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1. 发明专利

TW201126689A 靜電放電保護裝置 ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE 审中-公开
简体标题：静电放电保护设备 ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TW201126689A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099102530
申请日：2010-01-29
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , 國立交通大學
发明人：柯明道 , 許哲綸 , 周業甯 , 林耿立 , 黃曄仁
IPC分类号： H01L , H05F
摘要：一種靜電放電保護裝置,包括一第一放電單元、一第二放電單元、一第一觸發單元以及一第二觸發單元。第一及第二放電單元串聯於一第一接觸墊與一第二接觸墊之間,用以釋放一靜電放電電流。當一靜電放電事件發生時,第一觸發單元觸發第一放電單元。當第一放電單元被觸發時,第二觸發單元觸發第二放電單元。
简体摘要：一种静电放电保护设备,包括一第一放电单元、一第二放电单元、一第一触发单元以及一第二触发单元。第一及第二放电单元串联于一第一接触垫与一第二接触垫之间,用以释放一静电放电电流。当一静电放电事件发生时,第一触发单元触发第一放电单元。当第一放电单元被触发时,第二触发单元触发第二放电单元。

2. 发明专利

TWI406385B 靜電放電保護裝置有权
简体标题：静电放电保护设备
公开(公告)号：TWI406385B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW099102530
申请日：2010-01-29
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION , 國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：柯明道 , KER, MING DOU , 許哲綸 , HSU, CHE LUN , 周業甯 , JOU, YEH NING , 林耿立 , LIN, GEENG LIH , 黃曄仁 , HUANG, YEH JEN
IPC分类号： H01L23/60 , H05F3/02

3. 发明专利

TW511270B 具有高靜電放電防護能力之二極體結構及其靜電放電防護電路設計有权
简体标题：具有高静电放电防护能力之二极管结构及其静电放电防护电路设计
公开(公告)号：TW511270B
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：TW090125800
申请日：2001-10-18
申请人：世界先進積體電路股份有限公司
发明人：柯明道 , 莊哲豪 , 林耿立
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0255
摘要：一種具有高靜電防護能力之混成二極體結構以及其應用。該混成二極體包含有兩個二極體：一種是基體以及其中的重摻雜區所形成的接面二極體，另一種是多晶矽層上的P型多晶矽區以及N型多晶矽區所構成的多晶矽二極體。接面二極體與多晶矽二極體並聯或是串聯而構成了混成二極體。並聯式混成二極體具有較小的工作電阻之特性，所以具有較佳的ESD耐受力。串聯式混成二極體具有較小的等效電容，故特別適用於射頻IC的ESD防護。本發明之混成二極體也可以適用於建構輸出入端的ESD防護電路、電源線間的ESD箝制電路以及整體IC之ESD防護系統。
简体摘要：一种具有高静电防护能力之混成二极管结构以及其应用。该混成二极管包含有两个二极管：一种是基体以及其中的重掺杂区所形成的接面二极管，另一种是多晶硅层上的P型多晶硅区以及N型多晶硅区所构成的多晶硅二极管。接面二极管与多晶硅二极管并联或是串联而构成了混成二极管。并联式混成二极管具有较小的工作电阻之特性，所以具有较佳的ESD耐受力。串联式混成二极管具有较小的等效电容，故特别适用于射频IC的ESD防护。本发明之混成二极管也可以适用于建构输出入端的ESD防护电路、电源线间的ESD箝制电路以及整体IC之ESD防护系统。

4. 发明专利

TW483143B 適用於靜電放電防護的電壓控制元件以及其相關電路有权
简体标题：适用于静电放电防护的电压控件以及其相关电路
公开(公告)号：TW483143B
公开(公告)日：2002-04-11
申请号：TW090102319
申请日：2001-02-05
申请人：世界先進積體電路股份有限公司
发明人：林耿立 , 柯明道
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0285
摘要：本發明提出一種ESD防護元件與其相關之電路，適用於一積體電路，耦合於一第一接合墊與一第二接合墊之間。當一工作電源供給該積體電路電源時，一偏壓產生器提供一偏壓電壓，使該防護元件呈現關閉狀態。當該工作電源不供給該積體電路電源時，該防護元件呈現保持導通(always on)狀態，可以釋放發生於該第一接合墊與該第二接合墊之間的一ESD事件所產生之電流。
简体摘要：本发明提出一种ESD防护组件与其相关之电路，适用于一集成电路，耦合于一第一接合垫与一第二接合垫之间。当一工作电源供给该集成电路电源时，一偏压产生器提供一偏压电压，使该防护组件呈现关闭状态。当该工作电源不供给该集成电路电源时，该防护组件呈现保持导通(always on)状态，可以释放发生于该第一接合垫与该第二接合垫之间的一ESD事件所产生之电流。

5. 发明专利

TW454326B 具深層靜電放電電流路徑的互補式金氧半電晶體元件及其製造方法有权
简体标题：具深层静电放电电流路径的互补式金氧半晶体管组件及其制造方法
公开(公告)号：TW454326B
公开(公告)日：2001-09-11
申请号：TW088122677
申请日：1999-12-22
申请人：世界先進積體電路股份有限公司
发明人：林耿立 , 柯明道
IPC分类号： H01L
摘要：本發明中，在電晶體的汲極植入一電流阻塊，以提升其對靜電放電的耐受能力，使得耐受靜電放電用之電晶體元件尺寸可以縮小。該電流阻塊促使靜電放電電流流進半導體的基塊區域，這增加了單位矽晶片面積上的靜電放電耐受能力。電流阻塊的形成是藉由將Ｐ型離子植入Ｎ型汲極範圍的某一區域內，且經由該汲極再進入汲極下方的Ｎ型井，這時阻塊的高阻抗會迫使從汲極接觸區欲流進通道的汲極電流轉而進入半導體的基塊區域。此時，佔據整個汲極寬度範圍的阻塊能將靜電放電所產生的電流打散，並迫使原應流至通道的汲極電流向下流至阻塊下方的Ｎ型井，接著往前經過基材，再流至源極及源極接觸區。這流進半導體基塊的電流路徑，及因半導體基塊所造成的汲極電流打散效應都增加了電晶體對靜電放電的耐受能力，由於耐受能力的增加，使得具靜電放電保護功能的電晶體元件尺寸及其佈局區得以縮小。
简体摘要：本发明中，在晶体管的汲极植入一电流阻块，以提升其对静电放电的耐受能力，使得耐受静电放电用之晶体管组件尺寸可以缩小。该电流阻块促使静电放电电流流进半导体的基块区域，这增加了单位硅芯片面积上的静电放电耐受能力。电流阻块的形成是借由将Ｐ型离子植入Ｎ型汲极范围的某一区域内，且经由该汲极再进入汲极下方的Ｎ型井，这时阻块的高阻抗会迫使从汲极接触区欲流进信道的汲极电流转而进入半导体的基块区域。此时，占据整个汲极宽度范围的阻块能将静电放电所产生的电流打散，并迫使原应流至信道的汲极电流向下流至阻块下方的Ｎ型井，接着往前经过基材，再流至源极及源极接触区。这流进半导体基块的电流路径，及因半导体基块所造成的汲极电流打散效应都增加了晶体管对静电放电的耐受能力，由于耐受能力的增加，使得具静电放电保护功能的晶体管组件尺寸及其布局区得以缩小。

6. 发明专利

TW436903B 在積體電路中形成靜電保護元件的方法有权
简体标题：在集成电路中形成静电保护组件的方法
公开(公告)号：TW436903B
公开(公告)日：2001-05-28
申请号：TW088118733
申请日：1999-10-29
申请人：世界先進積體電路股份有限公司
发明人：林耿立 , 柯明道
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種在積體電路中形成靜電保護元件的方法,其步驟包括有在一半導體基板上陸續形成P型井區、N型井區、和絕緣隔離,接著形成N型金氧半場效電晶體結構,所述 N型金氧半場效電晶體結構係包含有閘極介電層、閘極導電層、源極/汲極區、淡摻雜源/汲極區、以及介電質間隙壁;其特徵為本發明改變光罩的設計,在所述N型金氧半場效電晶體結構源極/汲極區的部分區域,亦進行N型井區的離子佈植而形成一N型井區,接下來以P型半導體物質進行靜電保護離子佈植,在所述源極/汲極區的下方形成濃摻雜的靜電保護摻雜區。
简体摘要：一种在集成电路中形成静电保护组件的方法,其步骤包括有在一半导体基板上陆续形成P型井区、N型井区、和绝缘隔离,接着形成N型金氧半场效应管结构,所述 N型金氧半场效应管结构系包含有闸极介电层、闸极导电层、源极/汲极区、淡掺杂源/汲极区、以及介电质间隙壁;其特征为本发明改变光罩的设计,在所述N型金氧半场效应管结构源极/汲极区的部分区域,亦进行N型井区的离子布植而形成一N型井区,接下来以P型半导体物质进行静电保护离子布植,在所述源极/汲极区的下方形成浓掺杂的静电保护掺杂区。

7. 发明专利

TWI618219B 驅動電路有权
简体标题：驱动电路
公开(公告)号：TWI618219B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW105107152
申请日：2016-03-09
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃紹璋 , HUANG, SHAO CHANG , 呂世襄 , LU, SHI HSIANG , 林耿立 , LIN, GEENG LIH
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/04

8. 发明专利

TW201733072A 驅動電路审中-公开
简体标题：驱动电路
公开(公告)号：TW201733072A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105107152
申请日：2016-03-09
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃紹璋 , HUANG, SHAO CHANG , 呂世襄 , LU, SHI HSIANG , 林耿立 , LIN, GEENG LIH
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/04
摘要：一種驅動電路，用以控制一輸入輸出接合墊的位準，並具有靜電放電防護能力，並包括一偵測器、一控制器以及一釋放控制元件。偵測器耦接一電源端與輸入輸出接合墊。控制器耦接偵測器。釋放控制元件耦接電源端或輸入輸出接合墊，並耦接控制器。當一靜電放電事件發生在電源端或輸入輸出接合墊時，偵測器致能控制器，使得控制器導通釋放控制元件，用以釋放一靜電放電電流。當靜電放電事件未發生在電源端以及輸入輸出接合墊時，偵測器不致能控制器，並且釋放控制元件根據一控制信號而導通，用以控制輸入輸出接合墊的位準。
简体摘要：一种驱动电路，用以控制一输入输出接合垫的位准，并具有静电放电防护能力，并包括一侦测器、一控制器以及一释放控件。侦测器耦接一电源端与输入输出接合垫。控制器耦接侦测器。释放控件耦接电源端或输入输出接合垫，并耦接控制器。当一静电放电事件发生在电源端或输入输出接合垫时，侦测器致能控制器，使得控制器导通释放控件，用以释放一静电放电电流。当静电放电事件未发生在电源端以及输入输出接合垫时，侦测器不致能控制器，并且释放控件根据一控制信号而导通，用以控制输入输出接合垫的位准。

9. 发明专利

TWI544711B 靜電放電保護電路有权
简体标题：静电放电保护电路
公开(公告)号：TWI544711B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104120257
申请日：2015-06-24
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：周業甯 , JOU, YEH NING , 林耿立 , LIN, GEENG LIH
IPC分类号： H02H9/04 , H05F3/02

10. 发明专利

TWI413209B 半導體裝置及其製作方法有权
简体标题：半导体设备及其制作方法
公开(公告)号：TWI413209B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW099101183
申请日：2010-01-18
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林耿立 , LIN, GEENG LIH , 林光明 , LIN, KWANG MING , 杜尚暉 , TU, SHANG HUI , 張睿鈞 , CHANG, JUI CHUN
IPC分类号： H01L21/74 , H01L21/76

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