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1. 发明专利

TW200822190A 半導體元件之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体组件之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200822190A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096130290
申请日：2007-08-16
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：山中貞則 YAMANAKA, SADANORI , 上田和正 UEDA, KAZUMASA , 高田朋幸 TAKADA, TOMOYUKI
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/0095 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體元件之製造方法,該半導體元件之製造方法係使用成長用基板以製造由含有3-5族氮化物半導體之磊晶結晶所構成的半導體元件,其特徵在:包含製作分離溝之步驟,該分離溝係為使該磊晶結晶被分隔成複數個區域,並從前述成長用基板剝離者。
简体摘要：本发明提供一种半导体组件之制造方法,该半导体组件之制造方法系使用成长用基板以制造由含有3-5族氮化物半导体之磊晶结晶所构成的半导体组件,其特征在:包含制作分离沟之步骤,该分离沟系为使该磊晶结晶被分隔成复数个区域,并从前述成长用基板剥离者。

2. 发明专利

TW200520061A 化合物半導體磊晶基板的製造方法 MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：化合物半导体磊晶基板的制造方法 MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200520061A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093133615
申请日：2004-11-04
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：小廣健司 KOHIRO, KENJI , 高田朋幸 TAKADA, TOMOYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02461 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02546 , H01L21/0262
摘要：一種凹狀缺陷少的化合物半導體磊晶基板的製造方法。化合物半導體磊晶基板的製造方法包含在InP單結晶基板上或在與InP單結晶基板晶格匹配的層上利用磊晶生長，在V／III比率10～100，生長溫度630℃～700℃，生長速度0.6μm／h～2μm／h的條件下，包括形成InGaAs層的製程。
简体摘要：一种凹状缺陷少的化合物半导体磊晶基板的制造方法。化合物半导体磊晶基板的制造方法包含在InP单结晶基板上或在与InP单结晶基板晶格匹配的层上利用磊晶生长，在V／III比率10～100，生长温度630℃～700℃，生长速度0.6μm／h～2μm／h的条件下，包括形成InGaAs层的制程。

3. 发明专利

TW200633256A III-V族化合物半導體以及彼之製法 A GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND A METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
简体标题： III-V族化合物半导体以及彼之制法 A GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND A METHOD FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW200633256A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW094133377
申请日：2005-09-26
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：佐佐木誠 SASAKI, MAKOTO , 高田朋幸 TAKADA, TOMOYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06
摘要：提供一種III–V族化合物半導體。該III–V族化合物半導體包含：一n–型層，一由式InaGabAlcN所示的p–型層，其具有不小於300奈米的厚度，以及一多重量子井結構，其存在該n–型層與該p–型層之間，具有至少兩個包括二阻障層及在該等阻障層之間由式InxGayAlzN所示的量子井層之量子井結構(Quantum well structure)；及不大於42.5％的R／α比例，其中R為該量子井層中的氮化銦平均莫耳分率，其係藉X–射線繞射測得，且α為由電流注入造成III–V族化合物半導體放射的光線波長算出來的氮化銦莫耳分率。
简体摘要：提供一种III–V族化合物半导体。该III–V族化合物半导体包含：一n–型层，一由式InaGabAlcN所示的p–型层，其具有不小于300奈米的厚度，以及一多重量子井结构，其存在该n–型层与该p–型层之间，具有至少两个包括二阻障层及在该等阻障层之间由式InxGayAlzN所示的量子井层之量子井结构(Quantum well structure)；及不大于42.5％的R／α比例，其中R为该量子井层中的氮化铟平均莫耳分率，其系藉X–射线绕射测得，且α为由电流注入造成III–V族化合物半导体放射的光线波长算出来的氮化铟莫耳分率。

4. 发明专利

TW200603268A 化合物半導體磊晶基板及該製造方法失效
简体标题：化合物半导体磊晶基板及该制造方法
公开(公告)号：TW200603268A
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：TW094117553
申请日：2005-05-27
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：小廣健司 KOHIRO, KENJI , 高田朋幸 TAKADA, TOMOYUKI , 上田和正 UEDA, KAZUMASA , 秦雅彥 HATA, MASAHIKO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7785 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02546 , H01L21/0262
摘要：本發明提供一種化合物半導體磊晶基板及其製造方法。化合物半導體磊晶基板包括單晶基板、晶格不整合化合物半導體層及應力補償層，且晶格不整合化合物半導體層及應力補償層相對於單晶基板係位於同一面側，而晶格不整合化合物半導體層不會產生格弛緩，應力補償層不會產生晶格弛緩；單晶基板的晶格常數(lattice constant)Ls、晶格不整合化合物半導體層的晶格常數Lm、及應力補償層的晶格常數Lc係滿足式子(1a)或(2a)： Lm＜Ls＜Lc (1a) Lm＞Ls＞Lc (2a)。而化合物半導體磊晶基板的製造方法包括(1)及(2)之步驟：(1)在單晶基板上，使不會產生晶格弛緩的化合物半導體層1磊晶成長，(2)在所獲得的化合物半導體層I上，使不會產生晶格弛緩的化合物半導體層II磊晶成長；單晶基板的晶格常數Ls、化合物半導體層I的晶格常數LI、及化合物半導體層II的晶格常數LII係滿足式子(1b)或(2b)： LI＜Ls＜LII (1b) LI＞Ls＞LII (2b)。
简体摘要：本发明提供一种化合物半导体磊晶基板及其制造方法。化合物半导体磊晶基板包括单晶基板、晶格不集成化合物半导体层及应力补偿层，且晶格不集成化合物半导体层及应力补偿层相对於单晶基板系位于同一面侧，而晶格不集成化合物半导体层不会产生格弛缓，应力补偿层不会产生晶格弛缓；单晶基板的晶格常数(lattice constant)Ls、晶格不集成化合物半导体层的晶格常数Lm、及应力补偿层的晶格常数Lc系满足式子(1a)或(2a)： Lm＜Ls＜Lc (1a) Lm＞Ls＞Lc (2a)。而化合物半导体磊晶基板的制造方法包括(1)及(2)之步骤：(1)在单晶基板上，使不会产生晶格弛缓的化合物半导体层1磊晶成长，(2)在所获得的化合物半导体层I上，使不会产生晶格弛缓的化合物半导体层II磊晶成长；单晶基板的晶格常数Ls、化合物半导体层I的晶格常数LI、及化合物半导体层II的晶格常数LII系满足式子(1b)或(2b)： LI＜Ls＜LII (1b) LI＞Ls＞LII (2b)。

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