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1. 发明专利

TWI651810B 非揮發性靜態隨機存取記憶體記憶胞、及非揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：非挥发性静态随机存取内存记忆胞、及非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI651810B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW104124289
申请日：2015-07-27
申请人：日商芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 櫻井良多郎 , SAKURAI, RYOTARO , 戶谷達郎 , TOYA, TATSURO , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： H01L21/8239 , G11C11/41 , G11C16/20

3. 发明专利

TWI615923B 非揮發性靜態隨機存取記憶體記憶胞、及非揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：非挥发性静态随机存取内存记忆胞、及非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI615923B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW106133848
申请日：2016-03-23
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：品川裕 , SHINAGAWA,YUTAKA , 谷口泰弘 , TANIGUCHI,YASUHIRO , 葛西秀男 , KASAI,HIDEO , 櫻井良多郎 , SAKURAI,RYOTARO , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA,YASUHIKO , 戶谷達郎 , TOYA,TATSURO , 奧山幸祐 , OKUYAMA,KOSUKE
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L29/78 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/1104 , G11C11/412 , G11C14/00 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

4. 发明专利

TW201803032A 非揮發性靜態隨機存取記憶體記憶胞、及非揮發性半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：非挥发性静态随机存取内存记忆胞、及非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201803032A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106133848
申请日：2016-03-23
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：品川裕 , SHINAGAWA,YUTAKA , 谷口泰弘 , TANIGUCHI,YASUHIRO , 葛西秀男 , KASAI,HIDEO , 櫻井良多郎 , SAKURAI,RYOTARO , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA,YASUHIKO , 戶谷達郎 , TOYA,TATSURO , 奧山幸祐 , OKUYAMA,KOSUKE
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L29/78 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/1104 , G11C11/412 , G11C14/00 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
摘要：本發明提出一種非揮發性SRAM(Static Random Access Memory，靜態隨機存取記憶體)記憶胞、及非揮發性半導體記憶裝置，於該非揮發性半導體記憶裝置(1)中，由於可降低將SRAM資料寫入至非揮發記憶體部(16)之程式動作所需之電壓，故可將構成與該非揮發記憶體部(16)連接之SRAM (15)之第1存取電晶體(21a)、第2存取電晶體(21b)、第1負載電晶體(22a)、第2負載電晶體(22b)、第1驅動電晶體(23a)、及第2驅動電晶體(23b)之各閘極絕緣膜之膜厚形成為4[nm]以下，相應地，可使SRAM (15)藉由較低之電源電壓而高速動作，如此，可將SRAM (15)之SRAM資料寫入至非揮發記憶體部(16)，並且可實現該SRAM (15)之高速動作。
简体摘要：本发明提出一种非挥发性SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取内存)记忆胞、及非挥发性半导体记忆设备，于该非挥发性半导体记忆设备(1)中，由于可降低将SRAM数据写入至非挥发内存部(16)之进程动作所需之电压，故可将构成与该非挥发内存部(16)连接之SRAM (15)之第1存取晶体管(21a)、第2存取晶体管(21b)、第1负载晶体管(22a)、第2负载晶体管(22b)、第1驱动晶体管(23a)、及第2驱动晶体管(23b)之各闸极绝缘膜之膜厚形成为4[nm]以下，相应地，可使SRAM (15)借由较低之电源电压而高速动作，如此，可将SRAM (15)之SRAM数据写入至非挥发内存部(16)，并且可实现该SRAM (15)之高速动作。

5. 发明专利

TWI612523B 記憶體單元及非揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：内存单元及非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI612523B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW104133904
申请日：2015-10-15
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 櫻井良多郎 , SAKURAI, RYOTARO , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 戶谷達郎 , TOYA, TATSURO , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： G11C16/02 , G11C13/00 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L29/788 , G11C11/34 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , G11C16/08 , H01L27/115 , H01L28/00 , H01L29/792 , H01L45/04

6. 发明专利

TW201635302A 半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201635302A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105105276
申请日：2016-02-23
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 櫻井良多郎 , SAKURAI, RYOTARO , 品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 戶谷達郎 , TOYA, TATSURO , 山口貴徳 , YAMAGUCHI, TAKANORI , 大和田福夫 , OWADA, FUKUO , 吉田信司 , YOSHIDA, SHINJI , 畑田輝男 , HATADA, TERUO , 野田敏史 , NODA, TOSHIFUMI , 加藤貴文 , KATO, TAKAFUMI , 村谷哲也 , MURATANI, TETSUYA , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18
CPC分类号： H01L27/11206 , H01L23/5252 , H01L27/10
摘要：於半導體記憶裝置(1)中，未使用如先前之控制電路，能夠利用向記憶體電容器(4)之記憶體閘極電極(G)及字元線施加之電壓值，藉由整流元件(3)而阻斷自記憶體閘極電極(G)向字元線施加電壓，如此，無需如先前之選擇性地向記憶體電容器施加電壓之開關電晶體、或進而用以使開關電晶體進行接通斷開動作之開關控制電路，從而可相應地謀求小型化。又，於半導體記憶裝置(1)中，彼此相鄰接之4個反熔絲記憶體(2a6、2a7、2a10、2a11)共用1個位元線觸點(BC15)，並且例如彼此相鄰接之4個反熔絲記憶體(2a3、2a4、2a7、2a8)共用1個字元線觸點(WC12)，藉此，與針對各反熔絲記憶體而分別個別地設置位元線觸點及字元線觸點之情形相比較，可謀求裝置整體小型化。
简体摘要：于半导体记忆设备(1)中，未使用如先前之控制电路，能够利用向内存电容器(4)之内存闸极电极(G)及字符线施加之电压值，借由整流组件(3)而阻断自内存闸极电极(G)向字符线施加电压，如此，无需如先前之选择性地向内存电容器施加电压之开关晶体管、或进而用以使开关晶体管进行接通断开动作之开关控制电路，从而可相应地谋求小型化。又，于半导体记忆设备(1)中，彼此相邻接之4个反熔丝内存(2a6、2a7、2a10、2a11)共享1个比特线触点(BC15)，并且例如彼此相邻接之4个反熔丝内存(2a3、2a4、2a7、2a8)共享1个字符线触点(WC12)，借此，与针对各反熔丝内存而分别个别地设置比特线触点及字符线触点之情形相比较，可谋求设备整体小型化。

7. 发明专利

TW201611193A 非揮發性靜態隨機存取記憶體記憶胞、及非揮發性半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：非挥发性静态随机存取内存记忆胞、及非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201611193A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104124289
申请日：2015-07-27
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 櫻井良多郎 , SAKURAI, RYOTARO , 戶谷達郎 , TOYA, TATSURO , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： H01L21/8239 , G11C11/41 , G11C16/20
CPC分类号： G11C14/009 , G11C11/419 , G11C13/0028 , G11C13/0069 , G11C14/0063
摘要：本發明之目的在於提供一種可對非揮發記憶體部寫入互補性資料，且根據使用狀況而亦將個別資料寫入於非揮發記憶體部，增加記憶體容量之非揮發性SRAM記憶胞、及非揮發性半導體記憶裝置。本發明可藉由使第1開關電晶體ST1及第2開關電晶體SB1兩者同時導通動作，而使第1電阻變化型記憶體RT1對第1儲存節點SNT電性連接，且第2電阻變化型記憶體RB1亦對第2儲存節點SNB電性連接，並可將SRAM2所保持之互補性SRAM資料寫入於第1記憶胞M1a及第2記憶胞M1b。又，因可藉由使第1開關電晶體ST1及第2開關電晶體SB2中僅任一者導通動作，而僅使第1電阻變化型記憶體RT1對第1儲存節點SNT電性連接、或僅使第2電阻變化型記憶體RB1對第2儲存節點SNB電性連接，故可根據使用狀況作為獨立型胞發揮功能，且亦將個別資料寫入於第1記憶胞M1a或第2記憶胞M1b之一者，而增加記憶體容量。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可对非挥发内存部写入互补性数据，且根据使用状况而亦将个别数据写入于非挥发内存部，增加内存容量之非挥发性SRAM记忆胞、及非挥发性半导体记忆设备。本发明可借由使第1开关晶体管ST1及第2开关晶体管SB1两者同时导通动作，而使第1电阻变化型内存RT1对第1存储节点SNT电性连接，且第2电阻变化型内存RB1亦对第2存储节点SNB电性连接，并可将SRAM2所保持之互补性SRAM数据写入于第1记忆胞M1a及第2记忆胞M1b。又，因可借由使第1开关晶体管ST1及第2开关晶体管SB2中仅任一者导通动作，而仅使第1电阻变化型内存RT1对第1存储节点SNT电性连接、或仅使第2电阻变化型内存RB1对第2存储节点SNB电性连接，故可根据使用状况作为独立型胞发挥功能，且亦将个别数据写入于第1记忆胞M1a或第2记忆胞M1b之一者，而增加内存容量。

8. 发明专利

TWI597784B 記憶胞、非揮發性半導體記憶裝置及記憶胞之寫入方法有权
简体标题：记忆胞、非挥发性半导体记忆设备及记忆胞之写入方法
公开(公告)号：TWI597784B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW104143597
申请日：2015-12-24
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 櫻井良多郎 , SAKURAI, RYOTARO , 谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 戶谷達郎 , TOYA, TATSURO , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： H01L21/336 , G11C16/04 , H01L27/11563 , H01L27/115 , H01L29/778 , H01L29/792
CPC分类号： G11C16/04 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

9. 发明专利

TW201635391A 記憶胞及非揮發性半導體記憶裝置审中-公开
简体标题：记忆胞及非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TW201635391A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104143597
申请日：2015-12-24
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 櫻井良多郎 , SAKURAI, RYOTARO , 谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 戶谷達郎 , TOYA, TATSURO , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： H01L21/336 , G11C16/04 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/778 , H01L29/792
CPC分类号： G11C16/04 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
摘要：本發明提出一種記憶胞及非揮發性半導體記憶裝置，其等係不受藉由量子穿隧效應將電荷注入至電荷儲存層(EC)所需之電荷儲存閘極電壓之限制，可使位元線(BL1)及源極線(SL)之電壓降低至藉由第1選擇閘極構造體(5)阻斷與記憶體閘極電極(MG)對向之區域之記憶井(MPW)、與位元線(BL1)之電性連接所需之電壓值、或藉由第2選擇閘極構造體(6)阻斷與記憶體閘極電極對向之區域之記憶井(MPW)、與源極線(SL)之電性連接所需之電壓值，故可依照該等位元線(BL1)及源極線(SL)之電壓降低，將第1選擇閘極構造體(5)之第1選擇閘極絕緣膜(30)、或第2選擇閘極構造體(6)之第2選擇閘極絕緣膜(33)之各膜厚薄化，而可相應地實現高速動作。又，根據於位元線(BL1)或源極線(SL)之電壓降低，於控制記憶胞(2a)之周邊電路中，亦可將場效電晶體之閘極絕緣膜之膜厚薄化，而可相應地減小周邊電路之面積。
简体摘要：本发明提出一种记忆胞及非挥发性半导体记忆设备，其等系不受借由量子穿隧效应将电荷注入至电荷存储层(EC)所需之电荷存储闸极电压之限制，可使比特线(BL1)及源极线(SL)之电压降低至借由第1选择闸极构造体(5)阻断与内存闸极电极(MG)对向之区域之记忆井(MPW)、与比特线(BL1)之电性连接所需之电压值、或借由第2选择闸极构造体(6)阻断与内存闸极电极对向之区域之记忆井(MPW)、与源极线(SL)之电性连接所需之电压值，故可依照该等比特线(BL1)及源极线(SL)之电压降低，将第1选择闸极构造体(5)之第1选择闸极绝缘膜(30)、或第2选择闸极构造体(6)之第2选择闸极绝缘膜(33)之各膜厚薄化，而可相应地实现高速动作。又，根据于比特线(BL1)或源极线(SL)之电压降低，于控制记忆胞(2a)之周边电路中，亦可将场效应管之闸极绝缘膜之膜厚薄化，而可相应地减小周边电路之面积。

10. 发明专利

TWI607529B 非揮發性靜態隨機存取記憶體記憶胞、及非揮發性半導體記憶裝置有权
简体标题：非挥发性静态随机存取内存记忆胞、及非挥发性半导体记忆设备
公开(公告)号：TWI607529B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105109070
申请日：2016-03-23
申请人：芙洛提亞股份有限公司 , FLOADIA CORPORATION
发明人：品川裕 , SHINAGAWA, YUTAKA , 谷口泰弘 , TANIGUCHI, YASUHIRO , 葛西秀男 , KASAI, HIDEO , 櫻井良多郎 , SAKURAI, RYOTARO , 川嶋泰彥 , KAWASHIMA, YASUHIKO , 戶谷達郎 , TOYA, TATSURO , 奧山幸祐 , OKUYAMA, KOSUKE
IPC分类号： H01L21/8244 , G11C14/00 , H01L21/336 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L27/1104 , G11C11/412 , G11C14/00 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

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