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1. 发明专利

TW200912536A 增强化學性之負型光阻組成物及圖型之形成方法 CHEMICALLY AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION 审中-公开
简体标题：增强化学性之负型光阻组成物及图型之形成方法 CHEMICALLY AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TW200912536A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097111189
申请日：2008-03-28
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊保 WATANABE, TAMOTSU , 小板橋龍二 KOITABASHI, RYUJI , 增永惠一 MASUNAGA, KEIICHI , 田中啓順 TANAKA, AKINOBU , 渡邊修 WATANABE, OSAMU
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/20
摘要：本發明係有關一種化學增幅型負型光阻組成物,其特徵為含有含以下述一般式(1)及一般式(2)所示之重複單位、重量平均分子量為1,000~50,000之高分子化合物,
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097111189P02.bmp
(式中,R^1、R^2係各獨立表示氫原子或甲基,X係表示電子吸引基。另外,m係表示0或1~4之整數,n係表示1~5之整數)本發明之效果,係藉由使用含有含羥基苯乙烯單位與經電子吸引基取代的苯乙烯單位作為重複單位之高分子化合物的化學增幅型負型光阻組成物,可形成即使形成較0.1��m更為微細的圖型時,亦不易發生在圖型間光阻會形成電橋的問題、且具有高解像性之光阻膜。
简体摘要：本发明系有关一种化学增幅型负型光阻组成物,其特征为含有含以下述一般式(1)及一般式(2)所示之重复单位、重量平均分子量为1,000~50,000之高分子化合物, 097111189P01.bmp 097111189P02.bmp (式中,R^1、R^2系各独立表示氢原子或甲基,X系表示电子吸引基。另外,m系表示0或1~4之整数,n系表示1~5之整数)本发明之效果,系借由使用含有含羟基苯乙烯单位与经电子吸引基取代的苯乙烯单位作为重复单位之高分子化合物的化学增幅型负型光阻组成物,可形成即使形成较0.1��m更为微细的图型时,亦不易发生在图型间光阻会形成电桥的问题、且具有高解像性之光阻膜。

2. 发明专利

TW200830045A 負型光阻材料及使用其形成圖型之方法 NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 审中-公开
简体标题：负型光阻材料及使用其形成图型之方法 NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TW200830045A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096126828
申请日：2007-07-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人： 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU
IPC分类号： G03F , H01L , C08F
CPC分类号： G03F7/0382 , C08F220/26 , C08F220/28 , C08F220/38 , Y10S430/106 , Y10S430/108
摘要：本發明係提供一種具有優於以往之羥基苯乙烯系、酚醛系之負型光阻材料的高解像度,曝光後之圖型形狀良好,顯示更優異的耐蝕刻性的負型光阻材料,特別是化學增幅負型光阻材料及使用該材料的圖型形成方法。本發明之負型光阻材料,其特徵係至少含有:具有下述一般式(1)表示之羥基乙烯基之重複單位的高分子化合物。【化47】
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简体摘要：本发明系提供一种具有优于以往之羟基苯乙烯系、酚醛系之负型光阻材料的高解像度,曝光后之图型形状良好,显示更优异的耐蚀刻性的负型光阻材料,特别是化学增幅负型光阻材料及使用该材料的图型形成方法。本发明之负型光阻材料,其特征系至少含有:具有下述一般式(1)表示之羟基乙烯基之重复单位的高分子化合物。【化47】 096126828P01.bmp

3. 发明专利

TW200639588A 正型光阻材料及形成圖型之方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 审中-公开
简体标题：正型光阻材料及形成图型之方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TW200639588A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：TW095105128
申请日：2006-02-15
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU , 福田英次 FUKUDA, EIJI , 前田和規 MAEDA, KAZUNORI , 渡邊聰 WATANABE, SATOSHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0392
摘要：〔課題〕提供具有與先前之正型光阻材料同等或更高之高感度、高解像度，特別於高反射基板上的圖型形狀良好，且減輕駐波之發生，顯示出邊緣粗糙度少之特性的正型光阻材料。〔解決手段〕至少基質樹脂中所含之高分子化合物為包含於波長248nm之光中具有具吸收之酸不安定基的重複單位，且，該重複單位為於前述基質樹脂中所含之全部高分子化合物的重複單位中，以1％～10％之比例含有為其特徵的正型光阻材料。
简体摘要：〔课题〕提供具有与先前之正型光阻材料同等或更高之高感度、高解像度，特别于高反射基板上的图型形状良好，且减轻驻波之发生，显示出边缘粗糙度少之特性的正型光阻材料。〔解决手段〕至少基质树脂中所含之高分子化合物为包含于波长248nm之光中具有具吸收之酸不安定基的重复单位，且，该重复单位为于前述基质树脂中所含之全部高分子化合物的重复单位中，以1％～10％之比例含有为其特征的正型光阻材料。

4. 发明专利

TWI245774B 含矽之高分子化合物,光阻材料及圖型之形成方法失效
简体标题：含硅之高分子化合物,光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI245774B
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：TW091103644
申请日：2002-02-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU , 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 石原俊信 ISHIHARA, TOSHINOBU , 久保田透 , 久保田泰文
IPC分类号： C08F , G03F
CPC分类号： C08G77/04 , C08F230/08 , G03F7/0045 , G03F7/0758 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , C08F222/06 , C08F2220/185 , C08F214/06 , C08F220/18 , C08F222/40 , C08F214/26
摘要：一種含有式(1)及/或式(2)所示重複單位之含矽之高分子化合物；式中，R1、R2、R3為氫原子、或為烷基，R4、R5、R6為烷基、鹵烷基、或含矽烷基，R7為氧原子，R8至R10為烷基、氟化烷基、或芳基，n為2至10之整數)。
本發明之光阻材料，可感應高能量線，且對於300nm以下之波長具有優良之感度、解像性、氧等離子蝕刻耐性。
简体摘要：一种含有式(1)及/或式(2)所示重复单位之含硅之高分子化合物；式中，R1、R2、R3为氢原子、或为烷基，R4、R5、R6为烷基、卤烷基、或含硅烷基，R7为氧原子，R8至R10为烷基、氟化烷基、或芳基，n为2至10之整数)。本发明之光阻材料，可感应高能量线，且对于300nm以下之波长具有优良之感度、解像性、氧等离子蚀刻耐性。

5. 发明专利

TWI308260B 含矽之高分子化合物、光阻材料及圖型之形成方法有权
简体标题：含硅之高分子化合物、光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI308260B
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW093115133
申请日：2004-05-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人： 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0758 , C08F30/08 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/109 , Y10S430/11 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/143
摘要：本發明係有關一種含有一般式(1)表示之重覆單位,及藉由酸提高鹼可溶性之單位之含矽之高分子化合物,(式中,R1為H或烷基,R2為單鍵或(-SiR10R11-R12-)b表示之二價連結基,R3-R9為H或烷基,R10、R11為烷基,R12為單鍵、O或伸烷基,a為正數,b為1~20之整數)。
本發明之光阻材料係感應高能量線,且波長300nm以下之感度、解像性、氧電漿蝕刻耐性優異。
简体摘要：本发明系有关一种含有一般式(1)表示之重复单位,及借由酸提高碱可溶性之单位之含硅之高分子化合物,(式中,R1为H或烷基,R2为单键或(-SiR10R11-R12-)b表示之二价链接基,R3-R9为H或烷基,R10、R11为烷基,R12为单键、O或伸烷基,a为正数,b为1~20之整数)。本发明之光阻材料系感应高能量线,且波长300nm以下之感度、解像性、氧等离子蚀刻耐性优异。

6. 发明专利

TWI291598B 負型光阻材料及使用其形成圖型之方法 NEGATIVE RESIST MATERIAL AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME 有权
简体标题：负型光阻材料及使用其形成图型之方法 NEGATIVE RESIST MATERIAL AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
公开(公告)号：TWI291598B
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：TW092102578
申请日：2003-02-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊修 WATANABE, OSAMU , 草木涉 KUSAKI, WATARU , 小板橋龍二 KOITABASHI, RYUJI
IPC分类号： G03F , C08F
CPC分类号： G03F7/0382 , Y10S430/106 , Y10S430/143
摘要：提供一種負型光阻材料，特別是化學增幅負型光阻材料；其特點為高感度以及高解像度、曝光充裕度，具製程( Process)適應性，曝光後之圖型形狀良好，顯示優異的耐浸蝕(Etching)性。負型光阻材料，其特徵為含有至少具有式(1)所示的重覆單位、重量平均分子量為1,000~500,000的高分子化合物。
简体摘要：提供一种负型光阻材料，特别是化学增幅负型光阻材料；其特点为高感度以及高解像度、曝光充裕度，具制程( Process)适应性，曝光后之图型形状良好，显示优异的耐浸蚀(Etching)性。负型光阻材料，其特征为含有至少具有式(1)所示的重复单位、重量平均分子量为1,000~500,000的高分子化合物。

7. 发明专利

TWI263861B 光阻材料及形成圖型之方法有权
简体标题：光阻材料及形成图型之方法
公开(公告)号：TWI263861B
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：TW089105398
申请日：2000-03-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人： 山潤 , 小林知洋 KOBAYASHI, TOMOHIRO , 渡邊修 WATANABE, OSAMU , 武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU , 石原俊信 ISHIHARA, TOSHINOBU , 渡邊淳 WATANABE, JUN
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/039 , G03F7/0045 , G03F7/038 , Y10S430/106
摘要：以含有酚衍生物之樹枝狀聚合物或超枝鏈聚合物而成的重量平均分子量５００～１０，０００，０００之高分子化合物為基底聚合物為特徵之光阻材料。
本發明之光阻材料，係具有足夠的解析力，線邊緣粗糙度小，具有優越的乾蝕性，用作化學增幅型光阻材料係有效的，又此情形，不僅正片型，用於負片型亦賦與優越的解析度。
简体摘要：以含有酚衍生物之树枝状聚合物或超枝链聚合物而成的重量平均分子量５００～１０，０００，０００之高分子化合物为基底聚合物为特征之光阻材料。本发明之光阻材料，系具有足够的解析力，线边缘粗糙度小，具有优越的干蚀性，用作化学增幅型光阻材料系有效的，又此情形，不仅正片型，用于负片型亦赋与优越的分辨率。

8. 发明专利

TWI252374B 高分子化合物,光阻材料及圖型之形成方法 POLYMER, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 有权
简体标题：高分子化合物,光阻材料及图型之形成方法 POLYMER, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TWI252374B
公开(公告)日：2006-04-01
申请号：TW093102026
申请日：2004-01-29
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人： 山潤 HATAKEYAMA, JUN , 武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊修 WATANABE, OSAMU
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0395 , C08F220/28 , C08F222/20 , C08F230/08 , C08F232/08 , G03F7/0397 , G03F7/0758
摘要：本發明係關於含有：含矽之重複單元與，具有下述式(1)所示取代基之重複單元之高分子化合物。
(1)(A1係選自喃二基，四氫喃二基或氧降烷二基之二價基。R1，R2為各自獨立之碳原子數1~10之直鏈狀，支鏈狀或環狀之一價埋基。或，R1，R2為互相鍵結，與該等鍵結之碳原子一起可形成脂肪族烴環。R3為可含氫原子或雜原子之碳原子數1~10之直鏈狀，支鏈狀或環狀之一價烴基。)
本發明之效果係光阻材料，可感應高能量線，在300nm以下之波長中感度，解像性，氧等離子蝕刻耐性優異。
简体摘要：本发明系关于含有：含硅之重复单元与，具有下述式(1)所示取代基之重复单元之高分子化合物。 (1)(A1系选自喃二基，四氢喃二基或氧降烷二基之二价基。R1，R2为各自独立之碳原子数1~10之直链状，支链状或环状之一价埋基。或，R1，R2为互相键结，与该等键结之碳原子一起可形成脂肪族烃环。R3为可含氢原子或杂原子之碳原子数1~10之直链状，支链状或环状之一价烃基。) 本发明之效果系光阻材料，可感应高能量线，在300nm以下之波长中感度，解像性，氧等离子蚀刻耐性优异。

9. 发明专利

TW200602812A 光阻材料用高分子化合物及其製造方法、以及化學增强正型光阻材料 RESIST POLYMER, MAKING METHOD, AND CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION 审中-公开
简体标题：光阻材料用高分子化合物及其制造方法、以及化学增强正型光阻材料 RESIST POLYMER, MAKING METHOD, AND CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TW200602812A
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：TW094118206
申请日：2005-06-02
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU , 渡邊修 WATANABE, OSAMU
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0392
摘要：本發明之解決手段，係使有機碲化合物或有機硒化合物作為聚合引發劑使用，使聚合性單體進行自由基聚合而得之光阻材料用高分子化合物。本發明之效果係將與本發明有關之有機碲化合物或有機硒化合物作為聚合引發劑使用，使聚合性單體進行自由基聚合而得之高分子化合物，其分子量分布比習知製造方法所得者更狹窄，又共聚係以活化(living)進行所得之共聚物的無規性(random)性更優異，使該等高分子化合物作為基底樹脂配合於光阻材料，可顯現光阻膜之溶解對比，解像性高，曝光充裕度良好，反應步驟適應性優異，曝光後圖型形狀良好，線邊緣粗糙度少之特性，尤其是作為超LSI製造用之微細圖型形成材料可賦予恰當的化學增強正型光阻材料等之光阻材料。
简体摘要：本发明之解决手段，系使有机碲化合物或有机硒化合物作为聚合引发剂使用，使聚合性单体进行自由基聚合而得之光阻材料用高分子化合物。本发明之效果系将与本发明有关之有机碲化合物或有机硒化合物作为聚合引发剂使用，使聚合性单体进行自由基聚合而得之高分子化合物，其分子量分布比习知制造方法所得者更狭窄，又共聚系以活化(living)进行所得之共聚物的无规性(random)性更优异，使该等高分子化合物作为基底树脂配合于光阻材料，可显现光阻膜之溶解对比，解像性高，曝光充裕度良好，反应步骤适应性优异，曝光后图型形状良好，线边缘粗糙度少之特性，尤其是作为超LSI制造用之微细图型形成材料可赋予恰当的化学增强正型光阻材料等之光阻材料。

10. 发明专利

TWI226339B 高分子化合物及其製造方法有权
简体标题：高分子化合物及其制造方法
公开(公告)号：TWI226339B
公开(公告)日：2005-01-11
申请号：TW089105518
申请日：2000-03-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：渡邊修 WATANABE, OSAMU , 武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU , 山潤 , 小林知洋 KOBAYASHI, TOMOHIRO , 石原俊信 , 渡邊淳 WATANABE, JUN
IPC分类号： C08G
CPC分类号： C08F257/02 , C08F290/04 , C08F297/02
摘要：提供由酚衍生物之樹枝狀聚合物或超枝鏈聚合物而成的重量平均分子量500~10,000,000之高分子化合物。
本發明之樹枝狀聚合物，超枝鏈聚合物之新穎化合物，係與一般的線狀高分子在基本上不同，例如採用此種新穎高分子化合物作為光阻材料之基底樹脂時，聚合物之尺度係與解析度成比例，若降低尺度時，則在線狀高分子化合物有強度不足的缺點，惟此新穎高分子化合物有可能任意改變聚合物之尺度，此新穎高分子化合物係可保持強度且具有可降低尺度之特徵。因此可給予習用的光阻材料所未有的高解析性，靈敏度，耐電漿蝕刻性優越的光阻材料。
简体摘要：提供由酚衍生物之树枝状聚合物或超枝链聚合物而成的重量平均分子量500~10,000,000之高分子化合物。本发明之树枝状聚合物，超枝链聚合物之新颖化合物，系与一般的线状高分子在基本上不同，例如采用此种新颖高分子化合物作为光阻材料之基底树脂时，聚合物之尺度系与分辨率成比例，若降低尺度时，则在线状高分子化合物有强度不足的缺点，惟此新颖高分子化合物有可能任意改变聚合物之尺度，此新颖高分子化合物系可保持强度且具有可降低尺度之特征。因此可给予习用的光阻材料所未有的高解析性，灵敏度，耐等离子蚀刻性优越的光阻材料。

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