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1. 发明专利

TWI613145B 奈米碳膜之製作方法及奈米碳膜有权
简体标题：奈米碳膜之制作方法及奈米碳膜
公开(公告)号：TWI613145B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW102136968
申请日：2013-10-14
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：川合信 , KAWAI, MAKOTO , 久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/76254 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/184 , C01B32/188 , C30B29/02 , C30B29/36 , C30B31/22 , C30B33/06 , H01L21/02043 , H01L21/324

2. 发明专利

TWI490123B 絕熱疊層體以及具有該絕熱疊層體之透明絕熱薄膜失效
简体标题：绝热叠层体以及具有该绝热叠层体之透明绝热薄膜
公开(公告)号：TWI490123B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW101124048
申请日：2012-07-04
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：茂木弘 , MOGI, HIROSHI , 久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO
IPC分类号： B32B5/24 , B32B5/30
CPC分类号： F16L59/029 , B32B5/02 , B32B5/16 , B32B7/02 , B32B7/12 , B32B17/064 , B32B27/12 , B32B27/30 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2262/101 , B32B2264/102 , B32B2264/105 , B32B2307/304 , B32B2307/412 , B32B2307/584 , B32B2307/704 , B32B2307/71 , B32B2605/006 , B60J1/20 , Y10T442/623 , Y10T442/676 , Y10T442/699

3. 发明专利

TWI483350B ＳＯＩ晶圓的製造方法及玻璃的洗淨方法有权
简体标题：ＳＯＩ晶圆的制造方法及玻璃的洗净方法
公开(公告)号：TWI483350B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW098109182
申请日：2009-03-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO , 伊藤厚雄 , ITO, ATSUO , 田中好一 , TANAKA, KOUICHI , 川合信 , KAWAI, MAKOTO , 飛坂優二 , TOBISAKA, YUJI , 田村博 , TAMURA, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/265 , H01L21/30 , B08B3/04

4. 发明专利

TW201409629A 散熱基板及其製造方法审中-公开
简体标题：散热基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201409629A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102116338
申请日：2013-05-08
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO , 川合信 , KAWAI, MAKOTO
IPC分类号： H01L23/34
CPC分类号： H01L23/3735 , C30B29/06 , C30B33/00 , C30B33/06 , H01L21/187 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L23/3731 , H01L23/3732 , H01L23/3738 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於散熱基板，其特徵為：係由2層所構成之複合基板，表層(第一層)(1)為單結晶矽，操作(handle)基板(第二層)(2)由比第一層熱導率高之材料所構成，本發明之散熱基板，會賦予高散熱性。
简体摘要：本发明系关于散热基板，其特征为：系由2层所构成之复合基板，表层(第一层)(1)为单结晶硅，操作(handle)基板(第二层)(2)由比第一层热导率高之材料所构成，本发明之散热基板，会赋予高散热性。

5. 发明专利

TWI337763B 加熱元件 HEATING ELEMENT 失效
简体标题：加热组件 HEATING ELEMENT
公开(公告)号：TWI337763B
公开(公告)日：2011-02-21
申请号：TW096106788
申请日：2007-02-27
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：木村昇 , 久保田芳宏 , 山村和市 , 狩野正樹
IPC分类号： H01L , H05K
CPC分类号： H01L21/67103 , H05B3/143
摘要：本發明旨在提供一種壽命長且製造成本低之加熱元件，於保護層上形成有電阻係數或硬度經調整過之耐腐蝕層，即使於高溫且具有腐蝕性之氣體環境下，腐蝕性氣體亦難以穿透，而可避免因為導電層特別是供電端子部之腐蝕所造成之劣化，且即使於具有夾持圖案之情形時，亦可作為靜電夾盤發揮高度之功能。
本發明之加熱元件10至少包含有：耐熱性基材1；導電層3，具有形成於該耐熱性基材上之加熱器圖案3a；及絕緣性之保護層4，形成於該導電層上；其特徵為至少於該保護層之上設有耐腐蝕層4p，該耐腐蝕層4p為含氧量在理想配比以下之氧化物。
简体摘要：本发明旨在提供一种寿命长且制造成本低之加热组件，于保护层上形成有电阻系数或硬度经调整过之耐腐蚀层，即使于高温且具有腐蚀性之气体环境下，腐蚀性气体亦难以穿透，而可避免因为导电层特别是供电端子部之腐蚀所造成之劣化，且即使于具有夹持图案之情形时，亦可作为静电夹盘发挥高度之功能。本发明之加热组件10至少包含有：耐热性基材1；导电层3，具有形成于该耐热性基材上之加热器图案3a；及绝缘性之保护层4，形成于该导电层上；其特征为至少于该保护层之上设有耐腐蚀层4p，该耐腐蚀层4p为含氧量在理想配比以下之氧化物。

6. 发明专利

TW442889B 靜電夾持裝置失效
简体标题：静电夹持设备
公开(公告)号：TW442889B
公开(公告)日：2001-06-23
申请号：TW087120366
申请日：1998-12-08
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：新井健一 , 久保田芳宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6833 , Y10T279/23
摘要：本發明揭示一種靜電夾持裝置，其中一電壓係施加於一覆蓋有一絕緣電介質層之導電性電極，以使該絕緣電介質層靜電地吸附一物體，該絕緣電介質層係實質地由一燒結體所形成，該燒結體係在25℃藉添加2.5一5重量百分比之鈦土(氧化鈦，TiO2)及5重量百分比或更少之氮化鈦(TiN)粉狀物於一具有l×1O^14歐姆‧公分(Ω‧cm)或更高之體電阻的高電阻陶瓷物，接著藉塑造，形成，及燒結體法來生產，該燒結體在25℃具有 l×10^8一8×10^13歐姆‧公分(Ω‧cm)之體電阻。該絕緣電介質層之體電阻降低以便增加一靜電吸附力，而物體可脫開於電壓停止施加之時。進一步地，該靜電夾持裝置並不會產生污染半導體裝置之雜質。此外，並未留有微細裂痕或孔洞，使得就抗壓而言，該靜電夾持裝置係優異的。
简体摘要：本发明揭示一种静电夹持设备，其中一电压系施加于一覆盖有一绝缘电介质层之导电性电极，以使该绝缘电介质层静电地吸附一物体，该绝缘电介质层系实质地由一烧结体所形成，该烧结体系在25℃藉添加2.5一5重量百分比之钛土(氧化钛，TiO2)及5重量百分比或更少之氮化钛(TiN)粉状物于一具有l×1O^14欧姆‧公分(Ω‧cm)或更高之体电阻的高电阻陶瓷物，接着藉塑造，形成，及烧结体法来生产，该烧结体在25℃具有 l×10^8一8×10^13欧姆‧公分(Ω‧cm)之体电阻。该绝缘电介质层之体电阻降低以便增加一静电吸附力，而物体可脱开于电压停止施加之时。进一步地，该静电夹持设备并不会产生污染半导体设备之杂质。此外，并未留有微细裂痕或孔洞，使得就抗压而言，该静电夹持设备系优异的。

7. 发明专利

TW439017B 光蝕刻用薄膜及其製備方法失效
简体标题：光蚀刻用薄膜及其制备方法
公开(公告)号：TW439017B
公开(公告)日：2001-06-07
申请号：TW083111239
申请日：1994-12-02
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人： 田裕一 , 川上聰 , 日崎亨 , 永田愛彥 , 田周 , 久保田芳宏
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/64 , G03F1/62 , Y10T428/3154 , Y10T428/31544
摘要：本發明揭示一框架支撐薄膜，其為一組合體由一硬框及一與框架的一端表面以一不鬆弛的方式固接之透明塑膠膜，用於諸如ISI及液晶顯示板等精細電子元件之製造上的光石印刷定形工作所用的光罩之防塵保護。框架支撐薄膜以一具有基本上較形成薄膜的聚合樹脂為低的轉化溫度之玻璃的固定將框架與塑膠接合且固合工作在一較固定之玻璃轉化溫度為高但較薄膜之聚合樹脂者為低之溫度下實施以使不需產生任何不利影響諸如扭曲及皺摺形狀於樹脂膜而可在框架及樹脂膜之間有優異的固合為。
简体摘要：本发明揭示一框架支撑薄膜，其为一组合体由一硬框及一与框架的一端表面以一不松弛的方式固接之透明塑胶膜，用于诸如ISI及液晶显示板等精细电子组件之制造上的光石印刷定形工作所用的光罩之防尘保护。框架支撑薄膜以一具有基本上较形成薄膜的聚合树脂为低的转化温度之玻璃的固定将框架与塑胶接合且固合工作在一较固定之玻璃转化温度为高但较薄膜之聚合树脂者为低之温度下实施以使不需产生任何不利影响诸如扭曲及皱折形状于树脂膜而可在框架及树脂膜之间有优异的固合为。

8. 发明专利

TWI556975B 複合基板有权
简体标题：复合基板
公开(公告)号：TWI556975B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW101148984
申请日：2012-12-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小西繁 , KONISHI, SHIGERU , 久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO , 川合信 , KAWAI, MAKOTO
IPC分类号： B32B9/00 , B32B18/00 , H01L21/20 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/02 , H01L21/02002 , H01L21/2007

9. 发明专利

TWI485873B 單晶矽太陽能電池的製造方法及單晶矽太陽能電池有权
简体标题：单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
公开(公告)号：TWI485873B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW096140586
申请日：2007-10-29
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：伊藤厚雄 , ITO, ATSUO , 秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 川合信 , KAWAI, MAKOTO , 田中好一 , TANAKA, KOICHI , 飛坂優二 , TOBISAKA, YUUJI , 久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/1896 , Y02B10/10 , Y02E10/547 , Y02P70/521

10. 发明专利

TWI462221B ＳＯＩ晶圓的製造方法有权
简体标题：ＳＯＩ晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI462221B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW097119148
申请日：2008-05-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , 久保田芳宏 , 伊藤厚雄 , 田中好一 , 川合信 , 飛坂優二
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/70
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/3065 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/014

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