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1. 发明专利

TWI449578B 塑膠的分類方法及分類裝置有权
简体标题：塑胶的分类方法及分类设备
公开(公告)号：TWI449578B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW098140944
申请日：2009-12-01
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：平野則子 , HIRANO, NORIKO , 谷村純二 , TANIMURA, JUNJI , 中慈朗 , NAKA, JIRO , 真下麻理子 , MASHIMO, MARIKO , 衣川勝 , KINUGAWA, MASARU , 小笠原忍 , OGASAWARA, SHINOBU , 筒井一就 , TSUTSUI, KAZUNARI
IPC分类号： B07C5/34 , B07B13/08 , B29B17/04
CPC分类号： B03C7/08 , B03C7/006 , B03C7/04 , B03C7/06 , B29B17/02 , B29B2017/0203 , B29B2017/0234 , B29B2017/0244 , B29B2017/0279 , B29K2023/12 , B29K2105/0026 , B29K2105/06 , B29K2105/16 , Y02W30/524 , Y02W30/622

2. 发明专利

TW541618B 半導體裝置之製造方法失效
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW541618B
公开(公告)日：2003-07-11
申请号：TW091107414
申请日：2002-04-12
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：新谷賢治 , 津田睦 , 谷村純二 , 丸山隆弘 , 吉福良一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32137 , H01L21/28123
摘要：本發明係提供一種半導體裝置之製造方法，可防止於使用HBr/O2系氣體之高選擇性過度蝕刻過程時形成問題之閘電極端部形狀錐化。
在蝕刻形成於半導體晶圓上絕緣膜上之電極及配線之過程時，繼主蝕刻過程後之使用HBr/O2系氣體之過度蝕刻過程分割為多數行程之同時，由於使第一段過度蝕刻過程之O2添加量較少於第二段過度蝕刻過程之O2添加量，即可減低在過度蝕刻過程初期自槽壁所供給附著物之釋出量，藉此附著於閘電極側壁之薄膜生成物量減少，得以實現異方性蝕刻形狀。另，可蝕刻電極及配線而不致損傷襯底之絕緣膜，得以實現高選擇性過度蝕刻過程。
简体摘要：本发明系提供一种半导体设备之制造方法，可防止于使用HBr/O2系气体之高选择性过度蚀刻过程时形成问题之闸电极端部形状锥化。在蚀刻形成于半导体晶圆上绝缘膜上之电极及配线之过程时，继主蚀刻过程后之使用HBr/O2系气体之过度蚀刻过程分割为多数行程之同时，由于使第一段过度蚀刻过程之O2添加量较少于第二段过度蚀刻过程之O2添加量，即可减低在过度蚀刻过程初期自槽壁所供给附着物之发佈量，借此附着于闸电极侧壁之薄膜生成物量减少，得以实现异方性蚀刻形状。另，可蚀刻电极及配线而不致损伤衬底之绝缘膜，得以实现高选择性过度蚀刻过程。

3. 发明专利

TW544983B 半導體雷射裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体激光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW544983B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091109024
申请日：2002-04-30
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：阿部真司 , 八木哲哉 , 宮下宗治 , 西口晴美 , 大倉裕二 , 笠井信之 , 田代賀久 , 谷村純二
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/34
摘要： ﹝課題﹞
獲得具有採用量子阱構造無秩序化程序之窗構造區域的半導體雷射裝置，且可獲得充分高的可靠性、優越溫度特性的半導體雷射裝置。﹝解決手段﹞
半導體雷射裝置係具有窗構造區域，利用矽離子植入、及其後的熱處理而將量子阱構造之活性層無秩序化，藉此而所形成，其中在上述窗構造區域10a及其附近(上覆蓋層9a)均實質的未存在差排環。因此可防止隨差排環所產生的半導體雷射裝置劣化，而可改善半導體雷射裝置的可靠性。
简体摘要： ﹝课题﹞ 获得具有采用量子阱构造无秩序化进程之窗构造区域的半导体激光设备，且可获得充分高的可靠性、优越温度特性的半导体激光设备。﹝解决手段﹞ 半导体激光设备系具有窗构造区域，利用硅离子植入、及其后的热处理而将量子阱构造之活性层无秩序化，借此而所形成，其中在上述窗构造区域10a及其附近(上覆盖层9a)均实质的未存在差排环。因此可防止随差排环所产生的半导体激光设备劣化，而可改善半导体激光设备的可靠性。

4. 发明专利

TW201032909A 塑膠的分類方法及分類裝置 SORTING METHOD AND SORTING APPARATUS FOR PLASTICS 审中-公开
简体标题：塑胶的分类方法及分类设备 SORTING METHOD AND SORTING APPARATUS FOR PLASTICS
公开(公告)号：TW201032909A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098140944
申请日：2009-12-01
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：平野則子 , 谷村純二 , 中慈朗 , 真下麻理子 , 衣川勝 , 小笠原忍 , 筒井一就
IPC分类号： B07C , B07B , B29B
CPC分类号： B03C7/08 , B03C7/006 , B03C7/04 , B03C7/06 , B29B17/02 , B29B2017/0203 , B29B2017/0234 , B29B2017/0244 , B29B2017/0279 , B29K2023/12 , B29K2105/0026 , B29K2105/06 , B29K2105/16 , Y02W30/524 , Y02W30/622
摘要：本發明之塑膠的分類方法係具有：第一比重分類步驟，利用比重分類法從混合破碎塑膠區分出比第一比重臨限值P1輕的塑膠；決定步驟，從上述欲區分的較輕塑膠之比重分布來決定上述第一比重分類步驟之比重臨限值P1；以及含溴塑膠去除步驟，將來自X光源的X光照射至上述經區分出的較輕塑膠，再利用穿透X光檢測器檢測從上述經區分出的較輕塑膠穿透之穿透X光，然後根據來自用以解析所檢測出的穿透X光之資料以判別上述經區分出的較輕塑膠中是否存在溴的資料處理部之信號，依據溴之存在與否，來從上述經區分出的輕塑膠去除含溴塑膠。
简体摘要：本发明之塑胶的分类方法系具有：第一比重分类步骤，利用比重分类法从混合破碎塑胶区分出比第一比重临限值P1轻的塑胶；决定步骤，从上述欲区分的较轻塑胶之比重分布来决定上述第一比重分类步骤之比重临限值P1；以及含溴塑胶去除步骤，将来自X光源的X光照射至上述经区分出的较轻塑胶，再利用穿透X光检测器检测从上述经区分出的较轻塑胶穿透之穿透X光，然后根据来自用以解析所检测出的穿透X光之数据以判别上述经区分出的较轻塑胶中是否存在溴的数据处理部之信号，依据溴之存在与否，来从上述经区分出的轻塑胶去除含溴塑胶。

5. 发明专利

TW544984B 半導體裝置的製法有权
简体标题：半导体设备的制法
公开(公告)号：TW544984B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091112060
申请日：2002-06-05
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：谷村純二 , 田代賀久 , 阿部真司 , 笠井信之 , 西口晴美 , 大倉裕二 , 八木哲哉
IPC分类号： H01L , H01S
摘要：本發明提供一種半導體裝置的製法，係包含有：在半導體基板1上設置第1半導體層2的步驟；在該第1半導體層2上設置量子井層180的步驟；在該量子井層180上設置合計膜厚小於500nm的第2半導體層6的步驟；在該第2半導體層6上設置SiO膜7的步驟；以使至少由前述第2半導體層6到前述量子井層180為止的區域中的Si峰值濃度值小於l×1019cm-3的方式，進行由前述SiO膜7上注入Si離子的步驟；以及在進行離子注入步驟之後，進行熱退火，而將位於膜厚方向的量子井層180的部分或是全部無序化的步驟。即使在其有任意的層構造，且上覆蓋層的厚度小於500nm的半導體裝置中，也能夠控制結晶缺陷的產生，並實現量子井層的無序化。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备的制法，系包含有：在半导体基板1上设置第1半导体层2的步骤；在该第1半导体层2上设置量子井层180的步骤；在该量子井层180上设置合计膜厚小于500nm的第2半导体层6的步骤；在该第2半导体层6上设置SiO膜7的步骤；以使至少由前述第2半导体层6到前述量子井层180为止的区域中的Si峰值浓度值小于l×1019cm-3的方式，进行由前述SiO膜7上注入Si离子的步骤；以及在进行离子注入步骤之后，进行热退火，而将位于膜厚方向的量子井层180的部分或是全部无序化的步骤。即使在其有任意的层构造，且上覆盖层的厚度小于500nm的半导体设备中，也能够控制结晶缺陷的产生，并实现量子井层的无序化。

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