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1. 发明专利

TWI483350B ＳＯＩ晶圓的製造方法及玻璃的洗淨方法有权
简体标题：ＳＯＩ晶圆的制造方法及玻璃的洗净方法
公开(公告)号：TWI483350B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW098109182
申请日：2009-03-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO , 伊藤厚雄 , ITO, ATSUO , 田中好一 , TANAKA, KOUICHI , 川合信 , KAWAI, MAKOTO , 飛坂優二 , TOBISAKA, YUJI , 田村博 , TAMURA, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/265 , H01L21/30 , B08B3/04

2. 发明专利

TWI456689B ＳＯＩ晶圓的製造方法有权
简体标题：ＳＯＩ晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI456689B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW097117856
申请日：2008-05-15
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , 久保田芳宏 , 伊藤厚雄 , 田中好一 , 川合信 , 飛坂優二
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/70 , H01L27/02
CPC分类号： H01L21/76254

3. 发明专利

TW200915480A SOI晶圓製造方法审中-公开
简体标题： SOI晶圆制造方法
公开(公告)号：TW200915480A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097119148
申请日：2008-05-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , 久保田芳宏 , 伊藤厚雄 , 田中好一 , 川合信 , 飛優二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/3065 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/014
摘要：本發明係一種SOI晶圓的製造方法,包含將氫離子或稀有氣體離子之至少一種植入施體晶圓來形成離子植入層之製程;貼合上述施體晶圓的離子植入面與操作晶圓之製程;以上述離子植入層為界,藉由剝離上述施體晶圓,使上述施體晶圓薄膜化而作成SOI層之製程;以及蝕刻上述SOI層,減少該SOI層的厚度之製程,其中上述蝕刻製程包含:藉由濕式蝕刻的粗蝕刻階段;測定該粗蝕刻後的上述SOI層的膜厚分布的階段;以及基於該測定的SOI層的膜厚分布,藉由乾式蝕刻的精蝕刻階段;以此種蝕刻製程來蝕刻上述SOI層。藉此,提供一種可生產性佳地製造出SOI層的膜厚均勻性高的SOI晶圓的方法。
简体摘要：本发明系一种SOI晶圆的制造方法,包含将氢离子或稀有气体离子之至少一种植入施体晶圆来形成离子植入层之制程;贴合上述施体晶圆的离子植入面与操作晶圆之制程;以上述离子植入层为界,借由剥离上述施体晶圆,使上述施体晶圆薄膜化而作成SOI层之制程;以及蚀刻上述SOI层,减少该SOI层的厚度之制程,其中上述蚀刻制程包含:借由湿式蚀刻的粗蚀刻阶段;测定该粗蚀刻后的上述SOI层的膜厚分布的阶段;以及基于该测定的SOI层的膜厚分布,借由干式蚀刻的精蚀刻阶段;以此种蚀刻制程来蚀刻上述SOI层。借此,提供一种可生产性佳地制造出SOI层的膜厚均匀性高的SOI晶圆的方法。

4. 发明专利

TWI485873B 單晶矽太陽能電池的製造方法及單晶矽太陽能電池有权
简体标题：单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
公开(公告)号：TWI485873B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW096140586
申请日：2007-10-29
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：伊藤厚雄 , ITO, ATSUO , 秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 川合信 , KAWAI, MAKOTO , 田中好一 , TANAKA, KOICHI , 飛坂優二 , TOBISAKA, YUUJI , 久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/1896 , Y02B10/10 , Y02E10/547 , Y02P70/521

5. 发明专利

TWI462221B ＳＯＩ晶圓的製造方法有权
简体标题：ＳＯＩ晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI462221B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW097119148
申请日：2008-05-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , 久保田芳宏 , 伊藤厚雄 , 田中好一 , 川合信 , 飛坂優二
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/70
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/3065 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/014

6. 发明专利

TW200913128A SOI晶圓的製造方法审中-公开
简体标题： SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW200913128A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097117856
申请日：2008-05-15
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , 久保田芳宏 , 伊藤厚雄 , 田中好一 , 川合信 , 飛優二
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254
摘要：本發明提供一種SOI晶圓的製造方法,是至少對在由矽晶圓或在其表面上形成有氧化膜之矽晶圓所構成的施體晶圓(donor wafer),從表面植入氫離子或稀有氣體離子或是這兩方的離子而形成離子植入層,然後對施體晶圓的離子植入後的面、及要與該離子植入後的面貼合之操作晶圓的表面的至少一方的面,施加電漿活化處理,且使這些晶圓的面密接而貼合,並將離子植入層作為邊界而藉由機械性地剝離施體晶圓來薄膜化而作成SOI層後,施加600-1000℃的熱處理,然後藉由化學機械研磨來研磨SOI層的表面10-50奈米。藉此,能夠提供一種製造方法,可生產力良好地製造出SOI晶圓的表面已鏡面化,同時其膜厚度均勻性高的SOI晶圓。
简体摘要：本发明提供一种SOI晶圆的制造方法,是至少对在由硅晶圆或在其表面上形成有氧化膜之硅晶圆所构成的施体晶圆(donor wafer),从表面植入氢离子或稀有气体离子或是这两方的离子而形成离子植入层,然后对施体晶圆的离子植入后的面、及要与该离子植入后的面贴合之操作晶圆的表面的至少一方的面,施加等离子活化处理,且使这些晶圆的面密接而贴合,并将离子植入层作为边界而借由机械性地剥离施体晶圆来薄膜化而作成SOI层后,施加600-1000℃的热处理,然后借由化学机械研磨来研磨SOI层的表面10-50奈米。借此,能够提供一种制造方法,可生产力良好地制造出SOI晶圆的表面已镜面化,同时其膜厚度均匀性高的SOI晶圆。

7. 发明专利

TWI452631B 矽薄膜轉印絕緣性晶圓之製造方法有权
简体标题：硅薄膜转印绝缘性晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI452631B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW098136984
申请日：2009-10-30
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO , 伊藤厚雄 , ITO, ATSUO , 川合信 , KAWAI, MAKOTO , 田中好一 , TANAKA, KOUICHI , 飛坂優二 , TOBISAKA, YUJI , 野島義弘 , NOJIMA, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/324 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76256

8. 发明专利

TWI450366B 半導體基板之製造方法有权
简体标题：半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TWI450366B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW097140888
申请日：2008-10-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO , 伊藤厚雄 , ITO, ATSUO , 川合信 , KAWAI, MAKOTO , 飛坂優二 , TOBISAKA, YUUJI , 田中好一 , TANAKA, KOICHI
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/76254

9. 发明专利

TWI492275B 貼合基板之製造方法有权
简体标题：贴合基板之制造方法
公开(公告)号：TWI492275B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW098111819
申请日：2009-04-09
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：飛坂優二 , TOBISAKA, YUJI , 久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO , 伊藤厚雄 , ITO, ATSUO , 田中好一 , TANAKA, KOUICHI , 川合信 , KAWAI, MAKOTO , 秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 田村博 , TAMURA, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/30 , H01L21/84
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/76254

10. 发明专利

TWI482203B 具有單結晶薄膜之基板的製造方法有权
简体标题：具有单结晶薄膜之基板的制造方法
公开(公告)号：TWI482203B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW098106199
申请日：2009-02-26
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：久保田芳宏 , KUBOTA, YOSHIHIRO , 川合信 , KAWAI, MAKOTO , 田中好一 , TANAKA, KOUICHI , 飛坂優二 , TOBISAKA, YUJI , 秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 野島義弘 , NOJIMA, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/20

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