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1. 发明专利

TW200822190A 半導體元件之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体组件之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200822190A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096130290
申请日：2007-08-16
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：山中貞則 YAMANAKA, SADANORI , 上田和正 UEDA, KAZUMASA , 高田朋幸 TAKADA, TOMOYUKI
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/0095 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體元件之製造方法,該半導體元件之製造方法係使用成長用基板以製造由含有3-5族氮化物半導體之磊晶結晶所構成的半導體元件,其特徵在:包含製作分離溝之步驟,該分離溝係為使該磊晶結晶被分隔成複數個區域,並從前述成長用基板剝離者。
简体摘要：本发明提供一种半导体组件之制造方法,该半导体组件之制造方法系使用成长用基板以制造由含有3-5族氮化物半导体之磊晶结晶所构成的半导体组件,其特征在:包含制作分离沟之步骤,该分离沟系为使该磊晶结晶被分隔成复数个区域,并从前述成长用基板剥离者。

2. 发明专利

TW200644288A 獨立基板、其製造方法,以及半導體發光元件 FREE STANDING SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT 审中-公开
简体标题：独立基板、其制造方法,以及半导体发光组件 FREE STANDING SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
公开(公告)号：TW200644288A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW095109426
申请日：2006-03-20
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：上田和正 UEDA, KAZUMASA , 西川直宏 NISHIKAWA, NAOHIRO , 土田良彥 TSUCHIDA, YOSHIHIKO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/30 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/007
摘要：本發明提供獨立基板(free–standingsubstrate)、其製造方法、以及半導體發光元件。獨立基板包含有半導體層及無機粒子，且無機粒子，係包含於半導體層中。獨立基板之製造方法，依序包含下列步驟(a)至(c)。(a)於基板上配置無機粒子之步驟。(b)使半導體層成長之步驟。(c)將半導體層與基板加以分離之步驟。又，獨立基板之製造方法，依序包含下列步(s1)、(a)、(b)以及(c)。(s1)於基板上使緩衝層成長之步驟。(a)於基板上配置無機粒子之步驟。(b)使半導體層成長之步驟。(c)將半導體層與基板加以分離之步驟。半導體發光元件，係包含有前述的獨立基板、傳導層、發光層以及電極者。
简体摘要：本发明提供独立基板(free–standingsubstrate)、其制造方法、以及半导体发光组件。独立基板包含有半导体层及无机粒子，且无机粒子，系包含于半导体层中。独立基板之制造方法，依序包含下列步骤(a)至(c)。(a)于基板上配置无机粒子之步骤。(b)使半导体层成长之步骤。(c)将半导体层与基板加以分离之步骤。又，独立基板之制造方法，依序包含下列步(s1)、(a)、(b)以及(c)。(s1)于基板上使缓冲层成长之步骤。(a)于基板上配置无机粒子之步骤。(b)使半导体层成长之步骤。(c)将半导体层与基板加以分离之步骤。半导体发光组件，系包含有前述的独立基板、传导层、发光层以及电极者。

3. 发明专利

TW200520212A 化合物半導體基板之製造方法审中-公开
简体标题：化合物半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TW200520212A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093132261
申请日：2004-10-22
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：秦雅彥 HATA, MASAHIKO , 小野善伸 ONO, YOSHINOBU , 上田和正 UEDA, KAZUMASA
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/2007 , H01L29/2003
摘要：本發明係提供化合物半導體基板之製造方法，化合物半導體基板之製造方法，為含以下步驟(a)～(e)；(a)於基板1之上，由磊晶成長形成化合物半導體機能層2，(b)於化合物半導體機能層2接合支撐基板3，(c)由研磨除去基板1，及與基板1接觸之化合物半導體機能層2之一部份，(d)於由步驟(c)所露出之化合物半導體機能層2之表面，接合具有比基板1之導熱率大之高導熱性基板4，得到多層基板，(e)自多層基板分離支撐基板3。
简体摘要：本发明系提供化合物半导体基板之制造方法，化合物半导体基板之制造方法，为含以下步骤(a)～(e)；(a)于基板1之上，由磊晶成长形成化合物半导体机能层2，(b)于化合物半导体机能层2接合支撑基板3，(c)由研磨除去基板1，及与基板1接触之化合物半导体机能层2之一部份，(d)于由步骤(c)所露出之化合物半导体机能层2之表面，接合具有比基板1之导热率大之高导热性基板4，得到多层基板，(e)自多层基板分离支撑基板3。

4. 发明专利

TW200739692A III-V族氮化物半導體基板之製造方法 METHOD FOR MAKING A GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTER SUBSTRATE 审中-公开
简体标题： III-V族氮化物半导体基板之制造方法 METHOD FOR MAKING A GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTER SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200739692A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW096107986
申请日：2007-03-08
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：上田和正 UEDA, KAZUMASA , 西川直宏 NISHIKAWA, NAOHIRO , 笠原健司 KASAHARA, KENJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/12 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01S5/0213 , H01S5/32341 , H01S2304/12
摘要：本發明是有關III-V族氮化物半導體基板之製造方法。本發明的III-V族氮化物半導體基板之製造方法,包括步驟(I-1)至(I-6)。(I-1)在底基板上配置無機粒子、(I-2)以無機粒子作為蝕刻遮罩(etching mask)將底基板乾式蝕刻而在底基板上形成凸部、(I-3)在底基板上形成磊晶(epitaxial)成長遮罩用的被膜、(I-4)去除無機粒子而形成底基板上的露出面、(I-5)使III-V族氮化物半導體在底基板上的露出面上成長、(I-6)使III-V族氮化物半導體從底基板分離。本發明的III-V族氮化物半導體基板之製造方法,包括步驟(II-1)至(II-7)。(II-1)在底基板上配置無機粒子、(II-2)以無機粒子為蝕刻遮罩(etching mask)將底基板乾式蝕刻而在底基板上形成凸部、(II-3)去除無機粒子、(II-4)在底基板上形成磊晶成長遮罩用的被膜、(II-5)去除凸部的頂部之被膜,以形成底基板的露出面、(II-6)使III-V族氮化物半導體在底基板的露出面上成長、(II-7)使III-V族氮化物半導體從底基板分離。
简体摘要：本发明是有关III-V族氮化物半导体基板之制造方法。本发明的III-V族氮化物半导体基板之制造方法,包括步骤(I-1)至(I-6)。(I-1)在底基板上配置无机粒子、(I-2)以无机粒子作为蚀刻遮罩(etching mask)将底基板干式蚀刻而在底基板上形成凸部、(I-3)在底基板上形成磊晶(epitaxial)成长遮罩用的被膜、(I-4)去除无机粒子而形成底基板上的露出面、(I-5)使III-V族氮化物半导体在底基板上的露出面上成长、(I-6)使III-V族氮化物半导体从底基板分离。本发明的III-V族氮化物半导体基板之制造方法,包括步骤(II-1)至(II-7)。(II-1)在底基板上配置无机粒子、(II-2)以无机粒子为蚀刻遮罩(etching mask)将底基板干式蚀刻而在底基板上形成凸部、(II-3)去除无机粒子、(II-4)在底基板上形成磊晶成长遮罩用的被膜、(II-5)去除凸部的顶部之被膜,以形成底基板的露出面、(II-6)使III-V族氮化物半导体在底基板的露出面上成长、(II-7)使III-V族氮化物半导体从底基板分离。

5. 发明专利

TW200625699A 半導體積層基板,其製造方法及發光元件 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF, AND LIGHT EMITTING ELEMENT 审中-公开
简体标题：半导体积层基板,其制造方法及发光组件 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF, AND LIGHT EMITTING ELEMENT
公开(公告)号：TW200625699A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094140901
申请日：2005-11-22
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：上田和正 UEDA, KAZUMASA , 西川直宏 NISHIKAWA, NAOHIRO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02488 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L51/5048 , H01L51/5268
摘要：本發明係提供半導體積層基板，半導體積層基板的製造方法及發光元件。此半導體積體基板包括含有除了金屬氮化物以外的無機粒子(氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化鈰、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、釔鋁石榴石等)之半導體層。此半導體積層基板之製造方法包括以下步驟(a)和(b)。(a)在基板上，配置除了金屬氮化物以外之無機粒子的步驟，(b)使半導體層生長的步驟。發光元件係包含有前述之半導體積層基板。
简体摘要：本发明系提供半导体积层基板，半导体积层基板的制造方法及发光组件。此半导体积体基板包括含有除了金属氮化物以外的无机粒子(氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钛、氧化铈、氧化镁、氧化锌、氧化锡、钇铝石榴石等)之半导体层。此半导体积层基板之制造方法包括以下步骤(a)和(b)。(a)在基板上，配置除了金属氮化物以外之无机粒子的步骤，(b)使半导体层生长的步骤。发光组件系包含有前述之半导体积层基板。

6. 发明专利

TW200603268A 化合物半導體磊晶基板及該製造方法失效
简体标题：化合物半导体磊晶基板及该制造方法
公开(公告)号：TW200603268A
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：TW094117553
申请日：2005-05-27
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：小廣健司 KOHIRO, KENJI , 高田朋幸 TAKADA, TOMOYUKI , 上田和正 UEDA, KAZUMASA , 秦雅彥 HATA, MASAHIKO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7785 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02546 , H01L21/0262
摘要：本發明提供一種化合物半導體磊晶基板及其製造方法。化合物半導體磊晶基板包括單晶基板、晶格不整合化合物半導體層及應力補償層，且晶格不整合化合物半導體層及應力補償層相對於單晶基板係位於同一面側，而晶格不整合化合物半導體層不會產生格弛緩，應力補償層不會產生晶格弛緩；單晶基板的晶格常數(lattice constant)Ls、晶格不整合化合物半導體層的晶格常數Lm、及應力補償層的晶格常數Lc係滿足式子(1a)或(2a)： Lm＜Ls＜Lc (1a) Lm＞Ls＞Lc (2a)。而化合物半導體磊晶基板的製造方法包括(1)及(2)之步驟：(1)在單晶基板上，使不會產生晶格弛緩的化合物半導體層1磊晶成長，(2)在所獲得的化合物半導體層I上，使不會產生晶格弛緩的化合物半導體層II磊晶成長；單晶基板的晶格常數Ls、化合物半導體層I的晶格常數LI、及化合物半導體層II的晶格常數LII係滿足式子(1b)或(2b)： LI＜Ls＜LII (1b) LI＞Ls＞LII (2b)。
简体摘要：本发明提供一种化合物半导体磊晶基板及其制造方法。化合物半导体磊晶基板包括单晶基板、晶格不集成化合物半导体层及应力补偿层，且晶格不集成化合物半导体层及应力补偿层相对於单晶基板系位于同一面侧，而晶格不集成化合物半导体层不会产生格弛缓，应力补偿层不会产生晶格弛缓；单晶基板的晶格常数(lattice constant)Ls、晶格不集成化合物半导体层的晶格常数Lm、及应力补偿层的晶格常数Lc系满足式子(1a)或(2a)： Lm＜Ls＜Lc (1a) Lm＞Ls＞Lc (2a)。而化合物半导体磊晶基板的制造方法包括(1)及(2)之步骤：(1)在单晶基板上，使不会产生晶格弛缓的化合物半导体层1磊晶成长，(2)在所获得的化合物半导体层I上，使不会产生晶格弛缓的化合物半导体层II磊晶成长；单晶基板的晶格常数Ls、化合物半导体层I的晶格常数LI、及化合物半导体层II的晶格常数LII系满足式子(1b)或(2b)： LI＜Ls＜LII (1b) LI＞Ls＞LII (2b)。

7. 发明专利

TW200802976A 基板的微細加工方法、基板的製造方法及發光元件 FINE PROCESSING HETHOD OF SOBSTRATE, MANUFACURING METHOD OF SUBSTRATE, AND LIGHT EMITTING ELEMENT 审中-公开
简体标题：基板的微细加工方法、基板的制造方法及发光组件 FINE PROCESSING HETHOD OF SOBSTRATE, MANUFACURING METHOD OF SUBSTRATE, AND LIGHT EMITTING ELEMENT
公开(公告)号：TW200802976A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096111200
申请日：2007-03-30
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：小野善伸 ONO, YOSHINOBU , 笠原健司 KASAHARA, KENJI , 上田和正 UEDA, KAZUMASA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/308 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L2933/0083 , Y10S977/856
摘要：本發明係提供基板的微細加工方法、基板的製造方法及發光元件。基板的微細加工方法係從具有單粒子層的基板,將單粒子層去除後,以曾載置構成單粒子層的各個粒子之基板位置為中心,藉由蝕刻而形成具有較小於粒子直徑之內徑的孔。基板的製造方法係依序包括有下述步驟(Ⅰ)至(V):(I)在基板上排列粒子而形成單粒子層;(II)對所獲得的基板施行蝕刻,而將粒子小粒徑化;(III)在所獲得的基板上,形成由遮罩材料所構成的薄膜;(IV)將粒子從基板去除,而在各個粒子所存在的位置處,形成具有與粒子直徑相同內徑孔的遮罩;(V)使用遮罩對基板施行蝕刻,而在遮罩所具有之孔的下方之基板,形成與遮罩的孔內徑相同直徑的孔。發光元件,係由氮化物半導體所構成,且細微孔將形成於光取出面及/或對向面的整面或部分區域。
简体摘要：本发明系提供基板的微细加工方法、基板的制造方法及发光组件。基板的微细加工方法系从具有单粒子层的基板,将单粒子层去除后,以曾载置构成单粒子层的各个粒子之基板位置为中心,借由蚀刻而形成具有较小于粒子直径之内径的孔。基板的制造方法系依序包括有下述步骤(Ⅰ)至(V):(I)在基板上排列粒子而形成单粒子层;(II)对所获得的基板施行蚀刻,而将粒子小粒径化;(III)在所获得的基板上,形成由遮罩材料所构成的薄膜;(IV)将粒子从基板去除,而在各个粒子所存在的位置处,形成具有与粒子直径相同内径孔的遮罩;(V)使用遮罩对基板施行蚀刻,而在遮罩所具有之孔的下方之基板,形成与遮罩的孔内径相同直径的孔。发光组件,系由氮化物半导体所构成,且细微孔将形成于光取出面及/或对向面的整面或部分区域。

8. 发明专利

TW200737554A III族氮化物半導體發光元件及其製造方法 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MAKING SAME 审中-公开
简体标题： III族氮化物半导体发光组件及其制造方法 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MAKING SAME
公开(公告)号：TW200737554A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096105444
申请日：2007-02-14
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：笠原健司 KASAHARA, KENJI , 上田和正 UEDA, KAZUMASA , 小野善伸 ONO, YOSHINOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/42
摘要：本發明提供一種III族氮化物半導體發光元件及其製造方法。III族氮化物半導體發光元件係含有(a1)、(b1)及(c1)之順序。(a1)N電極、(b1)半導體多層膜、(c1)透明導電性氧化物P電極,其中,半導體多層膜係含有如下順序層:N型半導體層、發光層、P型半導體層、n型雜質濃度為5�10^18cm^-3至5�10^20cm^-3之高濃度N型半導體層,而N型半導體層係相接於N電極,且半導體多層膜具有凸部。又,III族氮化物半導體發光元件含有(a2)、(b2)及(c2)。(a2)透明導電性氧化物N電極、(b2)半導體多層膜、(c2)P電極,其中,半導體多層膜係含有如下順序層:n型雜質濃度為5�10^18cm^-3至5�10^20cm^-3之高濃度N型半導體層、N型半導體層、發光層、P型半導體層;而P型半導體層係鄰接於P電極,且半導體多層膜具有凸部。
简体摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体发光组件及其制造方法。III族氮化物半导体发光组件系含有(a1)、(b1)及(c1)之顺序。(a1)N电极、(b1)半导体多层膜、(c1)透明导电性氧化物P电极,其中,半导体多层膜系含有如下顺序层:N型半导体层、发光层、P型半导体层、n型杂质浓度为5�10^18cm^-3至5�10^20cm^-3之高浓度N型半导体层,而N型半导体层系相接于N电极,且半导体多层膜具有凸部。又,III族氮化物半导体发光组件含有(a2)、(b2)及(c2)。(a2)透明导电性氧化物N电极、(b2)半导体多层膜、(c2)P电极,其中,半导体多层膜系含有如下顺序层:n型杂质浓度为5�10^18cm^-3至5�10^20cm^-3之高浓度N型半导体层、N型半导体层、发光层、P型半导体层;而P型半导体层系邻接于P电极,且半导体多层膜具有凸部。

9. 发明专利

TW200637037A 半導體發光元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200637037A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW095104854
申请日：2006-02-14
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：笠原健司 KASAHARA, KENJI , 上田和正 UEDA, KAZUMASA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30621 , H01L33/08
摘要：本發明係提供半導體發光元件及其製造方法。半導體元件係包含有下述(i)至(ii)：(i)具有選擇自錐狀與錐台狀之凸部的半導體層；(ii)電極；以及當凸部為錐台狀時，凸部的高度為0.05μm至5.0μm，下底面直徑為0.05μm至2.0μm；當凸部為錐狀時，凸部的高度為0.05μm至5.0μm，底面直徑為0.05μmn至2.0μm。再者，半導體發光元件之製造方法係包含有步驟(a)至(c)：(a)在基板上使半導體層成長的步驟；(b)在半導體層上形成含有平均粒徑0.01μm至10μm的粒子，且面密度為2×10^6cm^–2至2×10cm^–2之區域的步驟；(c)對半導體層施行乾式蝕刻，而形成選擇自錐狀與錐台狀之凸部的步驟。
简体摘要：本发明系提供半导体发光组件及其制造方法。半导体组件系包含有下述(i)至(ii)：(i)具有选择自锥状与锥台状之凸部的半导体层；(ii)电极；以及当凸部为锥台状时，凸部的高度为0.05μm至5.0μm，下底面直径为0.05μm至2.0μm；当凸部为锥状时，凸部的高度为0.05μm至5.0μm，底面直径为0.05μmn至2.0μm。再者，半导体发光组件之制造方法系包含有步骤(a)至(c)：(a)在基板上使半导体层成长的步骤；(b)在半导体层上形成含有平均粒径0.01μm至10μm的粒子，且面密度为2×10^6cm^–2至2×10cm^–2之区域的步骤；(c)对半导体层施行干式蚀刻，而形成选择自锥状与锥台状之凸部的步骤。

10. 发明专利

TW200807749A 第III-V族氮化物半導體之製造方法及發光元件之製造方法 METHOD FOR MAKING A III-V FAMILY MITRIDE SEMICONDUCTOR AND A METHOD FOR MAKING A LUMINESCENT ELEMENT 审中-公开
简体标题：第III-V族氮化物半导体之制造方法及发光组件之制造方法 METHOD FOR MAKING A III-V FAMILY MITRIDE SEMICONDUCTOR AND A METHOD FOR MAKING A LUMINESCENT ELEMENT
公开(公告)号：TW200807749A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW095135715
申请日：2006-09-27
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：山中貞則 YAMANAKA, SADANORI , 上田和正 UEDA, KAZUMASA , 土田良彥 TSUCHIDA, YOSHIHIKO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/301 , C23C16/01 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B33/00 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0079
摘要：本發明提供第III-V族氮化物半導體之製造方法及發光元件之製造方法。第III-V族氮化物半導體之製造方法,依序包含步驟(i)、(ii)、以及(iii)。發光元件之製造方法,依序包含步驟(i)、(ii)、(iii)以及(iv)。其中步驟(i)係於基板上配置無機粒子之步驟、步驟(ii)係使半導體層生長之步驟、步驟(iii)係對基板與半導體層之間照射光線以分離基板與半導體層之步驟、步驟(iv)係形成電極之步驟。
简体摘要：本发明提供第III-V族氮化物半导体之制造方法及发光组件之制造方法。第III-V族氮化物半导体之制造方法,依序包含步骤(i)、(ii)、以及(iii)。发光组件之制造方法,依序包含步骤(i)、(ii)、(iii)以及(iv)。其中步骤(i)系于基板上配置无机粒子之步骤、步骤(ii)系使半导体层生长之步骤、步骤(iii)系对基板与半导体层之间照射光线以分离基板与半导体层之步骤、步骤(iv)系形成电极之步骤。

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