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1. 发明专利

TW200536158A 化合物半導體發光元件审中-公开
简体标题：化合物半导体发光组件
公开(公告)号：TW200536158A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW094107896
申请日：2005-03-15
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：小野善伸 ONO, YOSHINOBU , 安部壽充 ABE, TOSHIMITSU , 山中貞則 YAMANAKA, SADANORI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01S5/0421 , H01S5/3095 , H01S2301/173
摘要：本發明係有關具高發光效率之化合物半導體發光元件(例如發光二極體，雷射二極體)。化合物半導體元件為，依順序含反射率降低層、電阻電極層(i)、發光層、及電阻電極層(ii)，且電阻電極層(i)為透明導電性者。
简体摘要：本发明系有关具高发光效率之化合物半导体发光组件(例如发光二极管，激光二极管)。化合物半导体组件为，依顺序含反射率降低层、电阻电极层(i)、发光层、及电阻电极层(ii)，且电阻电极层(i)为透明导电性者。

2. 发明专利

TW200520212A 化合物半導體基板之製造方法审中-公开
简体标题：化合物半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TW200520212A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093132261
申请日：2004-10-22
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：秦雅彥 HATA, MASAHIKO , 小野善伸 ONO, YOSHINOBU , 上田和正 UEDA, KAZUMASA
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/2007 , H01L29/2003
摘要：本發明係提供化合物半導體基板之製造方法，化合物半導體基板之製造方法，為含以下步驟(a)～(e)；(a)於基板1之上，由磊晶成長形成化合物半導體機能層2，(b)於化合物半導體機能層2接合支撐基板3，(c)由研磨除去基板1，及與基板1接觸之化合物半導體機能層2之一部份，(d)於由步驟(c)所露出之化合物半導體機能層2之表面，接合具有比基板1之導熱率大之高導熱性基板4，得到多層基板，(e)自多層基板分離支撐基板3。
简体摘要：本发明系提供化合物半导体基板之制造方法，化合物半导体基板之制造方法，为含以下步骤(a)～(e)；(a)于基板1之上，由磊晶成长形成化合物半导体机能层2，(b)于化合物半导体机能层2接合支撑基板3，(c)由研磨除去基板1，及与基板1接触之化合物半导体机能层2之一部份，(d)于由步骤(c)所露出之化合物半导体机能层2之表面，接合具有比基板1之导热率大之高导热性基板4，得到多层基板，(e)自多层基板分离支撑基板3。

3. 发明专利

TW200746470A 發光元件 LUMINESCENCE ELEMENT 审中-公开
简体标题：发光组件 LUMINESCENCE ELEMENT
公开(公告)号：TW200746470A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096110699
申请日：2007-03-28
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：山中貞則 YAMANAKA, SADANORI , 小野善伸 ONO, YOSHINOBU , 上田和正 UEDA, KAZUMASA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係提供一種發光元件。此發光元件中,於直接測定從發光元件的晶片所放射出之光線時之配光分布I(��、��),係具有不依存於��方向而幾乎可由I(��、��)=I(��)所表示之配光分布。在此,I(��、��)為(��、��)方向的光强度分布;��為離發光元件的光取出面的法線方向之角度(0≦��≦90�);��為法線周圍的旋轉角(0≦��≦360�);I(��)為於��=90�時接近於零之單調遞減函數。此外,此發光元件中,於構成發光元件的晶片之構造體當中,關於對從發光層所放射出的光線而言為透明之構造體部分的大小,橫向的大小與厚度方向的大小之比例(深寬比)為5以上,且於發光元件晶片的表面或該透明的構造體部分的內部中,具備具有光散射功能之構造。
简体摘要：本发明系提供一种发光组件。此发光组件中,于直接测定从发光组件的芯片所放射出之光线时之配光分布I(��、��),系具有不依存于��方向而几乎可由I(��、��)=I(��)所表示之配光分布。在此,I(��、��)为(��、��)方向的光强度分布;��为离发光组件的光取出面的法线方向之角度(0≦��≦90�);��为法线周围的旋转角(0≦��≦360�);I(��)为于��=90�时接近于零之单调递减函数。此外,此发光组件中,于构成发光组件的芯片之构造体当中,关于对从发光层所放射出的光线而言为透明之构造体部分的大小,横向的大小与厚度方向的大小之比例(深宽比)为5以上,且于发光组件芯片的表面或该透明的构造体部分的内部中,具备具有光散射功能之构造。

4. 发明专利

TW200746411A 發光裝置 LUMINESCENT DEVICE 审中-公开
简体标题：发光设备 LUMINESCENT DEVICE
公开(公告)号：TW200746411A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096105804
申请日：2007-02-15
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：小野善伸 ONO, YOSHINOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/3211
摘要：本發明係,具有陽極及陰極,與夾持於其間之,至少一層含有有機物之發光層,具有使電流在電極間流動下發光之元件所成之像素2個以上之發光裝置中,全部像素形成於相同基體之上或上方,各像素之電極中至少一電極係,以各一像素獨立地與驅動電路連接,可獨立地控制外加電壓或電流,各像素中與相鄰接之像素之間隔的最小値為L1,使像素之最大寬為L2時,L1�n≧L2[在此,n示0.1以上3以下之數],且L2示100��m以下為其特徵之上述發光裝置。
简体摘要：本发明系,具有阳极及阴极,与夹持于其间之,至少一层含有有机物之发光层,具有使电流在电极间流动下发光之组件所成之像素2个以上之发光设备中,全部像素形成于相同基体之上或上方,各像素之电极中至少一电极系,以各一像素独立地与驱动电路连接,可独立地控制外加电压或电流,各像素中与相邻接之像素之间隔的最小値为L1,使像素之最大宽为L2时,L1�n≧L2[在此,n示0.1以上3以下之数],且L2示100��m以下为其特征之上述发光设备。

5. 发明专利

TW200644274A 氮化物半導體發光元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR LUMINESCENCE ELEMETN OF NITRIDE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：氮化物半导体发光组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR LUMINESCENCE ELEMETN OF NITRIDE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200644274A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW094119004
申请日：2005-06-09
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：小野善伸 ONO, YOSHINOBU , 山中貞則 YAMANAKA, SADANORI , 秦雅彥 HATA, MASAHIKO
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係提供一種氮化物半導體發光元件及其製造方法。氮化物半導體發光元件係依序含有：歐姆電極層(i)、半導體層(i)、發光層、半導體層(ii)、歐姆電極層(ii)及熱傳導性層；歐姆電極層(i)係透明導電性層；歐姆電極層(ii)係依序含有透明導電性層及光反射功能層；及半導體層(i)為p型，半導體層(ii)為n型，或者，半導體層(i)為n型，半導體層(ii)為p型。又，氮化物半導體發光元件的製造方法係含有步驟(a)至(e)。(a)係於單結晶基板之上，依序形成半導體層(i)、發光層及半導體層(ii)之步驟；(b)係於前述半導體層(ii)之上，依序形成透明導電性層、光反射功能層之步驟；(c)係於前述光反射功能層之上，形成熱傳導性層之步驟；(d)係從在步驟(c)所得到者去除單結晶基板之步驟；(e)係於去除前述單結晶基板而露出之半導體層(i)之上，形成透明導電性層之步驟。進一步，氮化物半導體發光元件的製造方法係含有步驟(f)至(l)。(f)係於單結晶基板之上，依序形成半導體層(i)、發光層及半導體層(ii)之步驟；(g)於前述半導體層(ii)之上，接合支撐基板之步驟；(h)係從在步驟(g)所得到者去除單結晶基板之步驟；(i)係於步驟(h)所得到者之半導體層(i)之上，依序形成透明導電性層、光反射功能層之步驟；(j)係於前述光反射功能層之上，形成熱傳導性層之步驟；(k)係從在步驟(j)所得到者去除支撐基板之步驟；(l)於去除前述支撐基板而露出之半導體層(ii)之上，形成透明導電性層之步驟。
简体摘要：本发明系提供一种氮化物半导体发光组件及其制造方法。氮化物半导体发光组件系依序含有：欧姆电极层(i)、半导体层(i)、发光层、半导体层(ii)、欧姆电极层(ii)及热传导性层；欧姆电极层(i)系透明导电性层；欧姆电极层(ii)系依序含有透明导电性层及光反射功能层；及半导体层(i)为p型，半导体层(ii)为n型，或者，半导体层(i)为n型，半导体层(ii)为p型。又，氮化物半导体发光组件的制造方法系含有步骤(a)至(e)。(a)系於单结晶基板之上，依序形成半导体层(i)、发光层及半导体层(ii)之步骤；(b)系于前述半导体层(ii)之上，依序形成透明导电性层、光反射功能层之步骤；(c)系于前述光反射功能层之上，形成热传导性层之步骤；(d)系从在步骤(c)所得到者去除单结晶基板之步骤；(e)系于去除前述单结晶基板而露出之半导体层(i)之上，形成透明导电性层之步骤。进一步，氮化物半导体发光组件的制造方法系含有步骤(f)至(l)。(f)系於单结晶基板之上，依序形成半导体层(i)、发光层及半导体层(ii)之步骤；(g)于前述半导体层(ii)之上，接合支撑基板之步骤；(h)系从在步骤(g)所得到者去除单结晶基板之步骤；(i)系于步骤(h)所得到者之半导体层(i)之上，依序形成透明导电性层、光反射功能层之步骤；(j)系于前述光反射功能层之上，形成热传导性层之步骤；(k)系从在步骤(j)所得到者去除支撑基板之步骤；(l)于去除前述支撑基板而露出之半导体层(ii)之上，形成透明导电性层之步骤。

6. 发明专利

TW200917888A 有機電激發光元件及其製造方法 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：有机电激发光组件及其制造方法 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200917888A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097129064
申请日：2008-07-31
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：雨宮聰 AMAMIYA, SATOSHI , 松江照行 MATSUE, TERUYUKI , 小野善伸 ONO, YOSHINOBU
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/0005 , H01L51/0012 , H01L51/50 , H01L51/5004 , H01L51/56 , H01L2251/5392
摘要：一種有機電激發光元件,其抑制在上部電極與下部電極之間經由有機層而流過的洩漏電流。有機電激發光元件(51)具有:有機層(9),形成在由岸堤(3)所包圍的畫素區域(R11)中,包含至少一層發光層(6);上部電極(7)及下部電極(2),夾持著有機層(9)而形成;以及洩漏電流阻擋層(5),形成在畫素區域(R11)與岸堤區域(R13)之間的邊界區域(R12)中的上部電極(7)與下部電極(2)之間;並且,洩漏電流阻擋層(5)在基板厚度方向上的電阻,大於插入至洩漏電流阻擋層(5)與第1電極(2)之間的有機層(9)在基板厚度方向上的電阻。
简体摘要：一种有机电激发光组件,其抑制在上部电极与下部电极之间经由有机层而流过的泄漏电流。有机电激发光组件(51)具有:有机层(9),形成在由岸堤(3)所包围的像素区域(R11)中,包含至少一层发光层(6);上部电极(7)及下部电极(2),夹持着有机层(9)而形成;以及泄漏电流阻挡层(5),形成在像素区域(R11)与岸堤区域(R13)之间的边界区域(R12)中的上部电极(7)与下部电极(2)之间;并且,泄漏电流阻挡层(5)在基板厚度方向上的电阻,大于插入至泄漏电流阻挡层(5)与第1电极(2)之间的有机层(9)在基板厚度方向上的电阻。

7. 发明专利

TW200736170A 有機電場發光元件 ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE 审中-公开
简体标题：有机电场发光组件 ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE
公开(公告)号：TW200736170A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096104217
申请日：2007-02-06
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED , 學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY
发明人：古川行夫 FURUKAWA, YUKIO , 山田哲平 YAMADA, TEPPEI , 小野善伸 ONO, YOSHINOBU
IPC分类号： C01G , H05B
CPC分类号： H01L51/5278 , H05B33/22
摘要：本發明係提供一種有機電場發光元件(organic electroluminescente device,以下有簡稱為有機EL元件的情形),為連接在給予電能源之外部電路的兩個相對電極,其中最少一方為透明或半透明之上述電極,該有機電場發光元件包括以下之特徵:於該電極之間包含一層以上之有機層,其中一層為發光層,擁有藉由電洞(hole)和電子再結合而發光的複數個發光單元;於包含被夾在該複數個發光單元中的兩個間的電荷產生層(Charge Generation Layer)的有機電場發光元件;該複數個發光單元中相鄰的任兩個都藉由該電荷產生層來區隔開;該電荷產生層,為包含1種以上之工作函數(work function)為3.0eV以下的金屬或是化合物(A),和1種以上之工作函數為4.0eV以上的化合物(B);於該複數個發光單元最少一個的發光層是含有高分子發光材料。
096104217-p01.bmp
简体摘要：本发明系提供一种有机电场发光组件(organic electroluminescente device,以下有简称为有机EL组件的情形),为连接在给予电能源之外部电路的两个相对电极,其中最少一方为透明或半透明之上述电极,该有机电场发光组件包括以下之特征:于该电极之间包含一层以上之有机层,其中一层为发光层,拥有借由电洞(hole)和电子再结合而发光的复数个发光单元;于包含被夹在该复数个发光单元中的两个间的电荷产生层(Charge Generation Layer)的有机电场发光组件;该复数个发光单元中相邻的任两个都借由该电荷产生层来区隔开;该电荷产生层,为包含1种以上之工作函数(work function)为3.0eV以下的金属或是化合物(A),和1种以上之工作函数为4.0eV以上的化合物(B);于该复数个发光单元最少一个的发光层是含有高分子发光材料。 096104217-p01.bmp

8. 发明专利

TW200644299A 3-5族氮化物半導體積層基板、3-5族氮化物半導體自立基板之製造方法,及半導體元件 GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATED SUBSTRATE, METHOD OF PRODUCING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题： 3-5族氮化物半导体积层基板、3-5族氮化物半导体自立基板之制造方法,及半导体组件 GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATED SUBSTRATE, METHOD OF PRODUCING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200644299A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW095116014
申请日：2006-05-05
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED , 國立大學法人三重大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION MIE UNIVERSITY
发明人：平松和攻 HIRAMATSU, KAZUMASA , 三宅秀人 MIYAKE, HIDETO , 土田良彥 TSUCHIDA, YOSHIHIKO , 小野善伸 ONO, YOSHINOBU , 西川直宏 NISHIKAWA, NAOHIRO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01S2304/12
摘要：本發明係關於3–5族氮化物半導體積層基板1及其之製造方法。於底層基板11上形成半導體層12，於半導體層12上形成掩膜13。繼而藉選擇成長而形成3–5族氮化物半導體結晶層14後，分離3–5族氮化物半導體結晶層14與底層基板11。半導體層12之結晶性低於前述3–5族氮化物半導體結晶層14。
简体摘要：本发明系关于3–5族氮化物半导体积层基板1及其之制造方法。于底层基板11上形成半导体层12，于半导体层12上形成掩膜13。继而藉选择成长而形成3–5族氮化物半导体结晶层14后，分离3–5族氮化物半导体结晶层14与底层基板11。半导体层12之结晶性低于前述3–5族氮化物半导体结晶层14。

9. 发明专利

TW200623461A 化合物半導體發光裝置 COMPOUND SEMICONDUCTOR LUMINESCENT DEVICE 失效
简体标题：化合物半导体发光设备 COMPOUND SEMICONDUCTOR LUMINESCENT DEVICE
公开(公告)号：TW200623461A
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW094129774
申请日：2005-08-30
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：小野善伸 ONO, YOSHINOBU , 山中貞則 YAMANAKA, SADANORI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007
摘要：一種化合物半導體發光裝置，其特徵包含：一導電基材；一包括GaN層的化合物半導體功能層；一電極；一增進黏著層；及一接合層，依此順序堆疊，其中上述的導電基材包括熱膨脹係數與GaN相差1.5×10^-6／℃或更少的金屬材料。
简体摘要：一种化合物半导体发光设备，其特征包含：一导电基材；一包括GaN层的化合物半导体功能层；一电极；一增进黏着层；及一接合层，依此顺序堆栈，其中上述的导电基材包括热膨胀系数与GaN相差1.5×10^-6／℃或更少的金属材料。

10. 发明专利

TW200802976A 基板的微細加工方法、基板的製造方法及發光元件 FINE PROCESSING HETHOD OF SOBSTRATE, MANUFACURING METHOD OF SUBSTRATE, AND LIGHT EMITTING ELEMENT 审中-公开
简体标题：基板的微细加工方法、基板的制造方法及发光组件 FINE PROCESSING HETHOD OF SOBSTRATE, MANUFACURING METHOD OF SUBSTRATE, AND LIGHT EMITTING ELEMENT
公开(公告)号：TW200802976A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096111200
申请日：2007-03-30
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：小野善伸 ONO, YOSHINOBU , 笠原健司 KASAHARA, KENJI , 上田和正 UEDA, KAZUMASA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/308 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L2933/0083 , Y10S977/856
摘要：本發明係提供基板的微細加工方法、基板的製造方法及發光元件。基板的微細加工方法係從具有單粒子層的基板,將單粒子層去除後,以曾載置構成單粒子層的各個粒子之基板位置為中心,藉由蝕刻而形成具有較小於粒子直徑之內徑的孔。基板的製造方法係依序包括有下述步驟(Ⅰ)至(V):(I)在基板上排列粒子而形成單粒子層;(II)對所獲得的基板施行蝕刻,而將粒子小粒徑化;(III)在所獲得的基板上,形成由遮罩材料所構成的薄膜;(IV)將粒子從基板去除,而在各個粒子所存在的位置處,形成具有與粒子直徑相同內徑孔的遮罩;(V)使用遮罩對基板施行蝕刻,而在遮罩所具有之孔的下方之基板,形成與遮罩的孔內徑相同直徑的孔。發光元件,係由氮化物半導體所構成,且細微孔將形成於光取出面及/或對向面的整面或部分區域。
简体摘要：本发明系提供基板的微细加工方法、基板的制造方法及发光组件。基板的微细加工方法系从具有单粒子层的基板,将单粒子层去除后,以曾载置构成单粒子层的各个粒子之基板位置为中心,借由蚀刻而形成具有较小于粒子直径之内径的孔。基板的制造方法系依序包括有下述步骤(Ⅰ)至(V):(I)在基板上排列粒子而形成单粒子层;(II)对所获得的基板施行蚀刻,而将粒子小粒径化;(III)在所获得的基板上,形成由遮罩材料所构成的薄膜;(IV)将粒子从基板去除,而在各个粒子所存在的位置处,形成具有与粒子直径相同内径孔的遮罩;(V)使用遮罩对基板施行蚀刻,而在遮罩所具有之孔的下方之基板,形成与遮罩的孔内径相同直径的孔。发光组件,系由氮化物半导体所构成,且细微孔将形成于光取出面及/或对向面的整面或部分区域。

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