%以上80莫耳以下之比例；及以其為基礎之光阻材料之發明。(R1為H或CH3，R2為C1~C8烷基、R3為C1~ C18之2價烴基、R4、R5為H或C1~C18之1價烴基、x、x′、z′為0或整數，y、y′為整數，x+y≦5，x′+y′+z′≦5，p、q為0或正數，r為正數、0≦p≦0.4，0≦q≦0.4，0.01≦p+q≦0.7，p+q+r=1)
本發明之光阻材料，可對高能量線具有感應性，且具有優良之感度，解像性，耐等離子蝕刻性等優良性質外，亦具有優良之光阻圖案之耐熱性。
简体摘要：本发明系有关一种Mw1,000~500,000之高分子化合物，其为具有式(1)所示重复单位，且其中苯酚性OH及/或醇性OH及/或COOH中部份H原子受酸不稳定基所部份取代，剩余之醇性OH及/或COOH之一部份与烯醚混合物或卤化烷醚化合物反应所得之分子内及/或分子间具有C-O-C基之以交联基交联之高分子化合物，其中酸不稳定基与交联基之总量占式(1)中苯酚性OH，醇性OH及COOH全体之0莫耳%以上80莫耳以下之比例；及以其为基础之光阻材料之发明。(R1为H或CH3，R2为C1~C8烷基、R3为C1~ C18之2价烃基、R4、R5为H或C1~C18之1价烃基、x、x′、z′为0或整数，y、y′为整数，x+y≦5，x′+y′+z′≦5，p、q为0或正数，r为正数、0≦p≦0.4，0≦q≦0.4，0.01≦p+q≦0.7，p+q+r=1) 本发明之光阻材料，可对高能量线具有感应性，且具有优良之感度，解像性，耐等离子蚀刻性等优良性质外，亦具有优良之光阻图案之耐热性。

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