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    • 1. 发明专利
    • 增層層合基板之製造方法
    • 增层层合基板之制造方法
    • TW201343029A
    • 2013-10-16
    • TW102125056
    • 2008-09-16
    • 上村工業股份有限公司C. UYEMURA & CO., LTD.
    • 立花真司TACHIBANA, SHINJI大村直之OMURA, NAOYUKI川瀨智弘KAWASE, TOMOHIRO礒野敏久ISONO, TOSHIHISA堀田輝幸HOTTA, TERUYUKI
    • H05K3/10H05K3/38C25D3/38
    • H05K3/384H05K3/108H05K3/4644H05K2203/0307H05K2203/0723
    • 本發明係關於一種增層層合基板之製造方法,其包含藉由電解銅鍍敷而在有機高分子絕緣層上形成配線層,接著更於該配線層上層合有機高分子絕緣層之步驟,且於電解銅鍍敷之最終步驟中,藉由電解銅鍍敷使上述配線層表面形成粗糙面,且在形成該粗糙面之配線層表面上直接層合有機高分子絕緣層。依據本發明,可省略為了提高有機高分子絕緣層與配線層之密著性所需之特殊蝕刻步驟,不需要使用昂貴之蝕刻裝置,因而較經濟。另外,特別是由於即使直接使用於填孔鍍敷中所用之含各種添加劑之各種硫酸銅鍍敷浴亦可形成各種形狀或粗糙度之表面凹凸,因此不需要因應於因添加劑造成之皮膜特性而選擇特殊之蝕刻液,又,亦可容易地形成符合層合之有機高分子絕緣層之材質及物性之表面凹凸。
    • 本发明系关于一种增层层合基板之制造方法,其包含借由电解铜镀敷而在有机高分子绝缘层上形成配线层,接着更于该配线层上层合有机高分子绝缘层之步骤,且于电解铜镀敷之最终步骤中,借由电解铜镀敷使上述配线层表面形成粗糙面,且在形成该粗糙面之配线层表面上直接层合有机高分子绝缘层。依据本发明,可省略为了提高有机高分子绝缘层与配线层之密着性所需之特殊蚀刻步骤,不需要使用昂贵之蚀刻设备,因而较经济。另外,特别是由于即使直接使用于填孔镀敷中所用之含各种添加剂之各种硫酸铜镀敷浴亦可形成各种形状或粗糙度之表面凹凸,因此不需要因应于因添加剂造成之皮膜特性而选择特殊之蚀刻液,又,亦可容易地形成符合层合之有机高分子绝缘层之材质及物性之表面凹凸。