基本信息:
- 专利标题： 高分子化合物、光阻材料及圖型之形成方法
- 专利标题（中）：高分子化合物、光阻材料及图型之形成方法
- 申请号：TW091120921 申请日：2002-09-11
- 公开(公告)号：TWI292852B 公开(公告)日：2008-01-21
- 发明人： 西恆寬 NISHI, TSUNEHIRO , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 長谷川幸士 HASEGAWA, KOJI , 渡邊聰 WATANABE, SATOSHI , 名倉茂廣
- 申请人： 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
- 当前专利权人： 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 日本 2001-277156 20010912
- 主分类号： G03F
- IPC分类号： G03F
摘要：
本發明係提供一種含有以下述一般式(1)所示之重覆單位及以下述一般式(2)所示之重覆單位為特徵之重量平均分子量1,000～500,000之高分子化合物。(式中R1、R3為氫原子或甲基，R2、R4為碳數1～15之直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基，R5、R6、R7、R8為氫原子或以R5與R7、R6與R8形成三甲撐或1,3-亞環戊烯基之原子團)。以本發明之高分子化合物為基質樹脂之光阻材料係感應高能量線，且感度、解像度、耐蝕刻性優異，因此，可用於以電子射線或遠紫外線之微細加工。特別是ArF準分子雷射、KrF準分子雷射光之曝光波長之吸收較少，因此，容易形成微細且與基板垂直之圖型。
摘要（中）：
本发明系提供一种含有以下述一般式(1)所示之重复单位及以下述一般式(2)所示之重复单位为特征之重量平均分子量1,000～500,000之高分子化合物。(式中R1、R3为氢原子或甲基，R2、R4为碳数1～15之直链状、支链状或环状之烷基，R5、R6、R7、R8为氢原子或以R5与R7、R6与R8形成三甲撑或1,3-亚环戊烯基之原子团)。以本发明之高分子化合物为基质树脂之光阻材料系感应高能量线，且感度、解像度、耐蚀刻性优异，因此，可用于以电子射线或远紫外线之微细加工。特别是ArF准分子激光、KrF准分子激光光之曝光波长之吸收较少，因此，容易形成微细且与基板垂直之图型。