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1. 发明专利

TW201415466A 不揮發性半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：不挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201415466A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102122903
申请日：2013-06-27
申请人：佛羅迪亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/24
CPC分类号： G11C16/30 , G11C5/025 , G11C5/06 , G11C5/063 , G11C16/04 , G11C16/0408 , G11C16/0466 , G11C16/08 , G11C16/12 , G11C16/24
摘要：力求小型化的同時，提出比習知更能夠抑制干擾發生的不揮發性半導體記憶裝置。此不揮發性半導體記憶裝置(1)中，不受限於選擇電源單元(4a)，還有非選擇電源單元(4b)中，禁止寫入閘極電壓的電壓值、施加於當時的P型記憶井區(PW2)的電壓值、非選擇第1位元線(L1c)以及非選擇第2位元線(L2c)的電壓值，可以分別自由設定為例如能夠抑制干擾發生的電壓值。各電源單元(4)以共同PMOS控制線(PGa~PGd)及共同NMOS控制線(NGa~NGd)連接，根據施加於這些共同PMOS控制線(PGa~PGd)及共同NMOS控制線(NGa~NGd)的電壓值，藉由使PMOS開關(8a、8c、...(8b、8d、...))以及NMOS開關(9a、9c...(9b、9d、...))通斷動作，從全部的字元線(15)中可以選擇性地決定選擇字元線(15a)。於是，不必在每一字元線列(每一P型記憶井區(PW2))分別設置獨立的行方向位址解碼器，可以與習知同樣地促進小型化。
简体摘要：力求小型化的同时，提出比习知更能够抑制干扰发生的不挥发性半导体记忆设备。此不挥发性半导体记忆设备(1)中，不受限于选择电源单元(4a)，还有非选择电源单元(4b)中，禁止写入闸极电压的电压值、施加于当时的P型记忆井区(PW2)的电压值、非选择第1比特线(L1c)以及非选择第2比特线(L2c)的电压值，可以分别自由设置为例如能够抑制干扰发生的电压值。各电源单元(4)以共同PMOS控制线(PGa~PGd)及共同NMOS控制线(NGa~NGd)连接，根据施加于这些共同PMOS控制线(PGa~PGd)及共同NMOS控制线(NGa~NGd)的电压值，借由使PMOS开关(8a、8c、...(8b、8d、...))以及NMOS开关(9a、9c...(9b、9d、...))通断动作，从全部的字符线(15)中可以选择性地决定选择字符线(15a)。于是，不必在每一字符线列(每一P型记忆井区(PW2))分别设置独立的行方向位址译码器，可以与习知同样地促进小型化。

2. 发明专利

TWI616883B 不揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：不挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI616883B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW102122903
申请日：2013-06-27
申请人：佛羅迪亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/24
CPC分类号： G11C16/30 , G11C5/025 , G11C5/06 , G11C5/063 , G11C16/04 , G11C16/0408 , G11C16/0466 , G11C16/08 , G11C16/12 , G11C16/24

3. 发明专利

TW201329986A 非揮發性半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201329986A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101134403
申请日：2012-09-20
申请人：佛羅迪亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：品川裕 , SHINAGAWA, HIROSHI , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10
CPC分类号： H01L27/11517 , G11C16/0416 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/3468
摘要：提議一非揮發性半導體記憶裝置，可以比習知更自由地設定選擇記憶單元電晶體中累積電荷之際的電壓。非揮發性半導體記憶裝置(1)，在選擇記憶單元電晶體(115)中累積電荷之際，從P型MOS電晶體(9b)施加高電壓的寫入禁止電壓，且從N型MOS電晶體(15a)施加低電壓的寫入電壓，對選擇記憶單元電晶體(115)或非選擇記憶單元電晶體(116)施加電壓的任務分擔，分配至P型MOS電晶體(9b)及N型MOS電晶體(15a)，藉此可以個別調整P型MOS電晶體(9b)及N型MOS電晶體(15a)的閘極電壓及源極電壓，最後可以設定閘極基板間電壓為例如4V等。
简体摘要：提议一非挥发性半导体记忆设备，可以比习知更自由地设置选择记忆单元晶体管中累积电荷之际的电压。非挥发性半导体记忆设备(1)，在选择记忆单元晶体管(115)中累积电荷之际，从P型MOS晶体管(9b)施加高电压的写入禁止电压，且从N型MOS晶体管(15a)施加低电压的写入电压，对选择记忆单元晶体管(115)或非选择记忆单元晶体管(116)施加电压的任务分担，分配至P型MOS晶体管(9b)及N型MOS晶体管(15a)，借此可以个别调整P型MOS晶体管(9b)及N型MOS晶体管(15a)的闸极电压及源极电压，最后可以设置闸极基板间电压为例如4V等。

4. 发明专利

TWI416526B 非揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI416526B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW101134403
申请日：2012-09-20
申请人：佛羅迪亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10
CPC分类号： H01L27/11517 , G11C16/0416 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/3468

5. 发明专利

TWI646539B 非揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI646539B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW102135627
申请日：2013-10-02
申请人：日商佛羅迪亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： G11C16/06

6. 发明专利

TW201428749A 非揮發性半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201428749A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102135627
申请日：2013-10-02
申请人：佛羅迪亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C14/0063 , G11C7/18 , G11C8/16 , G11C16/04 , G11C16/0441 , G11C16/08 , G11C16/12 , G11C16/14 , G11C16/24 , G11C16/26 , H01L27/11519 , H01L27/11558 , H01L29/7881
摘要： [課題]提出不增加位元線數而能夠確實防止讀出電晶體的誤動作之非揮發性半導體記憶裝置。[解決手段]非揮發性半導體記憶裝置(1)中，根據開關電晶體(SWa，SWb)的轉換，連接至第1單元(2a)的程式電晶體(5a)並成為資料寫入用的第2位元線(BLN1)，兼作另一方的第2單元(2b)中讀出用的位元線的同時，藉由設置資料寫入時及消去時成為電荷移動路徑的程式電晶體(5a，5b)及拭除電晶體(3a，3b)，不增加位元線數，而能夠確實防止由於用於資料寫入、消去所產生的讀出電晶體(4a，4b)的誤動作。
简体摘要： [课题]提出不增加比特线数而能够确实防止读出晶体管的误动作之非挥发性半导体记忆设备。[解决手段]非挥发性半导体记忆设备(1)中，根据开关晶体管(SWa，SWb)的转换，连接至第1单元(2a)的进程晶体管(5a)并成为数据写入用的第2比特线(BLN1)，兼作另一方的第2单元(2b)中读出用的比特线的同时，借由设置数据写入时及消去时成为电荷移动路径的进程晶体管(5a，5b)及拭除晶体管(3a，3b)，不增加比特线数，而能够确实防止由于用于数据写入、消去所产生的读出晶体管(4a，4b)的误动作。

7. 发明专利

TWI651810B 非揮發性靜態隨機存取記憶體記憶胞、及非揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：非挥发性静态随机存取内存记忆胞、及非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI651810B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW104124289
申请日：2015-07-27
申请人：日商芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 櫻井良多郎 , SAKURAI, RYOTARO , 戶谷達郎 , TOYA, TATSURO , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： H01L21/8239 , G11C11/41 , G11C16/20

8. 发明专利

TWI608597B 非揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI608597B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105134942
申请日：2016-10-28
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：大和田福夫 , OWADA, FUKUO , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 吉田信司 , YOSHIDA, SHINJI , 谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 櫻井良多郎 , SAKURAI, RYOTARO , 品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： G11C16/04 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

9. 发明专利

TWI597827B 非揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI597827B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105131527
申请日：2016-09-30
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：大和田福夫 , OWADA, FUKUO , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 吉田信司 , YOSHIDA, SHINJI , 谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 櫻井良多郎 , SAKURAI, RYOTARO , 品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： H01L27/11563 , H01L27/115 , H01L29/788 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/04 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

10. 发明专利

TW201622068A 半導體積體電路裝置之製造方法、及半導體積體電路裝置审中-公开
简体标题：半导体集成电路设备之制造方法、及半导体集成电路设备
公开(公告)号：TW201622068A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104133918
申请日：2015-10-15
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 櫻井良多郎 , SAKURAI, RYOTARO , 品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/8239 , H01L27/118
CPC分类号： H01L27/11575 , H01L27/1157 , H01L29/66833 , H01L29/7881
摘要：本發明提出一種半導體積體電路裝置之製造方法及半導體積體電路裝置，該半導體積體電路裝置之製造方法於形成周邊電路區域(ER2)之邏輯閘極電極(G5、G6)之光罩步驟時，亦同時將記憶體電路區域(ER1)之周繞導電層(Ga、Gb)分斷，而可形成電性分離之第1選擇閘極電極(G2a、G2b)及第2選擇閘極電極(G3a、G3b)，因此，即便於形成可獨立地控制之第1選擇閘極電極(G2a、G2b)及第2選擇閘極電極(G3a、G3b)之情形時，亦無須除先前之僅對記憶體電路區域進行加工之專用光罩步驟外進而多餘地追加僅對記憶體電路區域(ER1)進行加工之專用光罩步驟，從而可相應地降低製造成本。
简体摘要：本发明提出一种半导体集成电路设备之制造方法及半导体集成电路设备，该半导体集成电路设备之制造方法于形成周边电路区域(ER2)之逻辑门极电极(G5、G6)之光罩步骤时，亦同时将内存电路区域(ER1)之周绕导电层(Ga、Gb)分断，而可形成电性分离之第1选择闸极电极(G2a、G2b)及第2选择闸极电极(G3a、G3b)，因此，即便于形成可独立地控制之第1选择闸极电极(G2a、G2b)及第2选择闸极电极(G3a、G3b)之情形时，亦无须除先前之仅对内存电路区域进行加工之专用光罩步骤外进而多余地追加仅对内存电路区域(ER1)进行加工之专用光罩步骤，从而可相应地降低制造成本。

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