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1. 发明专利

TWI416705B 靜電放電防護裝置有权
简体标题：静电放电防护设备
公开(公告)号：TWI416705B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099143641
申请日：2010-12-14
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION , 國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：黃曄仁 , HUANG, YEH JEN , 周業甯 , JOU, YEH NING , 柯明道 , KER, MING DOU , 陳穩義 , CHEN, WEN YI , 洪嘉偉 , HUNG, CHIA WEI , 邱華琦 , CHIOU, HWA CHYI
IPC分类号： H01L27/04 , H02H9/00
CPC分类号： H01L23/62 , H01L27/0262 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201126689A 靜電放電保護裝置 ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE 审中-公开
简体标题：静电放电保护设备 ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TW201126689A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099102530
申请日：2010-01-29
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , 國立交通大學
发明人：柯明道 , 許哲綸 , 周業甯 , 林耿立 , 黃曄仁
IPC分类号： H01L , H05F
摘要：一種靜電放電保護裝置,包括一第一放電單元、一第二放電單元、一第一觸發單元以及一第二觸發單元。第一及第二放電單元串聯於一第一接觸墊與一第二接觸墊之間,用以釋放一靜電放電電流。當一靜電放電事件發生時,第一觸發單元觸發第一放電單元。當第一放電單元被觸發時,第二觸發單元觸發第二放電單元。
简体摘要：一种静电放电保护设备,包括一第一放电单元、一第二放电单元、一第一触发单元以及一第二触发单元。第一及第二放电单元串联于一第一接触垫与一第二接触垫之间,用以释放一静电放电电流。当一静电放电事件发生时,第一触发单元触发第一放电单元。当第一放电单元被触发时,第二触发单元触发第二放电单元。

3. 发明专利

TWI594334B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI594334B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW104137285
申请日：2015-11-12
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：尼迪卡魯納 , NIDHI, KARUNA , 艾飛 , ALTOLAGUIRRE, FEDERICO AGUSTIN , 柯明道 , KER, MING DOU , 林耿立 , LIN, GEENG LIH
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/36 , H01L29/772

4. 发明专利

TWI566367B 跨域靜電放電保護裝置有权
简体标题：跨域静电放电保护设备
公开(公告)号：TWI566367B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW104136958
申请日：2015-11-10
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：尼迪卡魯納 , NIDHI, KARUNA , 艾飛 , ALTOLAGUIRRE, FEDERICO AGUSTIN , 柯明道 , KER, MING DOU , 林耿立 , LIN, GEENG LIH
IPC分类号： H01L23/60

5. 发明专利

TWI406385B 靜電放電保護裝置有权
简体标题：静电放电保护设备
公开(公告)号：TWI406385B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW099102530
申请日：2010-01-29
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION , 國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：柯明道 , KER, MING DOU , 許哲綸 , HSU, CHE LUN , 周業甯 , JOU, YEH NING , 林耿立 , LIN, GEENG LIH , 黃曄仁 , HUANG, YEH JEN
IPC分类号： H01L23/60 , H05F3/02

6. 发明专利

TW486802B 具有汲極開放式驅動電路之靜電放電防護功能之半導體裝置有权
简体标题：具有汲极开放式驱动电路之静电放电防护功能之半导体设备
公开(公告)号：TW486802B
公开(公告)日：2002-05-11
申请号：TW089100625
申请日：2000-01-17
申请人：世界先進積體電路股份有限公司
发明人：林耿立 , 柯明道
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種具有汲極開放式驅動電路之靜電放電防護功能之半導體裝置，包括:第一型半導體基底、接合墊、第一型濃摻雜區、複數第二型濃摻雜區、複數閘極層、第一、第二、第三、及第四導線裝置。第一型半導體基底連接至第一電位且建構有內部電路。接合墊連接至內部電路。第一型濃摻雜區形成於基底內，構成複數護環，分劃出至少具有四個護環之驅動電路區及至少具有一個護環且緊鄰驅動電路區之靜電放電防護電路區。第二型濃摻雜區形成於基底內，位於每一護環中心及兩側而分別做為源極及汲極區，其間形成有通道區。閘極層位於通道區上。第一導線裝置將驅動電路區內之源極區連接至接合墊。第二導線裝置將靜電放電防護電路區內之源極區連接至第二電位。第三導線裝置將第一型濃摻雜區、汲極區、靜電放電防護電路區內之閘極層連接至第三電位。第四導線裝置將驅動電路區內之閘極層連接至輸入信號。
简体摘要：本发明提供一种具有汲极开放式驱动电路之静电放电防护功能之半导体设备，包括:第一型半导体基底、接合垫、第一型浓掺杂区、复数第二型浓掺杂区、复数闸极层、第一、第二、第三、及第四导线设备。第一型半导体基底连接至第一电位且建构有内部电路。接合垫连接至内部电路。第一型浓掺杂区形成于基底内，构成复数护环，分划出至少具有四个护环之驱动电路区及至少具有一个护环且紧邻驱动电路区之静电放电防护电路区。第二型浓掺杂区形成于基底内，位于每一护环中心及两侧而分别做为源极及汲极区，其间形成有信道区。闸极层位于信道区上。第一导线设备将驱动电路区内之源极区连接至接合垫。第二导线设备将静电放电防护电路区内之源极区连接至第二电位。第三导线设备将第一型浓掺杂区、汲极区、静电放电防护电路区内之闸极层连接至第三电位。第四导线设备将驱动电路区内之闸极层连接至输入信号。

7. 发明专利

TW201717350A 跨域靜電放電保護裝置审中-公开
简体标题：跨域静电放电保护设备
公开(公告)号：TW201717350A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104136958
申请日：2015-11-10
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：尼迪卡魯納 , NIDHI, KARUNA , 艾飛 , ALTOLAGUIRRE, FEDERICO AGUSTIN , 柯明道 , KER, MING DOU , 林耿立 , LIN, GEENG LIH
IPC分类号： H01L23/60
摘要：一種跨域靜電放電(ESD)保護裝置，於單一單元(胞)，具有由4個內嵌的矽控整流器(QSCR結構)。2個閘極接地NMOS電晶體亦內嵌於該跨域ESD保護裝置，以減少QSCR結構的觸發電壓。此外，一外部觸發電路和一偏壓電路亦應用至此跨域ESD保護裝置，以減少QSCR結構的觸發電壓和漏電流。
简体摘要：一种跨域静电放电(ESD)保护设备，於单一单元(胞)，具有由4个内嵌的硅控整流器(QSCR结构)。2个闸极接地NMOS晶体管亦内嵌于该跨域ESD保护设备，以减少QSCR结构的触发电压。此外，一外部触发电路和一偏压电路亦应用至此跨域ESD保护设备，以减少QSCR结构的触发电压和漏电流。

8. 发明专利

TW201717283A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201717283A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104137285
申请日：2015-11-12
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：尼迪卡魯納 , NIDHI, KARUNA , 艾飛 , ALTOLAGUIRRE, FEDERICO AGUSTIN , 柯明道 , KER, MING DOU , 林耿立 , LIN, GEENG LIH
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/36 , H01L29/772
摘要：本揭露提供一種半導體裝置，包括：基板；井區，設於基板中，且具有第一導電型；隔離結構，設於基板中，且環繞井區中的主動區；源極區，設於主動區中及井區中；汲極區，設於主動區中及井區中；第二導電型第一摻雜區，設於井區中，且沿著主動區之邊緣設置，其中第一導電型與第二導電型不同；第二導電型第二摻雜區，設於井區中，且設於源極區、汲極區及第二導電型第一摻雜區之下，其中第二導電型第二摻雜區與第二導電型第一摻雜區直接接觸；源極電極；汲極電極；及閘極電極。本揭露亦提供此半導體裝置之製造方法。
简体摘要：本揭露提供一种半导体设备，包括：基板；井区，设于基板中，且具有第一导电型；隔离结构，设于基板中，且环绕井区中的主动区；源极区，设于主动区中及井区中；汲极区，设于主动区中及井区中；第二导电型第一掺杂区，设于井区中，且沿着主动区之边缘设置，其中第一导电型与第二导电型不同；第二导电型第二掺杂区，设于井区中，且设于源极区、汲极区及第二导电型第一掺杂区之下，其中第二导电型第二掺杂区与第二导电型第一掺杂区直接接触；源极电极；汲极电极；及闸极电极。本揭露亦提供此半导体设备之制造方法。

9. 发明专利

TW560042B 靜電放電防護裝置有权
简体标题：静电放电防护设备
公开(公告)号：TW560042B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091121370
申请日：2002-09-18
申请人：世界先進積體電路股份有限公司
发明人：柯明道 , 林耿立 , 徐新智
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/027 , H01L27/0277 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種新的靜電放電防護(ESD)元件結構與佈局方式，改變ESD電流路徑的方法，來提昇元件的ESD耐受能力。本發明係在互補金氧半導體(CMOS)製程技術上，提出六種方法，包括假閘極嵌入作用區元件、部分作用區無N型離子佈植元件、部分作用區嵌入淺溝槽絕緣層元件、部份作用區靜電放電佈植元件、部分作用區嵌入N型井元件、以及閘極雙曲元件。利用本發明所提出的方法，能夠有效改善靜電放電防護元件均勻導通效率，快速排放靜電放電的瞬間大電流，尤其是能夠顯著提昇積體電路產品對機器模式(Machine Model)靜電放電的耐受力。
简体摘要：本发明提供一种新的静电放电防护(ESD)组件结构与布局方式，改变ESD电流路径的方法，来提升组件的ESD耐受能力。本发明系在互补金属氧化物半导体(CMOS)制程技术上，提出六种方法，包括假闸极嵌入作用区组件、部分作用区无N型离子布植组件、部分作用区嵌入浅沟槽绝缘层组件、部份作用区静电放电布植组件、部分作用区嵌入N型井组件、以及闸极双曲组件。利用本发明所提出的方法，能够有效改善静电放电防护组件均匀导通效率，快速排放静电放电的瞬间大电流，尤其是能够显着提升集成电路产品对机器模式(Machine Model)静电放电的耐受力。

10. 发明专利

TW510042B 具有低接面電容的輸出/輸入驅動電路及其半導體結構有权
简体标题：具有低接面电容的输出/输入驱动电路及其半导体结构
公开(公告)号：TW510042B
公开(公告)日：2002-11-11
申请号：TW088107281
申请日：1999-05-05
申请人：世界先進積體電路股份有限公司
发明人：林耿立 , 柯明道
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823814 , H01L21/761 , H01L21/823878 , H01L27/092
摘要：一種具有低接面電容的輸出/輸入驅動電路及其半導體結構。在這種半導體結構中，MOS電晶體形成於半導體基底，其具有閘極及形成於閘極兩側的源極/汲極區；而淡摻雜區則具有與閘極兩側的源極/汲極區相同的極性，形成於汲極區且深度大於源極/汲極區。另外，此淡摻雜區若採用CMOS製程相容之井區摻雜則有簡化製程的優點；而原位於井區內之元件可使用高級製程常見之深井區製程予以隔離。
简体摘要：一种具有低接面电容的输出/输入驱动电路及其半导体结构。在这种半导体结构中，MOS晶体管形成于半导体基底，其具有闸极及形成于闸极两侧的源极/汲极区；而淡掺杂区则具有与闸极两侧的源极/汲极区相同的极性，形成于汲极区且深度大于源极/汲极区。另外，此淡掺杂区若采用CMOS制程兼容之井区掺杂则有简化制程的优点；而原位于井区内之组件可使用高级制程常见之深井区制程予以隔离。

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