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1. 发明专利

TW516115B 磁控管電漿處理裝置有权
简体标题：磁控管等离子处理设备
公开(公告)号：TW516115B
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：TW089117806
申请日：2000-08-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：山智美 , 木村英利 , 荒見淳一 , 小野博夫 , 輿石公 , 宮田浩二
IPC分类号： H01L , C23F , H01J , H05H , C23C
CPC分类号： H01J37/3266 , H01J37/3408
摘要：在對基板(30)進行磁控管電漿處理時，設置一具有多數環狀配置於處理室(1)外周壁周圍之各向異性切片磁石(22)的偶極子磁石(21)，而於一與彼此相隔之成對平行電極間的電場方向垂直相交之平面內，沿著與磁場方向 B垂直相交之方向，形成一磁場強度自E極側朝向W極側逐漸變小之磁場梯度，而前述複數之各向異性切片磁石則係包含有一由配置於被處理基板之E極側端部外側之領域 A附近，且將其N極朝向該領域之各向異性切片磁石所構成之第1部分a，及一由將其S極朝向前述領域而配置之各向異性切片磁石所構成之第2部分b，而藉該等第1部分及第2部分局部提高前述第1及第2領域之磁場強度。
简体摘要：在对基板(30)进行磁控管等离子处理时，设置一具有多数环状配置于处理室(1)外周壁周围之各向异性切片磁石(22)的偶极子磁石(21)，而于一与彼此相隔之成对平行电极间的电场方向垂直相交之平面内，沿着与磁场方向 B垂直相交之方向，形成一磁场强度自E极侧朝向W极侧逐渐变小之磁场梯度，而前述复数之各向异性切片磁石则系包含有一由配置于被处理基板之E极侧端部外侧之领域 A附近，且将其N极朝向该领域之各向异性切片磁石所构成之第1部分a，及一由将其S极朝向前述领域而配置之各向异性切片磁石所构成之第2部分b，而藉该等第1部分及第2部分局部提高前述第1及第2领域之磁场强度。

2. 发明专利

TW432466B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW432466B
公开(公告)日：2001-05-01
申请号：TW088109726
申请日：1997-07-17
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：小美野光明 , 荒見淳一 , 八田浩一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32834
摘要：電漿刻蝕裝置(100)，係以處理室(101)為中心，而在其上側具有上部排氣室(103)，而下側即有下部排氣室(105)。處理室(101)、上部排氣室(103)、下部排氣室(105)，係由以分離可能，所組合的中央外殼組件(CC)、上部外殼組件(UC)，以及下部外殼組件(LC)，氣密性形成。上部及下部排氣室(103)、(105)分別連接於上部及下部排氣泵浦(124)、(132)。處理室(101)內具有支撐被處理體(W)的支撐面(114a)的承受器(114)，以及配設與其對向的上部電極兼噴淋頭(102)。從噴射頭(102)所噴出的處理氣體，乃經過處理室(101)，而分別向上部及下部排氣室(103)、(105)，流動至上方及下方。
简体摘要：等离子刻蚀设备(100)，系以处理室(101)为中心，而在其上侧具有上部排气室(103)，而下侧即有下部排气室(105)。处理室(101)、上部排气室(103)、下部排气室(105)，系由以分离可能，所组合的中央外壳组件(CC)、上部外壳组件(UC)，以及下部外壳组件(LC)，气密性形成。上部及下部排气室(103)、(105)分别连接于上部及下部排气泵浦(124)、(132)。处理室(101)内具有支撑被处理体(W)的支撑面(114a)的承受器(114)，以及配设与其对向的上部电极兼喷淋头(102)。从喷射头(102)所喷出的处理气体，乃经过处理室(101)，而分别向上部及下部排气室(103)、(105)，流动至上方及下方。

3. 发明专利

TW289129B 附靜電吸盤之陶瓷加熱器失效
简体标题：附静电吸盘之陶瓷加热器
公开(公告)号：TW289129B
公开(公告)日：1996-10-21
申请号：TW084100159
申请日：1995-01-10
申请人：東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：川田敦雄 , 石川賢治 , 長尾貴章 , 荒見淳一 , 掛川健 , 進藤敏彥
IPC分类号： H01L
摘要：一種附靜電吸盤之陶瓷加熱器，係將導電性陶瓷而成之靜電吸盤用電極接合於電氣絕緣性陶瓷而成之支持基材表面，並將導電性陶瓷而成之發熱層接合於背面，在此等上設電氣絕緣性陶瓷而成之被覆層而成之附靜電吸盤之陶瓷加熱器，其特徵為：將該支持基材與該靜電吸盤用電極之線膨脹係數差，該支持基材與該發熱層之線膨脹係數差，該靜電吸盤用電極與該被覆層之線膨脹係數差及該發熱層與該被覆層之線膨脹係數差均為１×１０－６／℃以下。
简体摘要：一种附静电吸盘之陶瓷加热器，系将导电性陶瓷而成之静电吸盘用电极接合于电气绝缘性陶瓷而成之支持基材表面，并将导电性陶瓷而成之发热层接合于背面，在此等上设电气绝缘性陶瓷而成之被覆层而成之附静电吸盘之陶瓷加热器，其特征为：将该支持基材与该静电吸盘用电极之线膨胀系数差，该支持基材与该发热层之线膨胀系数差，该静电吸盘用电极与该被覆层之线膨胀系数差及该发热层与该被覆层之线膨胀系数差均为１×１０－６／℃以下。

4. 发明专利

TW287294B 附靜電吸盤之陶瓷加熱器失效
简体标题：附静电吸盘之陶瓷加热器
公开(公告)号：TW287294B
公开(公告)日：1996-10-01
申请号：TW084100158
申请日：1995-01-10
申请人：東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：川田敦雄 , 石川賢治 , 狩野正樹 , 荒見淳一 , 新井延男 , 萩原浩二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/345 , H01L21/6833 , H01L2924/0002 , H05B3/143 , H01L2924/00
摘要：本發明係有關冷靜電吸盤之陶瓷加熱器，特別關於使用右半導體程序的升降溫工程之附靜電吸盤之陶瓷加熱器者。
其目的，係在提供使用在半導體程序時，也不會在接合部引起剝離的附靜電吸盤整陶瓷加熱器者。
主要係，在電絕緣性陶瓷所成的支持基材表面接合導電性陶瓷所成之靜電吸盤用電極，同時在背面接合導電性陶瓷所成的發熱層，在此等之上設置電絕緣性陶瓷所成的被覆層而成之附靜電吸盤之陶瓷加熱器，其特徵為，使該支持基材，該靜電吸盤用極及該發熱層的表面粗糙度 Rmax皆成為５μｍ以上者。
简体摘要：本发明系有关冷静电吸盘之陶瓷加热器，特别关于使用右半导体进程的升降温工程之附静电吸盘之陶瓷加热器者。其目的，系在提供使用在半导体进程时，也不会在接合部引起剥离的附静电吸盘整陶瓷加热器者。主要系，在电绝缘性陶瓷所成的支持基材表面接合导电性陶瓷所成之静电吸盘用电极，同时在背面接合导电性陶瓷所成的发热层，在此等之上设置电绝缘性陶瓷所成的被覆层而成之附静电吸盘之陶瓷加热器，其特征为，使该支持基材，该静电吸盘用极及该发热层的表面粗糙度 Rmax皆成为５μｍ以上者。

5. 实用新型

TW444922U 加熱裝置及使用其之處理裝置失效
简体标题：加热设备及使用其之处理设备
公开(公告)号：TW444922U
公开(公告)日：2001-07-01
申请号：TW088202893
申请日：1995-09-26
申请人：東京威力科創有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：荒見淳一 , 石川賢治 , 牛川治憲 , 柳澤勳 , 川田敦雄 , 茂木弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/466 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H05B3/265 , H05B3/283 , Y10T29/49083
摘要：本創作之加熱裝置具有:具備用以對被加熱體加熱之加熱面且由二氧化矽形成的加熱板;及具有特定圖型且被固定於加熱板之加熱面之相反側之面的發熱體;及密接於加熱板之發熱體所形成之面上且由二氧化矽形成之反射板。將該加熱裝置設於CVD裝置內之處理容器內,將半導體晶圓載置於其上並加熱，將處理氣體導入處理容器內，藉此在半導體晶圓上形成特定之膜。
简体摘要：本创作之加热设备具有:具备用以对被加热体加热之加热面且由二氧化硅形成的加热板;及具有特定图型且被固定于加热板之加热面之相反侧之面的发热体;及密接于加热板之发热体所形成之面上且由二氧化硅形成之反射板。将该加热设备设于CVD设备内之处理容器内,将半导体晶圆载置于其上并加热，将处理气体导入处理容器内，借此在半导体晶圆上形成特定之膜。

6. 发明专利

TW310445B 真空處理裝置失效
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW310445B
公开(公告)日：1997-07-11
申请号：TW083105982
申请日：1994-06-30
申请人：東京電子東北股份有限公司 , 東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：八木宏憲 , 川田敦雄 , 出口洋一 , 石川賢治 , 柳槷勳 , 荒見淳一
IPC分类号： H01L
摘要：本發明，係有關在真空下為對被處理體進行成膜及蝕刻等處理用的真空處理裝置。
真空處理裝置，具有在真空下進行半導體晶片的成膜處理用之處理室；和設在處理室內，有載置被處理體用的載置面之載置台；和設在載置台的載置面，而使半導體晶片吸著用之靜電夾；和把半導體晶片加熱用的加熱機構；和為了在處理室供給對半導體晶片實施成膜處理用之處理氣體的處理氣體供給機構。載置台，係具有基材，和形成在該基材表面之第１絕緣層，和設在第１絕緣層上的第２絕緣層，在載置台之載置面側的第１絕緣層和第２絕緣層之間有導電層，根據第１絕緣層，和第２絕緣層與導電層構成上述的靜電吸著裝置，加熱機構，具有在載置台下面側的第１絕緣層和第２絕緣層之間所設的加熱體。
简体摘要：本发明，系有关在真空下为对被处理体进行成膜及蚀刻等处理用的真空处理设备。真空处理设备，具有在真空下进行半导体芯片的成膜处理用之处理室；和设在处理室内，有载置被处理体用的载置面之载置台；和设在载置台的载置面，而使半导体芯片吸着用之静电夹；和把半导体芯片加热用的加热机构；和为了在处理室供给对半导体芯片实施成膜处理用之处理气体的处理气体供给机构。载置台，系具有基材，和形成在该基材表面之第１绝缘层，和设在第１绝缘层上的第２绝缘层，在载置台之载置面侧的第１绝缘层和第２绝缘层之间有导电层，根据第１绝缘层，和第２绝缘层与导电层构成上述的静电吸着设备，加热机构，具有在载置台下面侧的第１绝缘层和第２绝缘层之间所设的加热体。

7. 发明专利

TW289147B 附靜電吸盤之陶瓷加熱器失效
简体标题：附静电吸盘之陶瓷加热器
公开(公告)号：TW289147B
公开(公告)日：1996-10-21
申请号：TW084100388
申请日：1995-01-17
申请人：東京電子股份有限公司 , 信越化學工業股份有限公司
发明人：川田敦雄 , 石川賢治 , 長尾貴章 , 浦野和彥 , 荒見淳一 , 進藤敏彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6831 , H01L2924/0002 , H02N13/00 , H01L2924/00
摘要：本發明之附靜電吸盤之陶瓷加熱器其目的係提供一種使用於半導體製程中的昇降溫過程之具有良好之溫度分布均一性之付靜電吸盤之陶瓷加熱器，其構成係：於由電氣絕緣性陶瓷所成之支持基材之表面接合由導電性陶瓷所成之靜電吸盤用電極，並於側面及背面接合由導電性陶瓷所成之發熱層，於這些上面設置由電氣絕緣性陶瓷所合成之覆蓋層者為其特徵。
简体摘要：本发明之附静电吸盘之陶瓷加热器其目的系提供一种使用于半导体制程中的升降温过程之具有良好之温度分布均一性之付静电吸盘之陶瓷加热器，其构成系：于由电气绝缘性陶瓷所成之支持基材之表面接合由导电性陶瓷所成之静电吸盘用电极，并于侧面及背面接合由导电性陶瓷所成之发热层，于这些上面设置由电气绝缘性陶瓷所合成之覆盖层者为其特征。

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