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    • 9. 发明专利
    • 磁控管電漿處理裝置
    • 磁控管等离子处理设备
    • TW516115B
    • 2003-01-01
    • TW089117806
    • 2000-08-31
    • 東京威力科創股份有限公司信越化學工業股份有限公司
    • 山 智美木村英利荒見淳一小野博夫輿石 公宮田浩二
    • H01LC23FH01JH05HC23C
    • H01J37/3266H01J37/3408
    • 在對基板(30)進行磁控管電漿處理時,設置一具有多數環狀配置於處理室(1)外周壁周圍之各向異性切片磁石(22)的偶極子磁石(21),而於一與彼此相隔之成對平行電極間的電場方向垂直相交之平面內,沿著與磁場方向 B垂直相交之方向,形成一磁場強度自E極側朝向W極側逐漸變小之磁場梯度,而前述複數之各向異性切片磁石則係包含有一由配置於被處理基板之E極側端部外側之領域 A附近,且將其N極朝向該領域之各向異性切片磁石所構成之第1部分a,及一由將其S極朝向前述領域而配置之各向異性切片磁石所構成之第2部分b,而藉該等第1部分及第2部分局部提高前述第1及第2領域之磁場強度。
    • 在对基板(30)进行磁控管等离子处理时,设置一具有多数环状配置于处理室(1)外周壁周围之各向异性切片磁石(22)的偶极子磁石(21),而于一与彼此相隔之成对平行电极间的电场方向垂直相交之平面内,沿着与磁场方向 B垂直相交之方向,形成一磁场强度自E极侧朝向W极侧逐渐变小之磁场梯度,而前述复数之各向异性切片磁石则系包含有一由配置于被处理基板之E极侧端部外侧之领域 A附近,且将其N极朝向该领域之各向异性切片磁石所构成之第1部分a,及一由将其S极朝向前述领域而配置之各向异性切片磁石所构成之第2部分b,而藉该等第1部分及第2部分局部提高前述第1及第2领域之磁场强度。