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1. 发明专利

TWI652516B 光纖裝置有权
简体标题：光纤设备
公开(公告)号：TWI652516B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW104124234
申请日：2015-07-27
申请人：日商三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD. , 國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY
发明人：村上政直 , MURAKAMI, MASANAO , 雪法克里斯欽 , SCHAEFER, CHRISTIAN , 服部聰史 , HATTORI, SATOSHI , 林尙久 , HAYASHI, TAKAHISA , 清水政二 , SHIMIZU, SEIJI , 時田茂樹 , TOKITA, SHIGEKI
IPC分类号： G02B6/26 , G02B6/42

2. 发明专利

TW201608294A 光纖裝置审中-公开
简体标题：光纤设备
公开(公告)号：TW201608294A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104124234
申请日：2015-07-27
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD. , 國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY
发明人：村上政直 , MURAKAMI, MASANAO , 雪法克里斯欽 , SCHAEFER, CHRISTIAN , 服部聰史 , HATTORI, SATOSHI , 林尙久 , HAYASHI, TAKAHISA , 清水政二 , SHIMIZU, SEIJI , 時田茂樹 , TOKITA, SHIGEKI
IPC分类号： G02B6/26 , G02B6/42
CPC分类号： H01S3/094019 , H01S3/0405 , H01S3/042 , H01S3/067 , H01S3/06704 , H01S3/06733 , H01S3/07 , H01S3/0804 , H01S3/094007 , H01S3/094053 , H01S3/0941 , H01S3/09415 , H01S3/1608 , H01S3/173
摘要：於光纖側面接合有另一光纖之構成之光纖裝置中，抑制接合部成為高溫。此光纖裝置，具備第1氟化物光纖3、第2氟化物光纖4、散熱構件6。第1氟化物光纖3，供引導光。第2氟化物光纖4，光從第1端射入或射出，且第2端之端面斜向接合於第1氟化物光纖3之側面。散熱構件6，係配置成包覆第1氟化物光纖3與第2氟化物光纖4之接合部之全周，熱傳導性與第1及第2光纖3,4相同或較其高且對被光纖引導之光具有光透射性。
简体摘要：于光纤侧面接合有另一光纤之构成之光纤设备中，抑制接合部成为高温。此光纤设备，具备第1氟化物光纤3、第2氟化物光纤4、散热构件6。第1氟化物光纤3，供引导光。第2氟化物光纤4，光从第1端射入或射出，且第2端之端面斜向接合于第1氟化物光纤3之侧面。散热构件6，系配置成包覆第1氟化物光纤3与第2氟化物光纤4之接合部之全周，热传导性与第1及第2光纤3,4相同或较其高且对被光纤引导之光具有光透射性。

3. 发明专利

TW201529503A 玻璃基板之倒角方法及雷射加工裝置审中-公开
简体标题：玻璃基板之倒角方法及激光加工设备
公开(公告)号：TW201529503A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103135558
申请日：2014-10-14
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：佐島德武 , SASHIMA, TOKUTAKE , 清水政二 , SHIMIZU, SEIJI , 村上政直 , MURAKAMI, MASANAO , 蘇宇航 , SU, YUHANG
IPC分类号： C03B33/09 , B26D3/02
摘要：本發明能以簡單之方法進行倒角，且對具有開口等之玻璃基板之開口等之內周面亦可進行倒角。該玻璃基板之倒角方法係對玻璃基板照射雷射光而進行基板端面之倒角，該方法包括第1步驟及第2步驟。第1步驟係自玻璃基板端部之第1主面側起，照射被玻璃基板之第1主面及內部吸收之中紅外光之雷射光。第2步驟係將雷射光沿著玻璃基板之端部掃描，而將玻璃基板之第1主面側及與第1主面相反之第2主面側之邊緣進行熔融倒角。
简体摘要：本发明能以简单之方法进行倒角，且对具有开口等之玻璃基板之开口等之内周面亦可进行倒角。该玻璃基板之倒角方法系对玻璃基板照射激光光而进行基板端面之倒角，该方法包括第1步骤及第2步骤。第1步骤系自玻璃基板端部之第1主面侧起，照射被玻璃基板之第1主面及内部吸收之中红外光之激光光。第2步骤系将激光光沿着玻璃基板之端部扫描，而将玻璃基板之第1主面侧及与第1主面相反之第2主面侧之边缘进行熔融倒角。

4. 发明专利

TW201325797A 脆性材料基板之割斷方法审中-公开
简体标题：脆性材料基板之割断方法
公开(公告)号：TW201325797A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100148572
申请日：2011-12-26
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：清水政二 , SHIMIZU, SEIJI
IPC分类号： B23K26/38 , H01L21/304
摘要： [課題]於使用雷射在互相交差之2方向將脆性材料基板割斷之場合抑制交點部分之破裂之發生。[解決手段]藉由雷射光束LB之照射與來自冷卻噴嘴37之冷卻媒體之吹送來形成由垂直裂痕53a構成之第1刻劃線52a、由垂直裂痕53b構成之第2刻劃線52b。之後對第2刻劃線52b再度照射雷射光束LB使垂直裂痕53b伸展，以第2刻劃線52b將脆性材料基板50割斷。其次，將割斷線54與第1刻劃線52a之交點區域以玻璃板61或水滴62覆蓋。之後，除了交點區域外對第1刻劃線52a再度照射雷射光束LB使垂直裂痕53a伸展，以第1刻劃線52a將脆性材料基板50割斷。
简体摘要： [课题]于使用激光在互相交差之2方向将脆性材料基板割断之场合抑制交点部分之破裂之发生。[解决手段]借由激光光束LB之照射与来自冷却喷嘴37之冷却媒体之吹送来形成由垂直裂痕53a构成之第1刻划线52a、由垂直裂痕53b构成之第2刻划线52b。之后对第2刻划线52b再度照射激光光束LB使垂直裂痕53b伸展，以第2刻划线52b将脆性材料基板50割断。其次，将割断线54与第1刻划线52a之交点区域以玻璃板61或水滴62覆盖。之后，除了交点区域外对第1刻划线52a再度照射激光光束LB使垂直裂痕53a伸展，以第1刻划线52a将脆性材料基板50割断。

5. 发明专利

TWI395630B 使用雷射光之玻璃基板加工裝置有权
简体标题：使用激光光之玻璃基板加工设备
公开(公告)号：TWI395630B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW099120760
申请日：2010-06-25
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：熊谷一星 , KUMATANI, ISSEI , 清水政二 , SHIMIZU, SEIJI
IPC分类号： B23K26/067 , C03B33/02
CPC分类号： C03B33/0222 , B23K26/0676 , B23K26/082 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K2203/50 , C03B33/023 , C03B33/03

6. 发明专利

TWI383856B 脆性材料基板之割斷方法有权
简体标题：脆性材料基板之割断方法
公开(公告)号：TWI383856B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW099118333
申请日：2010-06-07
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：清水政二 , SHIMIZU, SEIJI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOJI , 在間則文 , ARIMA, NORIFUMI
IPC分类号： B23K26/36 , B23K26/00

7. 发明专利

TWI651279B 利用雷射光之玻璃基板熔接方法及雷射加工裝置有权
简体标题：利用激光光之玻璃基板熔接方法及激光加工设备
公开(公告)号：TWI651279B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW104111978
申请日：2015-04-14
申请人：日商三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：宮崎宇航 , MIYAZAKI, YUHANG , 佐島德武 , SASHIMA, TOKUTAKE , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOUJI , 清水政二 , SHIMIZU, SEIJI
IPC分类号： C03B23/203 , B23K26/20 , B23K26/324

8. 发明专利

TW201620845A 分斷方法及分斷裝置审中-公开
简体标题：分断方法及分断设备
公开(公告)号：TW201620845A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104132262
申请日：2015-09-30
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：清水政二 , SHIMIZU, SEIJI , 川畑孝志 , KAWABATA, TAKASHI , 國生智史 , KOKUSEI, SATOSHI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOUJI , 宮崎宇航 , MIYAZAKI, YUHANG , 今泉陽一 , IMAIZUMI, YOICHI
IPC分类号： C03B33/10 , C03B33/09 , B28D5/00 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種能夠抑制因雷射照射對基板造成之熱影響，且能夠將玻璃基板以整齊之端面切斷之分斷方法及分斷裝置。本發明係將玻璃基板沿著分斷預定線進行分斷之分斷方法及裝置，上述分斷方法包含：機械刻劃步驟，其係藉由一面將刀輪16壓抵於玻璃基板1之表面，一面相對移動，而形成有限深度之龜裂S；及雷射分斷步驟，其係根據藉由沿著龜裂S掃描雷射束而產生之熱應力分佈，使於機械刻劃步驟中加工而得之龜裂S進一步滲透，而將玻璃基板1完全切割；且於機械刻劃步驟中，在玻璃基板1之表面形成板厚之30~80%之龜裂，於雷射分斷步驟中，使用振盪波長為5μm波段之雷射。
简体摘要：本发明提供一种能够抑制因激光照射对基板造成之热影响，且能够将玻璃基板以整齐之端面切断之分断方法及分断设备。本发明系将玻璃基板沿着分断预定线进行分断之分断方法及设备，上述分断方法包含：机械刻划步骤，其系借由一面将刀轮16压抵于玻璃基板1之表面，一面相对移动，而形成有限深度之龟裂S；及激光分断步骤，其系根据借由沿着龟裂S扫描激光束而产生之热应力分布，使于机械刻划步骤中加工而得之龟裂S进一步渗透，而将玻璃基板1完全切割；且于机械刻划步骤中，在玻璃基板1之表面形成板厚之30~80%之龟裂，于激光分断步骤中，使用振荡波长为5μm波段之激光。

9. 发明专利

TWI527650B 雷射加工裝置有权
简体标题：激光加工设备
公开(公告)号：TWI527650B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW101132132
申请日：2012-09-04
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：林尚久 , HAYASHI, TAKAHISA , 清水政二 , SHIMIZU, SEIJI
IPC分类号： B23K26/06 , B23K26/38

10. 发明专利

TWI457191B 雷射切割方法及雷射加工裝置有权
简体标题：激光切割方法及激光加工设备
公开(公告)号：TWI457191B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW100148835
申请日：2011-12-27
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：八幡惠輔 , YAHATA, KEISUKE , 清水政二 , SHIMIZU, SEIJI
IPC分类号： B23K26/38 , H01L21/304

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